電子デバイス研究会

〔委 員 長〕 上野和良(芝浦工業大学)
〔副委員長〕 四戸 孝(東芝)
〔幹  事〕 九鬼孝夫(日本放送協会),杉山克己(芝浦工業大学)
 
 
日 時 2010年3月26日(金) 10:00〜16:25
場 所 東京工業大学(東京工業大学 大岡山キャンパス 情報理工学研究科 大会議室)
協 賛 グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス調査専門委員会(委員長 宮本恭幸,幹事 岡  徹,横山春喜,幹事補佐 若林 整)
議 題 テーマ「グリーンITにおける電子デバイス」

 

(東京工業大学 大岡山キャンパス) 3月26日(金) 10:00〜16:25 テーマ「グリーンITにおける電子デバイス」
座長 横山春喜(NTTフォトニクス研究所)
 
EDD-10-036 気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO2/Ge nMOSFET
◎森井清仁,岩崎敬志,中根了昌,竹中 充,高木信一(東京大学)
 
EDD-10-037 Ge/GeO2界面反応の理解に基づいたGeO2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上
○喜多浩之(東京大学,JST-CREST),王 盛凱,李 忠賢,吉田まほろ(東京大学),西村知紀,長汐晃輔,鳥海 明(東京大学,JST-CREST)
 
EDD-10-038 III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
◎金澤 徹,若林和也,齋藤尚史,寺尾良輔,田島智宣,池田俊介,宮本恭幸,古屋一仁(東京工業大学)
 
EDD-10-039 InP HBTによる次世代光通信用超高速D/A変換器
◎長谷宗彦,野坂秀之,山中祥吾,佐野公一,村田浩一(日本電信電話株式会社)
 
EDD-10-040 〔欠番〕
 
EDD-10-041 ノーマリオフ型GITを集積したワンチップGaNインバータIC
◎森田竜夫,上本康裕,梅田英和,井腰文智,松尾尚慶,清水 順,引田正洋,柳原 学,上田哲三,田中 毅,上田大助(パナソニック株式会社)
 
EDD-10-042 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
○大田一樹,遠藤一臣,岡本康宏,安藤裕二,宮本広信,嶋脇秀徳(NEC)
 
EDD-10-043 自動バイアス制御ダイオードリニアライザを用いたF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ改善
◎安藤晃洋,高山洋一郎,吉田 剛,石川 亮,本城和彦(電気通信大学)
 
EDD-10-044 寄生成分を考慮した高次F級負荷回路設計法の提案とGaN HEMTへの適用
◎黒田健太,石川 亮,本城和彦(電気通信大学)
 
EDD-10-045 W帯GaN MMIC送受信増幅器
○増田 哲,多木俊裕,牧山剛三,岡本直哉,今西健治,吉川俊英(富士通株式会社),重松寿生(株式会社富士通研究所)