|
（東京工業大学 大岡山キャンパス） 3月26日（金） 10:00〜16:25 テーマ「グリーンＩＴにおける電子デバイス」 |
|
座長 横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所）
|
| |
| EDD-10-036 |
気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO2/Ge nMOSFET |
| ◎森井清仁,岩崎敬志,中根了昌,竹中 充,高木信一（東京大学） |
| |
| EDD-10-037 |
Ge/GeO2界面反応の理解に基づいたGeO2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上 |
| ○喜多浩之（東京大学，JST-CREST）,王 盛凱,李 忠賢,吉田まほろ（東京大学）,西村知紀,長汐晃輔,鳥海 明（東京大学，JST-CREST） |
| |
| EDD-10-038 |
III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET |
| ◎金澤 徹,若林和也,齋藤尚史,寺尾良輔,田島智宣,池田俊介,宮本恭幸,古屋一仁（東京工業大学） |
| |
| EDD-10-039 |
InP HBTによる次世代光通信用超高速D/A変換器 |
| ◎長谷宗彦,野坂秀之,山中祥吾,佐野公一,村田浩一（日本電信電話株式会社） |
| |
| EDD-10-040 |
〔欠番〕 |
| |
| EDD-10-041 |
ノーマリオフ型GITを集積したワンチップGaNインバータIC |
| ◎森田竜夫,上本康裕,梅田英和,井腰文智,松尾尚慶,清水 順,引田正洋,柳原 学,上田哲三,田中 毅,上田大助（パナソニック株式会社） |
| |
| EDD-10-042 |
分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET |
| ○大田一樹,遠藤一臣,岡本康宏,安藤裕二,宮本広信,嶋脇秀徳（NEC） |
| |
| EDD-10-043 |
自動バイアス制御ダイオードリニアライザを用いたF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ改善 |
| ◎安藤晃洋,高山洋一郎,吉田 剛,石川 亮,本城和彦（電気通信大学） |
| |
| EDD-10-044 |
寄生成分を考慮した高次F級負荷回路設計法の提案とGaN HEMTへの適用 |
| ◎黒田健太,石川 亮,本城和彦（電気通信大学） |
| |
| EDD-10-045 |
W帯GaN MMIC送受信増幅器 |
| ○増田 哲,多木俊裕,牧山剛三,岡本直哉,今西健治,吉川俊英（富士通株式会社）,重松寿生（株式会社富士通研究所） |
| |