| 電子デバイス 半導体電力変換 |
合同研究会 |
| 〔委 員 長〕 | 四戸 孝（東芝） | |
| 〔副委員長〕 | 大見俊一郎（東京工業大学） | |
| 〔幹 事〕 | 清水達雄（東芝），豊田一彦（佐賀大学） | |
| 〔幹事補佐〕 | 後藤哲也（東北大学） | |
| 〔委 員 長〕 | 小倉常雄（東芝） | |
| 〔副委員長〕 | 佐藤之彦（千葉大学） | |
| 〔幹 事〕 | 金井丈雄（東芝三菱電機産業システム），和田圭二（首都大学東京） | |
| 〔幹事補佐〕 | 齋藤 真（芝浦工業大学），吉本貫太郎（日産自動車） | |
| 日 時 | 2011年10月27日（木） 9:00〜16:45 | |
| 2011年10月28日（金） 8:30〜16:45 | ||
| 場 所 | くにびきメッセ（（島根県松江市学園南一丁目2番1号，交通：JR松江駅より徒歩７分。詳細は次のURLをご参照ください。http://www.kunibikimesse.jp/index.html）） | |
| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter, IEEE Power Electronics Society Japan Chapter, IEEE Industrial Electronics Society Japan Chapter | |
| 協 賛 | パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会（委員長 寺島知秀，幹事 岩室憲幸，濱田公守，幹事補佐 新田哲也），パワーエレクトロニクスにおけるシステムインテグレーション技術調査専門委員会（委員長 伊東淳一，幹事 岩谷一生，和田圭二） | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス及びパワーエレクトロニクス・システムインテグレーション技術」 | |
| （601大会議室） 10月27日（木） 9:00〜10:40 | |
| EDD-11-050 SPC-11-142 |
分極接合を用いたGaNパワー素子 |
| ◎中島 昭（産業技術総合研究所）,住田行常,八木修一（パウデック）,Mahesh H.Dhyani（シェフィールド大学）,河合弘治（パウデック）,E. M. Sankara Narayanan（シェフィールド大学） | |
| EDD-11-051 SPC-11-143 |
Si基板上高破壊電圧ノーマリオフAlGaN/GaN hybrid MOS-HFET |
| ◎神林 宏,田村亮介,古川拓也,佐藤義浩,池田成明,野村剛彦,加藤禎宏（次世代パワーデバイス技術研究組合） | |
| EDD-11-052 SPC-11-144 |
高集積密度実装を志向したSiCモジュールの開発 |
| ○飯塚祐二,中村瑶子,日向裕一郎,梨子田典弘,堀尾真史,池田良成（富士電機） | |
| EDD-11-053 SPC-11-145 |
ダイオード逆回復サージ電圧の電流依存性に対するトラップ準位の影響 |
| ◎山下侑佑,町田 悟,杉山隆英（豊田中央研究所）,三角忠司（トヨタ自動車） | |
| EDD-11-054 SPC-11-146 |
RFC diodeの高リカバリー耐量化 逆回復動作におけるcurrent filament現象とその抑制 |
| ◎西井昭人,中村勝光,増岡史仁,寺島知秀（三菱電機） | |
| （601大会議室） 10月27日（木） 10:55〜12:10 | |
| EDD-11-055 SPC-11-147 |
パワーダイオードの等価回路モデルに関する一考察～SiC ショットキーバリアダイオードモデルと集中電荷法によるSi PiNダイオードモデル～ |
| 舟木 剛,◎平野真希子（大阪大学） | |
| EDD-11-056 SPC-11-148 |
ハーフブリッジ回路および回路構成要素のインピーダンス特性の実験的考察 |
| ◎井渕貴章,舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-11-057 SPC-11-149 |
燃料電池に接続した昇圧チョッパの駆動特性に関する一考察 |
| ◎平沼 聡,高柳朝裕,星 伸一,春名順之介（東京理科大学）,曹 梅芬（東京都立産業技術高等専門学校 ） | |
| （601大会議室） 10月27日（木） 13:10〜14:50 | |
| EDD-11-058 SPC-11-150 |
GaN-FETの高効率駆動技術とそのパワーコンバータへの適用 |
| ○山本真義,野崎 優（島根大学）,町田 修（サンケン電気株式会社） | |
| EDD-11-059 SPC-11-151 |
EDLCを用いたハイブリッド電源鉄道車両の制御面からみたDCリンクコンデンサ容量の決定法 |
| ○千葉 誠,近藤圭一郎（千葉大学） | |
| EDD-11-060 SPC-11-152 |
パワー密度25W/cm3級All-SiC三相インバータの設計と試作評価 |
| ○高尾和人,四戸 孝（FUPET, 東芝） | |
| EDD-11-061 SPC-11-153 |
SiCパワーデバイスを応用したモータドライブシステムの高性能化 |
| ◎高塚悠史,原 英則,相馬 朗,園田澄利（安川電機）,笹川 将,中村 孝（ローム） | |
| （601大会議室） 10月27日（木） 15:05〜16:45 | |
| EDD-11-062 SPC-11-154 |
マルチフェーズ方式トランスリンク形昇圧チョッパ回路の出力キャパシタ特性解析と実証的評価 |
| ◎中村祐太,川島崇宏,山本真義（島根大学） | |
| EDD-11-063 SPC-11-155 |
昇圧比変調効果を用いた結合形マルチフェーズ方式昇圧チョッパ回路の小型化 |
| ◎川島崇宏,山本真義（島根大学） | |
| EDD-11-064 SPC-11-156 |
高周波パワーデバイスを用いた電力変換回路のゲート電位変動に関する解析と抑制法 |
