| 電子デバイス 半導体電力変換 |
合同研究会 |
| 〔委 員 長〕 | 大見俊一郎（東京工業大学） | |
| 〔副委員長〕 | 栗田泰市郎（日本放送協会） | |
| 〔幹 事〕 | 後藤哲也（東北大学），横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所） | |
| 〔委 員 長〕 | 佐藤之彦（千葉大学） | |
| 〔副委員長〕 | 金井丈雄（東芝三菱電機産業システム） | |
| 〔幹 事〕 | 和田圭二（首都大学東京） | |
| 〔幹事補佐〕 | 齋藤 真（芝浦工業大学），吉本貫太郎（日産自動車） | |
| 日 時 | 2013年10月21日（月） 9:10〜16:30 | |
| 2013年10月22日（火） 8:30〜17:20 | ||
| 場 所 | 大阪大学 銀杏会館（大阪府）（大阪府吹田市山田丘 吹田キャンパス、交通：阪急電車千里線 北千里駅（終点）下車など。詳細は次のURLをご参照ください。http://www.osaka-u.ac.jp/ja/access/） | |
| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter（IAS） IEEE Industrial Electronics Society Japan Chapter（IES） IEEE Power Electronics Society Japan Chapter（PELS） |
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| 協 賛 | パワーデバイス・パワーＩＣ技術調査専門委員会（委員長 寺島知秀，幹事 九里伸治，濱田公守，幹事補佐 新田哲也）新材料半導体パワーデバイスとその利用に関する技術協同研究委員会（委員長 舟木 剛，幹事 佐野憲一朗，関口秀紀）機械技術と融合・進化するパワーエレクトロニクスシステムインテグレーション技術調査専門委員会（委員長 中尾一成，幹事 三野和明，椋木康滋，幹事補佐 和田圭二） | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 | |
| 10月21日（月） 9:10〜10:10 | |
| 座長 坂野順一（日立製作所） | |
| EDD-13-045 SPC-13-107 |
〔欠番〕 |
| EDD-13-046 SPC-13-108 |
キャリア注入制御技術の開発によるPNM-IGBTの高速スイッチング化 |
| ◎坂根宏樹,住友正清,荒川和樹,樋口安史,浅井淳一（デンソー） | |
| EDD-13-047 SPC-13-109 |
1200V系IGBTの高速化に向けたキャリア制御法の検討 |
| ◎下條亮平,小倉常雄,三須伸一郎,中村和敏,安原紀夫,高野彰夫（東芝 セミコンダクター＆ストレージ社） | |
| EDD-13-048 SPC-13-110 |
MOSFETモードIGBTにおける負荷短絡時の電流集中 |
| ○中川明夫（中川コンサルティング事務所）,田中雅浩（日本シノプシス） | |
| 10月21日（月） 10:25〜11:45 | |
| 座長 寺島知秀（三菱電機） | |
| EDD-13-049 SPC-13-111 |
高信頼接合技術の車載用直接水冷パワーモジュールへの適用 |
| 両角 朗,◎玉井雄大,西村芳孝,望月英司,高橋良和（富士電機） | |
| EDD-13-050 SPC-13-112 |
車載向けTO252パッケージ(DPAK+)開発 |
| ◎加藤俊亮,福原泰三,吉原重美,服部 聡,大藏厳太郎,川口雄介,高野彰夫（東芝セミコンダクター＆ストレージ社） | |
| EDD-13-051 SPC-13-113 |
大電流・高周波での平面型インダクタ損失評価・解析 |
| ◎利行 健（トヨタ自動車）,塩崎宏司（トヨタ北米先端研究所）,XuDi,NgoKhai（バージニア工科大学） | |
| EDD-13-052 SPC-13-114 |
金属-半導体接触理論の疑問と新たな考察 |
| ○高田育紀（東京工業大学） | |
| 10月21日（月） 12:55〜13:35 テーマ「特別講演」 | |
| 座長 小倉常雄（東芝） | |
