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（一碧荘） 3月7日（水） 14:00〜17:10 テーマ「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」 |
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座長 横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所）
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| EDD-12-030 |
GaN増幅器の高効率・広帯域回路技術 |
| ○山中宏治,桑田英悟,大塚浩志,中山正敏,平野嘉仁（三菱電機） |
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| EDD-12-031 |
小型GaN p+nダイオードのオン抵抗低減機構に関する考察 |
| ○望月和浩,寺野昭久（日立製作所）,三島友義（日立電線）,野本一貴,中村 徹（法政大学） |
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| EDD-12-032 |
〔欠番〕 |
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| EDD-12-033 |
低オン電圧動作GaN SBDへのCu2Oエッジ終端構造の適用 |
| ◎美濃浦優一,岡本直哉,金村雅仁,今田忠紘,多木俊裕,今西健治,渡部慶二,常信和清,吉川俊英（富士通研究所） |
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| EDD-12-034 |
P型障壁制御層を有する低リーク電流ＧａＮマルチジャンクションダイオード |
| ◎柴田大輔,海原一裕,村田智洋,山田康博,森田竜夫,按田義治,石田昌宏,石田秀俊,上田哲三,田中 毅,上田大助（パナソニック） |
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| EDD-12-035 |
GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード |
| ◎畠山義智,野本一貴（法政大学）,金田直樹,河野敏弘,土屋忠厳,三島友義（日立電線）,中村 徹（法政大学） |
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（一碧荘） 3月8日（木） 8:30〜12:00 テーマ「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」 |
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座長 横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所）
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| EDD-12-036 |
ミリ波／テラヘルツCMOS回路とその応用 |
| ○藤島 実（広島大学） |
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| EDD-12-037 |
Si基板上ノーマリオフAlGaN/GaNハイブリッドMOS-HFETの高耐圧化 |
| ○池田成明,田村亮祐,古川拓也,神林 宏,佐藤義浩,野村剛彦,加藤禎宏（次世代パワーデバイス技術研究組合） |
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| EDD-12-038 |
原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製 |
| ◎宮崎英志,岸本 茂,水谷 孝（名古屋大学） |
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| EDD-12-039 |
エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFET の高電流密度化 |
| ○宮本恭幸,米内 義晴,金澤 徹（東京工業大学） |
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| EDD-12-040 |
Si基板上のIII-V族ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタ応用 |
| ◎冨岡克広（北海道大学、科学技術振興機構さきがけ）,福井孝志（北海道大学） |
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| EDD-12-041 |
MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| ◎星 拓也,杉山弘樹,横山春喜,栗島賢二,井田 実（日本電信電話） |
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