(東京工業大学大岡山キャンパスロイアルブルーホール) 10月22日(月) 13:30〜14:50 テーマ「パワー半導体光源とその応用技術1」 |
座長 中野義昭(東京大学)
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OQD-12-040 |
高出力狭スペクトル線幅DFB レーザアレイ集積型波長可変光源 |
○木本竜也,小林 剛,向原智一,黒部立郎,屋冨祖良貴,齋藤祐介,有賀麻衣子,菅谷俊雄,木村俊雄(古河電気工業) |
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OQD-12-041 |
高出力1.5μm帯レーザダイオード |
○山田 仁,松下規由起(デンソー) |
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OQD-12-042 |
光増幅器を用いた小型レーザレーダの開発 |
○井上大介,市川 正,松原弘幸,各務 学(豊田中央研究所) |
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OQD-12-043 |
VCSELの高出力化最新動向 |
○宮本智之(東京工業大学) |
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(東京工業大学大岡山キャンパスロイアルブルーホール) 10月22日(月) 15:10〜16:30 テーマ「パワー半導体光源とその応用技術2」 |
座長 中野義昭(東京大学)
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OQD-12-044 |
近赤外横シングルモード半導体レーザの高温における電気-光変換効率の改善 |
○八木哲哉,丸山拓人,楠 政諭,島田尚往,宮下宗治(三菱電機) |
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OQD-12-045 |
照明用途の高出力m-GaN基板上InGaN-LED |
○横川俊哉,加藤 亮,井上 彰,山田篤志(パナソニック) |
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OQD-12-046 |
半極性{20-21}面GaN基板上高出力純緑色レーザの開発 |
片山浩二(住友電気工業),○嵯峨宣弘(住友電気工業(株)) |
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OQD-12-047 |
AlGaN系深紫外LEDの進展 |
○平山秀樹(理化学研究所) |
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