| EDD-13-053 SPC-13-115 |
SiCパワーデバイスの高速・高周波スイッチングにむけた電力変換回路の課題 |
| ○舟木 剛（大阪大学） | |
| 10月21日（月） 13:35〜14:35 | |
| 座長 小倉常雄（東芝） | |
| EDD-13-054 SPC-13-116 |
SiC-MOSFET/SBDモジュールを用いた750 V, 100 kW, 20 kHz双方向絶縁形DC/DCコンバータ |
| ◎山岸達也,赤木泰文（東京工業大学）,木ノ内伸一,宮崎祐二（三菱電気株式会社） | |
| EDD-13-055 SPC-13-117 |
GaN-FETを用いたPWMインバータのEMCフィルタに関する実験検証 |
| ◎荒木隆宏,折川幸司,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-13-056 SPC-13-118 |
双方向AC/DCコンバータの出力電圧リプル抑制PWM制御法を用いた充放電動作 |
| ◎藤島優也,北川 亘,竹下隆晴（名古屋工業大学） | |
| 10月21日（月） 14:50〜16:30 | |
| 座長 中尾一成（福井工業大学） | |
| EDD-13-057 SPC-13-119 |
プリント基板上のDCバス構造による寄生インダクタンスの差異の考察 |
| ◎提橋郁人,日下佳祐,折川幸司,伊東淳一（長岡技術科学大学）,門馬彰夫（日本航空電子工業株式会社） | |
| EDD-13-058 SPC-13-120 |
ゲートドライブ補助回路によるMOSFETの高効率高速スイッチング法 |
| ◎村田宗洋（静岡大学大学院）,野口季彦（静岡大学） | |
| EDD-13-059 SPC-13-121 |
デバイスのリンギング周波数と伝導ノイズに関する一考察 |
| ◎金澤康樹,石原將貴,侯 虎翼,七森公碩,西垣彰紘,吉田 尭,山本真義（島根大学） | |
| EDD-13-060 SPC-13-122 |
高圧電力変換回路を対象とした高速スイッチング試験装置の検討 |
| ◎飯田岳秋,和田圭二（首都大学東京） | |
| EDD-13-061 SPC-13-123 |
クォターニオンによるマトリクスコンバータの解析 |
| ○中村一男（九州大学応用力学研究所）,藤田広樹（九州大学総合理工学府）,劉 暁龍（中国西南物理研究所）,薛 二兵（中国華東理工大学）,御手洗修（東海大学熊本キャンパス）,長谷川真,徳永和俊,荒木邦明,図子秀樹,花田和明,藤澤彰英,松岡啓介,出射 浩,永島芳彦,川崎昌二（九州大学応用力学研究所） | |
| 10月22日（火） 8:30〜9:50 | |
| 座長 松本 聡（九州工業大学） | |
| EDD-13-062 SPC-13-124 |
ＳＯＩパワーＭＯＳＦＥＴの高温動作特性 |
| ◎石橋 翼（九州工業大学大学院）,松本 聡（九州工業大学） | |
| EDD-13-063 SPC-13-125 |
IGBTの帰還容量特性に基づく短絡保護回路 |
| ◎岡本昌二,冨永真志,西村 正,藤田英明,赤木泰文（東京工業大学）,堀口剛司,木ノ内伸一,大井健史（三菱電機） | |
| EDD-13-064 SPC-13-126 |
マイクロフィルムセンサを用いた電流集中現象の画像化 |
| ◎松下幸平,白土博章,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-13-065 SPC-13-127 |
リアルタイムモニタリング機能を持ったゲート駆動システムの構築 |
| ◎濱田航太,吉田秀太郎,大村一郎（九州工業大学） | |
| 10月22日（火） 10:05〜11:25 | |
| 座長 和田圭二（首都大学東京） | |
| EDD-13-066 SPC-13-128 |
S相接地系統用ソーラーパワーコンディショナの動作特性 |
| ◎安間良祐,藤田英明（東京工業大学） | |
| EDD-13-067 SPC-13-129 |
一般化されたマルチレベル方式を用いたマルチレベルトポロジーに発生する損失の一般化に関する一考察 |
| ◎樫原有吾,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-13-068 SPC-13-130 |
