| 電子デバイス 半導体電力変換 |
合同研究会 |
| 〔委 員 長〕 | 大見俊一郎（東京工業大学） | |
| 〔副委員長〕 | 栗田泰市郎（日本放送協会） | |
| 〔幹 事〕 | 豊田一彦（佐賀大学），後藤哲也（東北大学） | |
| 〔幹事補佐〕 | 横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所） | |
| 〔委 員 長〕 | 佐藤之彦（千葉大学） | |
| 〔副委員長〕 | 金井丈雄（東芝三菱電機産業システム） | |
| 〔幹 事〕 | 和田圭二（首都大学東京） | |
| 〔幹事補佐〕 | 吉本貫太郎（日産自動車），齋藤 真（芝浦工業大学） | |
| 日 時 | 2012年10月25日（木） 9:00〜16:30 | |
| 2012年10月26日（金） 8:30〜17:05 | ||
| 場 所 | 浜松市地域情報センター（浜松市中区中央一丁目12-7，交通：遠州鉄道西鹿島線電車 「遠州病院前」下車徒歩2分。詳細は次のURLをご参照ください。http://www.city.hamamatsu.shizuoka.jp/maps/c-joho.htm） | |
| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter IEEE Power ElectronicsSociety Japan Chapter IEEE Industrial Electronics Society Japan Chapter |
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| 協 賛 | パワーデバイス・パワーＩＣ技術調査専門委員会（委員長 寺島知秀，幹事 濱田公守，九里伸治，幹事補佐 新田哲也） 新材料半導体パワーデバイスとその利用に関する技術協同研究委員会（委員長 舟木 剛，幹事 佐野憲一朗，関口秀紀） |
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| 議 題 | テーマ「パワーデバイスおよび新材料・高集積化パワーエレクトロニクス技術」 | |
| 10月25日（木） 9:00〜10:40 | |
| 座長 土田秀一（電力中央研究所） | |
| EDD-12-042 SPC-12-115 |
トレンチ底部が厚い酸化膜で形成された4H-SiCトレンチMOSFET |
| ○高谷秀史,森本 淳（トヨタ自動車）,山本敏雅,榊原 純（デンソー）,渡辺行彦,副島成雅（豊田中央研究所）,濱田公守（トヨタ自動車） | |
| EDD-12-043 SPC-12-116 |
高耐圧GaN-HEMTのスイッチング制御性 |
| ○齋藤 渉,齋藤泰伸,藤本英俊,吉岡 啓,大野哲也,仲 敏行,杉山 亨（東芝） | |
| EDD-12-044 SPC-12-117 |
高温・高周波駆動を実現するパッケージ技術を適用したAll-SiCモジュールの開発 |
| ◎中村瑶子,堀尾真史,梨子田典弘,池田良成（富士電機） | |
| EDD-12-045 SPC-12-118 |
４．５ｋＶ－４００Ａ Ｓｉ－ＩＥＧＴ＋ＳｉＣ－ＰｉＮダイオードハイブリッドペアモジュールによる高電圧大電力変換器の４ｋＨｚスイッチング動作の実証 |
| ○高尾和人,太田千春,四戸 孝（東芝）,和田圭二（首都大学東京）,成 慶珉（茨城高専）,松岡祐司,金井丈雄（東芝三菱電機産業システム）,田中保宣,西澤伸一,大橋弘通（産業技術総合研究所） | |
| EDD-12-046 SPC-12-119 |
統合シミュレーションを用いた1.2 kV-300 A SiCモジュールの開発 |
| ◎菊地拓雄,高尾和人,四戸 孝（東芝） | |
| 10月25日（木） 10:55〜11:55 | |
| 座長 白木 聡（デンソー） | |
| EDD-12-047 SPC-12-120 |
高電圧ICプロセスにおける中空を有するトレンチ分離の効用 |
