| 電子デバイス 半導体電力変換 |
合同研究会 |
| 〔委 員 長〕 | 四戸 孝（東芝） | |
| 〔副委員長〕 | 大見俊一郎（東京工業大学） | |
| 〔幹 事〕 | 九鬼孝夫（日本放送協会），清水達雄（東芝） | |
| 〔委 員 長〕 | 小倉常雄（東芝） | |
| 〔副委員長〕 | 佐藤之彦（千葉大学） | |
| 〔幹 事〕 | 金井丈雄（東芝三菱電機産業システム），藤田英明（東京工業大学） | |
| 〔幹事補佐〕 | 吉本貫太郎（日産自動車），和田圭二（首都大学東京） | |
| 日 時 | 2010年11月29日（月） 10:00〜19:00 | |
| 2010年11月30日（火） 9:00〜17:00 | ||
| 場 所 | 北海道立道民活動センター（（札幌市中央区北2条西7丁目，•JR札幌駅：徒歩12分 •地下鉄さっぽろ駅（10番出口）：徒歩7分，大通駅（2番出口）：徒歩9分，西11丁目駅（4番出口）：徒歩10分 ，http://homepage.kaderu27.or.jp/intoro/access/index.html ）） | |
| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter IEEE Power Electronics Society Japan Chapter IEEE Industrial Electronics Society Japan Chapter | |
| 協 賛 | パワーデバイス性能改善・高機能化技術調査専門委員会（委員長 森 睦宏，幹事 岩室憲幸，寺島知秀，幹事補佐 白石正樹） | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス及び半導体電力変換一般」 | |
| 11月29日（月） 10:00〜11:00 | |
| EDD-10-083 SPC-10-140 |
瞬時実効値評価によるマトリックスコンバータの入力電流高調波を低減するＰＷＭ制御法 |
| ◎深川洋光,竹下隆晴（名古屋工業大学） | |
| EDD-10-084 SPC-10-141 |
三相4線式昇圧形マトリックスコンバータの制御法 |
| ◎前島剛志,山村直紀,石田宗秋（三重大学） | |
| EDD-10-085 SPC-10-142 |
三相4線式昇圧型マトリックスコンバータの制御法の改善 |
| ◎井上 晃,山村直紀,石田宗秋（三重大学） | |
| 11月29日（月） 11:10〜12:10 | |
| EDD-10-086 SPC-10-143 |
高周波PWMインバータにおけるフィードバック型デッドタイム補償法とその特性 |
| ◎小川将司,小笠原悟司,竹本真紹（北海道大学 ） | |
| EDD-10-087 SPC-10-144 |
高周波パワーデバイスを電力変換回路に用いた場合の回路パラメータ設計に関する基礎検討 |
| ◎渡邊健太,宮脇 慧,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-10-088 SPC-10-145 |
電流共振形ハーフブリッジコンバータの効率特性における最適設計法 |
| ◎宮脇 慧,伊東淳一（長岡技術科学大学）,岩谷一生（TDKラムダ） | |
| 11月29日（月） 13:00〜14:40 | |
| EDD-10-089 SPC-10-146 |
高性能DC-DCコンバータIC向け 0.13umプロセスによる低RonA 8VLDMOSの開発 |
| ○末代知子,佐藤久美子,安原紀夫,斉藤 浩,遠藤幸一,竹内文雄,山本真朗（東芝） | |
| EDD-10-090 SPC-10-147 |
〔欠番〕 |
| EDD-10-091 SPC-10-148 |
30Vゲート／80Vドレイン耐圧を有する双方向型MOSFETへのチャネルストッパーの適用効果 |
| ○藤井宏基,小松慎一,佐藤政春,市川俊彦（ルネサスエレクトロニクス） | |
| EDD-10-092 SPC-10-149 |
第２世代１チップリチウムイオン電池保護ＩＣ |
| ○澤田睦美（富士電機システムズ㈱）,荒井裕久,高橋英紀,北村明夫,多田 元,藤島直人（富士電機システムズ） | |
