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（水上保養所「紫明荘」） 3月1日（火） 14:00〜17:15 テーマ「グリーンＩＴにおける電子デバイス」 |
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座長 横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所）
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| EDD-11-035 |
単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価 |
| ○品田賢宏,堀 匡寛,平 圭吾,小松原彰（早稲田大学）,小野行徳（日本電信電話）,谷井孝至（早稲田大学）,遠藤哲郎（東北大学）,大泊 巌（早稲田大学） |
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| EDD-11-036 |
デュアルシリサイドを用いた低直列抵抗CMOSソース/ドレイン電極形成技術 |
| ◎黒田理人,田中宏明,中尾幸久,寺本章伸,宮本直人,須川成利,大見忠弘（東北大学） |
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| EDD-11-037 |
22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成 |
| ◎山口 直,川崎洋司,山下朋弘,山本芳樹,後藤洋太郎,土本淳一,工藤修一,前川和義,藤澤雅彦,浅井孝祐（ルネサスエレクトロニクス） |
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| EDD-11-038 |
GaN, SiCパワーデバイスの車載応用 |
| ○兼近将一,上杉 勉,加地 徹（豊田中央研究所） |
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| EDD-11-039 |
Alイオン注入4H-SiCプレーナ接合における最適ガードリング間隔に関する検討 |
| ○望月和浩,沖野泰之,亀代典史,横山夏樹（技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構，株式会社 日立製作所） |
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| EDD-11-040 |
Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池 |
| ○渡邉則之,横山春喜,重川直輝（日本電信電話）,杉田憲一,山本あき勇（福井大学） |
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| EDD-11-041 |
自己整合型ノーマリーオフGaN MISFET |
| ◎田口真也,長谷川一也,野本一貴,中村 徹（法政大学） |
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（水上保養所「紫明荘」） 3月2日（水） 8:30〜12:20 テーマ「グリーンＩＴにおける電子デバイス」 |
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座長 横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所）
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| EDD-11-042 |
L帯～W帯GaN高出力増幅器技術 |
| ○松永高治（日本電気） |
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| EDD-11-043 |
ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響 |
| ○脇 英司,深澤義道,伏見 浩（新日本無線）,江川孝志（名古屋工業大学） |
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| EDD-11-044 |
〔欠番〕 |
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| EDD-11-045 |
耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 |
| ◎梅田英和,鈴木朝実良,按田義治,石田昌宏,上田哲三（パナソニック株式会社）,田中 毅（パナソニック）,上田大助（パナソニック株式会社） |
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| EDD-11-046 |
４族系非シリコンFETの可能性と課題 －ゲルマニウムとグラフェンの場合 － |
| ○鳥海 明（東京大学） |
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| EDD-11-047 |
ＩｎＰ系ＨＥＭＴの低雑音化とミリ波応用 |
| ○原 直紀,高橋 剛,牧山剛三,中舍安宏（富士通、富士通研究所） |
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| EDD-11-048 |
縦型ＩｎＧａＡｓ ＭＩＳＦＥＴのソース寄生容量削減 |
| ◎松本 豊,齋藤尚史,宮本恭幸（東京工業大学） |
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| EDD-11-049 |
76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT |
| ○金谷 康,天清宗山,渡辺伸介,山本佳嗣,小坂尚希,宮國晋一,後藤清毅,島 顕洋（三菱電機） |
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