| ◎大西一真,大津良孝,宮島貴司,森井勝巳（ルネサスセミコンダクタエンジニアリング）,新田哲也,吉久康樹,城本竜也（ルネサスエレクトロニクス）,古谷啓一（ルネサスセミコンダクタエンジニアリング）,畑迫健一,一法師隆志（ルネサスエレクトロニクス）,清水雅裕（ルネサスセミコンダクタエンジニアリング） | |
| EDD-12-048 SPC-12-121 |
電源システム小型化に寄与する電流共振型600VパワーマネジメントIC |
| ◎山路将晴,上西顕寛,澄田仁志（富士電機） | |
| EDD-12-049 SPC-12-122 |
0.35µmルールを用いた700VクラスAC/DC電源IC用パワーIC技術 |
| ○斉藤 俊,狩野太一,佐々木修,山路将晴,澄田仁志（富士電機） | |
| 10月25日（木） 12:55〜13:35 テーマ「特別講演」 | |
| 座長 小倉常雄（東芝） | |
| EDD-12-050 SPC-12-123 |
モータドライブとパワーコンバータの高出力密度化に関する取り組み |
| ○野口季彦（静岡大学） | |
| 10月25日（木） 13:35〜14:35 | |
| 座長 小倉常雄（東芝） | |
| EDD-12-051 SPC-12-124 |
GaN FETを用いたPFCコンバータの高効率化の検討 |
| ◎金崎正樹,芳賀 仁,近藤正示（長岡技術科学大学） | |
| EDD-12-052 SPC-12-125 |
〔欠番〕 |
| EDD-12-053 SPC-12-126 |
ワイドバンドギャップデバイスを用いたモータドライブ用PWMインバータの基礎検討 |
| ◎荒木隆宏,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| 10月25日（木） 14:50〜16:30 | |
| 座長 舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-12-054 SPC-12-127 |
マトリックスコンバータの入力電流ひずみ低減のための空間ベクトル変調法に関する一考察 |
| ◎吉村仁志,春名順之介,星 伸一（東京理科大学） | |
| EDD-12-055 SPC-12-128 |
三相PWMインバータのスイッチング周波数限界設計 |
| ◎田栗賢人,和田圭二（首都大学東京） | |
| EDD-12-056 SPC-12-129 |
誤点弧のメカニズムに関する一考察 |
| ◎西垣彰紘,梅上大勝,服部文哉,山本真義（島根大学） | |
| EDD-12-057 SPC-12-130 |
高速スイッチング回路を対象にしたラミネートバスバーの共振解析 |
| ◎日野晃裕,和田圭二（首都大学東京） | |
| EDD-12-058 SPC-12-131 |
銅損と鉄損に着目したインダクタの最適設計に関する考察 |
| ◎江守教人,清水敏久,備前良雄（首都大学東京） | |
| 10月26日（金） 8:30〜9:50 | |
| 座長 池田成明（古河電気工業） | |
| EDD-12-059 SPC-12-132 |
ノーマリーオン型GaN HEMTとノーマリーオフ型Si MOSFET＋GaN HEMTカスコードデバイスのスイッチング特性評価 |
| 舟木 剛,◎池村和哉（大阪大学） | |
| EDD-12-060 SPC-12-133 |
SiCショットキーバリアダイオードの等価回路モデルに関する実験的考察 |
| ◎平野真希子,舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-12-061 SPC-12-134 |
ダイヤモンド薄膜を絶縁膜として用いた パワーSoC用SOI基板のシミュレーションによる検討 |
| ◎児玉拓也,松本 聡（九州工業大学）,西澤伸一（産業技術総合研究所） | |
| EDD-12-062 SPC-12-135 |
〔欠番〕 |
| 10月26日（金） 10:05〜11:25 | |