| EDD-10-093 SPC-10-150 |
横型ＳＯＩ高速ダイオードの逆回復動作におけるダイナミックアバランシェ現象の解析とその抑制構造の検討 |
| ◎山本貴生,加藤久登,戸倉規仁（デンソー）,中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| 11月29日（月） 15:00〜16:40 | |
| EDD-10-094 SPC-10-151 |
アノード構造を改良した高速・高破壊耐量ＳＯＩ横型ダイオードの開発 |
| ○鈴木隆司,木村大至（豊田中央研究所）,櫻井晋也,高橋茂樹,白木 聡,戸倉規仁（デンソー）,杉山隆英（豊田中央研究所） | |
| EDD-10-095 SPC-10-152 |
フィールドプレートの最適化によるField PMOSの電流能力向上 |
| ◎徳光成太,新田哲也,城本竜也,黒井 隆,畑迫健一,前川繁登（ルネサスエレクトロニクス） | |
| EDD-10-096 SPC-10-153 |
高電流駆動能力270Vマルチエミッタ横型IGBT |
| ○坂野順一,白川真司,原 賢志,矢吹 忍,和田真一郎,野口純司,和田雅行 （日立製作所） | |
| EDD-10-097 SPC-10-154 |
厚膜SOI基板上に形成した600V-LDMOSの高電圧配線技術 |
| ◎山路将晴,澄田仁志,上西顕寛,赤羽正志（富士電機システムズ） | |
| EDD-10-098 SPC-10-155 |
多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧P-Channel MOS |
| ◎吉野 学,清水和宏,寺島知秀（三菱電機） | |
| 11月29日（月） 16:40～16:50 中川 明夫氏 「IEEE William E. Newell Power Electronics Award」受賞紹介 | |
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11月29日（月） 17:00～19:00 「パネルディスカッション」 テーマ『パワーICの現状と今後』① 各社の高圧ICの取り組み ② SOI分離とｐｎ分離の、現状、５年後、１０年後のテリトリーと応用分野 パネラー：寺島 知秀 （三菱電機） 新田 哲也 （ルネサスエレクトロニクス） 澄田 仁志 （富士電機システムズ） 坂野 順一 （日立製作所） 司会 :森 睦宏 （日立製作所） |
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| 11月29日（月）19:15～21:00 懇親会 会場：KKRホテル札幌 会費：5,000円 http://www.kkr-hotel-sapporo.com/index.html |
| 11月30日（火） 9:00〜10:20 | |
| EDD-10-099 SPC-10-156 |
次世代IPM用600V低損失Micro-P構造IGBT |
| ○熊田恵志郎,百瀬雅之（富士電機システムズ）,脇本博樹（富士電機ホールディングス）,小野澤勇一,中森 昭,関川貴善,渡辺 学,山崎智幸,藤島直人（富士電機システムズ） | |
| EDD-10-100 SPC-10-157 |
DB (誘電体バリア) -IGBT構造によるキャリア注入の促進 |
| ○武井 学,内藤達也,河島朋之,下山和男,藤掛伸二,栗林 均（富士電機システムズ）,中澤治雄（富士電機ホールディングス） | |
| EDD-10-101 SPC-10-158 |
高耐圧領域でのワイドセルピッチLPT(II)-CSTBTTM(III)技術の有効性 |
| ○中村勝光,陳 則,貞松康史,大宅大介,寺島知秀（三菱電機株式会社） | |
| EDD-10-102 SPC-10-159 |
IGBTデバイスの電気特性解析用モデリング技術 |
| ◎池田晴信,山田昭治,藤島直人（富士電機システムズ） | |
| 11月30日（火） 10:40〜12:20 | |
| EDD-10-103 SPC-10-160 |
