電子デバイス研究会

	〔委 員 長〕	大見俊一郎（東京工業大学）
	〔副委員長〕	栗田泰市郎（日本放送協会）
	〔幹　　事〕	後藤哲也（東北大学），横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所）
	〔幹事補佐〕	辻　博史（日本放送協会）
日　時	2014年3月13日（木）　14:00〜17:35
	2014年3月14日（金）　9:00〜11:30
場　所	絹の渓谷　碧流（栃木県日光市藤原19-25，交通：東武鉄道鬼怒川線で鬼怒川公園駅下車、徒歩5分。詳細は次のURLをご参照ください。http://www.hoyojo.nttkikinkenpo.or.jp/hekiryusou/?category_name=access）
協　賛	ナノエレクトロニクス集積化・応用技術調査専門委員会（委員長　昌原明植，幹事　内田　建，木下敦寛，幹事補佐　田中　徹）
議　題	テーマ「次世代化合物電子デバイスとその応用」

 

（絹の渓谷　碧流）　3月13日（木）　14:00〜17:35　テーマ「次世代化合物電子デバイスとその応用」
座長　柏尾典秀（日本電信電話）
EDD-14-039	SiCパワーデバイスの性能改善状況と解決すべき課題
	○寺島知秀（三菱電機）
EDD-14-040	GaNパワーデバイスの最近の開発状況と課題
	○加地　徹（豊田中央研究所）
EDD-14-041	GaNパワー素子のための絶縁膜界面制御
	○橋詰　保,谷田部然治,佐藤威友（北海道大学）
EDD-14-042	MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFET
	○入沢寿史,小田　穣,池田圭司,守山佳彦,三枝栄子,ジェバスワンウィパコーン,前田辰郎（産業技術総合研究所）,市川　麿,長田剛規,秦　雅彦（住友化学）,宮本恭幸（東京工業大学）,手塚　勉（産業技術総合研究所）
EDD-14-043	ダイオード・フォトミキサと高速電子輸送
	○石橋忠夫,村本 好史,吉松俊英（日本電信電話株式会社）,伊藤　弘（北里大学）

（絹の渓谷　碧流）　3月14日（金）　9:00〜11:30　テーマ「次世代化合物電子デバイスとその応用」
座長　柏尾典秀（日本電信電話）
EDD-14-044	無線電力伝送とGaN電子デバイス
	○大野泰夫（eデバイス）
EDD-14-045	フロントビア構造を有する微細太陽電池素子を用いた集光型太陽電池
	○伊藤彰宏,浅野哲也,井上大二朗,荒瀬秀和,松下明生,林　伸彦,中川　徹,藤井映志,上田大助,按田義治,石田秀俊,上田哲三（パナソニック）,FidanerOnur,WiemerMichael（Solar Junction Corporation）
EDD-14-046	InP-ICサブミリ波帯動作に向けたウェハレベル裏面加工技術
	◎堤　卓也,小杉敏彦,松崎秀昭（日本電信電話）
EDD-14-047	Si基板上に作製したGaN-HEMTカスコードデバイスの動特性解析
	廣瀬達哉,今井三貴,◎今田忠紘,常信和清,渡部慶二（富士通研究所）,荻野　力,宮崎靖守,庄野　健,細田　勉,浅井祥守（トランスフォーム・ジャパン）
EDD-14-048	金属ゲートイオン注入GaN MISFET
	◎小川弘貴,葛西　駿,伊藤駿一,木村　純（法政大学）,土屋朋信（日立製作所）,三島友義,中村　徹（法政大学）
EDD-14-049	MOCVD成長InP系HBTにおけるGaAsSbベース-InPエミッタ界面へのGaAsスペーサ挿入効果
	◎星　拓也,柏尾典秀,杉山弘樹,横山春喜,栗島賢二,井田　実,松崎秀昭,神徳正樹（日本電信電話）