電圧センスによる１チップPOLの制御方法の検討 |
| ◎日高 彬（九州工業大学大学院）,松本 聡（九州工業大学）,安部征哉（国際東アジア研究センター） | |
| EDD-13-069 SPC-13-131 |
回路シミュレータを用いた誤点弧メカニズムの一検討 |
| ◎西垣彰紘,石原將貴,侯 虎翼,七森公碩,吉田 尭,金澤康樹,梅上大勝,服部文哉,山本真義（島根大学） | |
| 10月22日（火） 12:50〜13:50 | |
| 座長 土田秀一（電力中央研究所） | |
| EDD-13-070 SPC-13-132 |
4H-SiCのn型MOSキャパシタの空乏モードTDDB |
| ◎渡辺友勝,日野史郎,海老池勇史,三浦成久,今泉昌之,山川 聡（三菱電機） | |
| EDD-13-071 SPC-13-133 |
高耐圧IGBT向け低ノイズ駆動ゲートドライバの開発 |
| ◎恩田航平,紺野哲豊,坂野順一（日立製作所 日立研究所） | |
| EDD-13-072 SPC-13-134 |
大面積SiC-MOSFETのスイッチング動作におけるチップ内アンバランスの解析 |
| ◎日野史郎,伊藤正尚,三浦成久,今泉昌之,山川 聡（三菱電機） | |
| 10月22日（火） 14:05〜15:25 | |
| 座長 稲田正樹（日本インター） | |
| EDD-13-073 SPC-13-135 |
縦型トレンチMOSFETを搭載した60Vクラス車載用パワーIC技術 |
| ○豊田善昭,片倉英明,大江崇智,岩谷将伸,澄田仁志（富士電機） | |
| EDD-13-074 SPC-13-136 |
1200V級HVIC搭載 基板リーク改善高耐圧P-channel MOS |
| ◎吉野 学,清水和宏（三菱電機） | |
| EDD-13-075 SPC-13-137 |
30-40V 超低オン抵抗スーパージャンクションUMOSFETにおけるリバースリカバリ特性の改善 |
| ◎大久保寿紀,小林研也,南 忠生,坪井眞三,二宮 仁（ルネサスエレクトロニクス） | |
| EDD-13-076 SPC-13-138 |
トレンチ埋め込みエピ方式のSuper Junction MOSFETの結晶欠陥低減と特性改善 |
| ◎利田祐麻,赤木 望,江口浩次,小田洋平,山本 剛（デンソー） | |
| 10月22日（火） 15:40〜17:20 | |
| 座長 山崎みや（オリジン電気） | |
| EDD-13-077 SPC-13-139 |
UIS状態における高耐量トレンチIGBTの検討 |
| ◎佐藤友彦,岩橋洋平,馬場浩佐,堀田幸司（トヨタ自動車） | |
| EDD-13-078 SPC-13-140 |
出力抵抗可変ゲートドライバを用いた、並列接続IGBTにおける電流バランス制御 |
| ○佐々木雅浩（富士電機）,ショーテンアンドリュ,イングウェイタン（トロント大学）,西尾春彦（富士電機） | |
| EDD-13-079 SPC-13-141 |
低注入アノード、高キャリアライフタイムをもつ1200V SC(Schottky Controlled Injection)ダイオードの開発 |
| ○末代知子,小倉常雄,押野雄一,内城竜生（東芝 セミコンダクター&ストレージ社）,小林太一（東芝インフォメーションシステムズ）,中村和敏（東芝 セミコンダクター&ストレージ社） | |
| EDD-13-080 SPC-13-142 |
トポロジー最適化を用いたパワーデバイスの新設計手法 |
| ◎野村勝也,近藤継男,石川 剛,川本敦史,松森唯益,山下侑佑,杉山隆英,西部祐司（豊田中央研究所） | |
| EDD-13-081 SPC-13-143 |
パワーエレクトロニクス機器の大規模解析に向けた高速・高精度デバイスモデルの検討 |
| ◎原 翔一,嶺岸 瞳,崎山一幸,山田 徹（パナソニック） | |
| ※ | 1件当り20分(質疑応答5分を含む) |
| ※ | <パネルディスカッション> 10月21日(月) 16:45～18:15 「高電流密度、高温、対P/C、対H/C、に向けての次世代実装技術」 <懇親会> 10月21日(月) 18:30～20:30 銀杏会館 レストラン「ミネルバ」 |