(一碧荘) 3月7日(水) 14:00〜17:10 テーマ「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」 |
座長 横山春喜(NTTフォトニクス研究所)
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EDD-12-030 |
GaN増幅器の高効率・広帯域回路技術 |
○山中宏治,桑田英悟,大塚浩志,中山正敏,平野嘉仁(三菱電機) |
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EDD-12-031 |
小型GaN p+nダイオードのオン抵抗低減機構に関する考察 |
○望月和浩,寺野昭久(日立製作所),三島友義(日立電線),野本一貴,中村 徹(法政大学) |
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EDD-12-032 |
〔欠番〕 |
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EDD-12-033 |
低オン電圧動作GaN SBDへのCu2Oエッジ終端構造の適用 |
◎美濃浦優一,岡本直哉,金村雅仁,今田忠紘,多木俊裕,今西健治,渡部慶二,常信和清,吉川俊英(富士通研究所) |
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EDD-12-034 |
P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード |
◎柴田大輔,海原一裕,村田智洋,山田康博,森田竜夫,按田義治,石田昌宏,石田秀俊,上田哲三,田中 毅,上田大助(パナソニック) |
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EDD-12-035 |
GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード |
◎畠山義智,野本一貴(法政大学),金田直樹,河野敏弘,土屋忠厳,三島友義(日立電線),中村 徹(法政大学) |
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(一碧荘) 3月8日(木) 8:30〜12:00 テーマ「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」 |
座長 横山春喜(NTTフォトニクス研究所)
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EDD-12-036 |
ミリ波/テラヘルツCMOS回路とその応用 |
○藤島 実(広島大学) |
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EDD-12-037 |
Si基板上ノーマリオフAlGaN/GaNハイブリッドMOS-HFETの高耐圧化 |
○池田成明,田村亮祐,古川拓也,神林 宏,佐藤義浩,野村剛彦,加藤禎宏(次世代パワーデバイス技術研究組合) |
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EDD-12-038 |
原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製 |
◎宮崎英志,岸本 茂,水谷 孝(名古屋大学) |
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EDD-12-039 |
エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFET の高電流密度化 |
○宮本恭幸,米内 義晴,金澤 徹(東京工業大学) |
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EDD-12-040 |
Si基板上のIII-V族ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタ応用 |
◎冨岡克広(北海道大学、科学技術振興機構さきがけ),福井孝志(北海道大学) |
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EDD-12-041 |
MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
◎星 拓也,杉山弘樹,横山春喜,栗島賢二,井田 実(日本電信電話) |
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