IGBTのUnclamped Inductive Switching状態時の素子内不均一動作の研究 |
| ◎水野義人,田上隆三,中垣真治,西脇克彦,味岡正樹（トヨタ自動車） | |
| EDD-10-104 SPC-10-161 |
ハイブリッド車用IGBTの宇宙線耐量 |
| ○西田秀一（トヨタ自動車）,庄司智幸（豊田中央研究所）,大西豊和,藤川東馬,野瀬 昇（トヨタ自動車）,石子雅康（豊田中央研究所）,濱田公守（トヨタ自動車） | |
| EDD-10-105 SPC-10-162 |
シリコンリセスを有するパワーデバイスの新規終端構造の検討 |
| ◎本田成人,楢崎敦司,藤井亮一,川上剛史,寺崎芳明（三菱電機） | |
| EDD-10-106 SPC-10-163 |
Relaxed Field of Cathode (RFC) Diode: 高破壊耐量を有する次世代HV Diode |
| ◎増岡史仁,中村勝光,西井昭人,貞松康史,寺島知秀（三菱電機株式会社） | |
| EDD-10-107 SPC-10-164 |
プロトンドナー型ブロードバッファダイオードの逆回復発振抑制効果 |
| ◎水島智教（富士電機システムズ）,根本道生（富士テクノサーベイ）,栗林秀直,吉村 尚（富士電機システムズ）,中澤治雄（富士電機ホールディングス） | |
| 11月30日（火） 13:20〜15:00 | |
| EDD-10-108 SPC-10-165 |
小型乗用車用新型パワーコントロールユニットの開発 |
| ◎八木英介,野澤成行,前川 剛,寺尾康宏,高野博之（トヨタ自動車） | |
| EDD-10-109 SPC-10-166 |
IGBTモジュールにおける大電流回路構成技術の開発 |
| 木戸和優,◎百瀬文彦,西村芳孝,後藤友彰（富士電機システムズ） | |
| EDD-10-110 SPC-10-167 |
トランスファーモールド型高信頼性大容量パワーモジュール T-PM |
| ○上田哲也（三菱電機）,吉松直樹,木本信義（福菱セミコンエンジニアリング）,中島 泰,菊池正雄,篠原利彰（三菱電機） | |
| EDD-10-111 SPC-10-168 |
バイポーラ トランジスタの動作モデルの再考察 |
| ○高田育紀（東京工業大学） | |
| EDD-10-112 SPC-10-169 |
40-60V車載向け多段イオン注入法によるNチャネルスーパージャンクションUMOSFETの開発 |
| ◎村川浩一,猪股久雄,川島義也,三浦喜直（ルネサスエレクトロニクス） | |
| 11月30日（火） 15:20〜17:00 | |
| EDD-10-113 SPC-10-170 |
高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響 |
| ○齋藤 渉,新田智洋,垣内頼人,齋藤泰伸,野田隆夫,藤本英俊,吉岡 啓,大野哲也（東芝） | |
| EDD-10-114 SPC-10-171 |
低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析 |
| ○藤原広和,小西正樹,大西豊和,中村剛志,濱田公守（トヨタ自動車株式会社）,勝野高志,渡辺行彦（㈱豊田中央研究所）,森野友生,山本武雄,遠藤 剛,山本敏雅,鶴田和弘,恩田正一（㈱デンソー） | |
| EDD-10-115 SPC-10-172 |
低抵抗4H-SiC単結晶の高品質化 |
| ○児島一聡,加藤智久,伊藤佐千子（(独）産業技術総合研究所）,小島 淳,廣瀬富佐雄,木藤泰男,山内庄一（株式会社デンソー）,西川恒一（株式会社豊田中央研究所）,安達 歩（トヨタ自動車株式会社） | |
| EDD-10-116 SPC-10-173 |
InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討 |
| ◎中道 聡,藤本宏海,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-10-117 SPC-10-174 |
ワイドバンドギャップパワーデバイスの高温動作に向けたパッケージを含むデバイス熱モデルの構築 |
| ◎大西亮太,舟木 剛（大阪大学） | |