| 座長 中尾一成（福井工業大学） | |
| EDD-12-063 SPC-12-136 |
新制御方式を用いた三相電力変換システムの動作検証 |
| ◎金澤康樹,河野研太,山本真義（島根大学） | |
| EDD-12-064 SPC-12-137 |
エネルギーハーベスティング用極低電圧入力昇圧コンバータ |
| ◎辻 拓朗,日高 彬,鹿嶋祐太朗,松本 聡（九州工業大学） | |
| EDD-12-065 SPC-12-138 |
１チップＰＯＬの並列接続の検討 |
| ◎力武純吾,松本 聡（九州工業大学）,安部征哉（国際東アジア研究センター）,二宮 保（長崎大学） | |
| EDD-12-066 SPC-12-139 |
パレートフロントカーブを用いた5レベルトポロジーの性能比較 |
| ◎樫原有吾,伊東淳一（長岡技術科学大学）,森田一徳,宗島正和,小倉和也（株式会社 明電舎） | |
| 10月26日（金） 12:55〜13:55 | |
| 座長 九里伸治（新電元工業） | |
| EDD-12-067 SPC-12-140 |
自動車電装用UMOSパワーＩＣの高いドレイン電圧での熱暴走抑制 |
| ○加藤浩朗,工藤弘儀,福井勇貴,打矢 聡（ルネサスエレクトロニクス） | |
| EDD-12-068 SPC-12-141 |
縦型Resurf構造を用いた超低オン抵抗 18V耐圧 NチャネルUMOSFET |
| ○小林研也,山口拓也,徳田 悟,坪井眞三,二宮 仁（ルネサスエレクトロニクス） | |
| EDD-12-069 SPC-12-142 |
MOSFETのUIS時におけるBVDSS発振現象の動作解析 |
| ◎曽根田真也,楢崎敦司,城戸成範,深田祐介,寺島知秀（三菱電機株式会社） | |
| 10月26日（金） 14:10〜15:30 | |
| 座長 山崎みや（オリジン電気） | |
| EDD-12-070 SPC-12-143 |
低損失、低サージ電圧にむけたダイオードの電子およびホール欠陥の研究 |
| 亀山 悟,原 雅史（トヨタ自動車株式会社）,久保友裕,平原文雄（株式会社東芝）,◎海老根淳平,村上浩一（トヨタテクニカルディベロップメント株式会社） | |
| EDD-12-071 SPC-12-144 |
非対称pin+ダイオードの意義 -シリコンIGBT限界に関する考察- |
| ○高田育紀（東京工業大学） | |
| EDD-12-072 SPC-12-145 |
RFC diodeのキャリアプラズマ形成動作メカニズムと600～1700 Vクラスでの有効性実証 |
| ◎増岡史仁,中村勝光,西井昭人,寺島知秀（三菱電機(株)パワーデバイス製作所） | |
| EDD-12-073 SPC-12-146 |
4.5kVマルチチップレベルシフト回路内蔵高出力IGBT駆動用ドライバ回路 |
| ○櫻井直樹,高見和久,行武正剛,河野恭彦,坂野順一（日立製作所） | |
| 10月26日（金） 15:45〜17:05 | |
| 座長 白石正樹（日立製作所） | |
| EDD-12-074 SPC-12-147 |
UIS試験中のＩＧＢＴの電流分布解析 |
| ◎岩橋洋平,水野義人（トヨタ自動車）,石垣将紀（豊田中央研究所） | |
| EDD-12-075 SPC-12-148 |
低注入ＰエミッタＩＧＢＴにおけるテール電流の解析 |
| ◎小林勇介（富士電機）,中川明夫（中川コンサルティング事務所）,武井 学,大西泰彦,藤島直人（富士電機） | |
| EDD-12-076 SPC-12-149 |
マルチレベル電力変換器用1700V 逆阻止IGBT |
| ○魯 鴻飛,荻野正明,中澤治雄,高橋良和（富士電機） | |
| EDD-12-077 SPC-12-150 |
High VoltageアプリケーションへのLPT(II)-CSTBT(III)技術のチャレンジ~ 新規エッジターミネーション設計による高ターンオフ耐量化 ~ |
| 陳 則,○中村勝光,寺島知秀（三菱電機） | |