| 電子デバイス研究会 |
| 〔委 員 長〕 | 大見俊一郎（東京工業大学） | |
| 〔副委員長〕 | 栗田泰市郎（日本放送協会放送技術研究所） | |
| 〔幹 事〕 | 豊田一彦（佐賀大学）、後藤哲也（東北大学） | |
| 〔幹事補佐〕 | 横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所） | |
| 日 時 | 2013年3月7日（木） 14:00〜16:55 | |
| 2013年3月8日（金） 9:00〜12:10 | ||
| 場 所 | アピカルイン京都（京都府京都市左京区松ヶ崎小竹薮町3-3。交通アクセスについて詳細は次のURLをご参照ください。http://www.apical-inn-kyoto.com/access/index.html） | |
| 協 賛 | クラウド時代のユビキタス電子デバイス調査専門委員会（委員長 田中愼一，幹事 石田秀俊，横山春喜，幹事補佐 前多 正） | |
| 議 題 | テーマ「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」 | |
| （アピカルイン京都） 3月7日（木） 14:00〜16:55 テーマ「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」 | |
| 座長 横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所） | |
| はじめに 委員長 田中 愼一 | |
| EDD-13-034 | カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ集積回路の作製と特性評価（※） |
| ○水谷 孝,岸本 茂（名古屋大学） | |
| EDD-13-035 | CNTチャネル上金属被膜によるCNTFETの電気特性制御（※※※） |
| ○石井 聡,玉置聖人,岸本 茂,水谷 孝（名古屋大学） | |
| EDD-13-036 | GaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFET（※※） |
| ○宮本恭幸,藤松基彦（東京工業大学） | |
| EDD-13-037 | 〔欠番〕 |
| EDD-13-038 | 高速InP-IC向け基板貫通ヴィア形成プロセス技術（※※※） |
| ◎堤 卓也,栗島賢二,武藤美和,綱島 聡,松崎秀昭（日本電信電話） | |
| EDD-13-039 | 梁構造を用いたGe導波路のバンドギャップの動的制御（※※※） |
| ◎平勢理士,NguyenMai Luan,和田一実（東京大学）,福田 浩（日本電信電話(株)） | |
| （アピカルイン京都） 3月8日（金） 9:00〜12:10 テーマ「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」 | |
| 座長 横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所） | |
| EDD-13-040 | マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路（※※） |
| ○永井秀一,根来 昇,福田健志,河井康史,上田哲三,大塚信之,上田大助（パナソニック） | |
| EDD-13-041 | MHz帯アクティブロードプル評価に基づくトランジスタ高効率動作のための最適高調波負荷特性推定（※※） |
| ○石川 亮,高山洋一郎,本城和彦（電気通信大学） | |
| EDD-13-042 | 〔欠番〕 |
| 招待講演 |
層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発 |
| 小林康之、熊倉一英、赤坂哲也、山本秀樹、牧本俊樹（NTT物性基礎研究所） | |
| EDD-13-043 | Si基板上のAlGaN/GaN HEMT技術（※※） |
| ○分島彰男,江川孝志（名古屋工業大学） | |
| EDD-13-044 | ALDにより成膜したAl2O3を用いたMIS構造GaNデバイスの電気特性（※※※） |
| ○久保俊晴,フリーズマンジョセフ,岩田康宏,江川孝志（名古屋工業大学） | |
|
◎講演時間 １件当たり |
特別講演（※）：60分（質疑応答5分を含む） |
| 招待講演（※※）：40分（質疑応答5分を含む） | |
| 一般講演（※※※）：20分（質疑応答5分を含む） | |
| ※7日（木）の研究会終了後、懇親会を開催いたします。奮ってご参加下さい。 | |
| ※問い合わせ先 | 横山 春喜（NTTフォトニクス研究所） |
| （e-mail:yokoyama.haruki@lab.ntt.co.jp Tel:046-240-2911 Fax:046-240-2872） | |