| ◎渡邊健太,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-11-065 SPC-11-157 |
太陽光発電系統連系用インバータにおけるマルチレベル変換器トポロジーの性能比較 |
| ◎樫原有吾,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| （601大会議室） 10月28日（金） 8:30〜9:45 | |
| EDD-11-066 SPC-11-158 |
PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討 |
| ◎川神圭一朗（九州工業大学）,附田正則（九州工業大学,国際アジア研究センター）,高濱健一,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-11-067 SPC-11-159 |
フルデジタル回路によるＩＧＢＴの高速短絡保護 |
| ◎谷村拓哉,湯浅一史,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-11-068 SPC-11-160 |
InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討 |
| ◎藤本宏海,中道 聡,大村一郎（九州工業大学） | |
| （601大会議室） 10月28日（金） 10:05〜11:45 | |
| EDD-11-069 SPC-11-161 |
高耐圧MOSFETのスイッチング損失－ノイズトレードオフ改善 |
| ○齋藤 渉,相田 聡,上月繁雄,泉沢 優（東芝） | |
| EDD-11-070 SPC-11-162 |
スーパージャンクションMOSFETのゲート制御性改善 |
| ◎入船裕行,大田浩史,角 保人,小野昇太郎,齋藤 渉,辻 正敬,小野寺純,松田 正,高野彰夫（東芝） | |
| EDD-11-071 SPC-11-163 |
トレンチフィリングによる600VクラススーパージャンクションMOSFETに対するバーティカルチャージインバランス効果 |
| ○玉城朋宏,中沢芳人,金井秀男,江口聡司（ルネサスエレクトロニクス株式会社） | |
| EDD-11-072 SPC-11-164 |
高速型２．５μｍ ＰＴＯｘ－ＴＭＯＳの開発とＯＮＯゲート絶縁膜の高電界特性 |
| ◎竹谷英一,荒川隆史,青木孝明,荻野誠裕（デンソー） | |
| EDD-11-073 SPC-11-165 |
ＤＩプロセスを用いたアナログスイッチＩＣ向け低オン抵抗小型ＭＯＳＦＥＴ |
| ○原 賢志,坂野順一,本多啓伸,相沢淳一,新井大夏（日立製作所） | |
| （601大会議室） 10月28日（金） 12:45〜13:45 | |
| EDD-11-074 SPC-11-166 |
グリーンIDC用電源向け800V-HVIC |
| ◎山路将晴,上西顕寛,赤羽正志,澄田仁志（富士電機） | |
| EDD-11-075 SPC-11-167 |
高温車載用ワイド耐圧SOI-BiCDMOS技術 |
| ○富田英幹,江口博臣,木島慎弥,本田憲弘,山田哲也,山脇秀夫,青木宏文,濱田公守（トヨタ自動車） | |
| EDD-11-076 SPC-11-168 |
７５０Ｖ ４．５Ａ 低オン電圧キャリア蓄積型Ｅ２ＬＩＧＢＴ（ＣＳ－Ｅ２ＬＩＧＢＴ） |
| ○高橋茂樹（デンソー）,中川明夫（中川コンサルティング事務所）,芦田洋一,白木 聡,戸倉規仁（デンソー） | |
| （601大会議室） 10月28日（金） 14:05〜15:25 | |
| EDD-11-077 SPC-11-169 |
ゼロ電流スイッチングにおけるIGBTの低損失化 |
| ◎下條亮平,小林政和,野崎秀樹,前田陽介,脇山成一郎,梅川真一（東芝） | |
| EDD-11-078 SPC-11-170 |
フローティングp層をゲートから分離した低損失、低ノイズ、高信頼な1.7kVトレンチIGBT |
| ◎渡邉 聡,森 睦宏,新井大夏,石橋亨介,豊田 靖,織田哲男,原田 卓,齊藤克明（日立製作所） | |
| EDD-11-079 SPC-11-171 |
キャリア・ライフタイム制御したIGBTの挙動と物理解析 |
| ○湊 忠玄（三菱電機）,田所千広（メルコセミコンダクタエンジニアリング）,金田 充（三菱電機）,高野和豊（メルコセミコンダクタエンジニアリング）,楠 茂（三菱電機）,八尋淳二（メルコセミコンダクタエンジニアリング）,幡手一成（三菱電機） | |
| EDD-11-080 SPC-11-172 |
ロックインサーモグラフィーによるＵＩＳ試験中のトレンチＩＧＢＴの電流分布解析 |
| ◎岩橋洋平,水野義人（トヨタ自動車）,RiccioMichele,IraceAndrea,BreglioGianluca,SpiritoPaolo,NapoliEttore（University of Naples Federico II） | |
| （601大会議室） 10月28日（金） 15:45〜16:45 | |
| EDD-11-081 SPC-11-173 |
極薄ウェハ技術を用いた600V級LPT構造CSTBTTM |
| ◎原口友樹,本田成人,中田和成,楢崎敦司,寺崎芳明（三菱電機） | |
| EDD-11-082 SPC-11-174 |
EV/HV電気回路シミュレーション用HiSIM-IGBTモデル開発 |
| ◎雫 奏（トヨタテクニカルディベロップメント）,植田賢志,広瀬益久（トヨタ自動車）,三宅正堯,Hans JuergenMattausch,UweFeldmann（広島大学） | |
| EDD-11-083 SPC-11-175 |
高温で広い安全動作領域を有するCSTBTTM(III)の開発 |
| ◎深田祐介,鈴木健司,高橋徹雄,原田辰雄,藤井秀紀,石澤慎一,山下潤一（三菱電機）,Donlon John F（Powerex）,寺島知秀（三菱電機） | |