| 電子デバイス 半導体電力変換 |
合同研究会 |
| 〔委 員 長〕 | 栗田泰市郎（日本放送協会） | |
| 〔副委員長〕 | 宮本恭幸（東京工業大学） | |
| 〔幹 事〕 | 辻 博史（日本放送協会），横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所） | |
| 〔委 員 長〕 | 佐藤之彦（千葉大学） | |
| 〔副委員長〕 | 金井丈雄（東芝三菱電機産業システム） | |
| 〔幹 事〕 | 和田圭二（首都大学東京） | |
| 〔幹事補佐〕 | 齋藤 真（芝浦工業大学），吉本貫太郎（日産自動車） | |
| 日 時 | 2014年10月30日（木） 10:10〜17:10 | |
| 2014年10月31日（金） 9:00〜16:00 | ||
| 場 所 | 産業技術総合研究所 TIAナノ連携棟 | |
| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter（IAS） IEEE Industrial Electronics Society Japan Chapter（IES） IEEE Power Electronics Society Japan Chapter（PELS） | |
| 協 賛 | シリコンならびに新材料パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会（委員長 岩室憲幸，幹事 九里伸治，齋藤 渉），機械技術と融合・進化するパワーエレクトロニクスシステムインテグレーション技術調査専門委員会（委員長 中尾一成，幹事 三野和明，椋木康滋，幹事補佐 和田圭二） | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 | |
| 10月30日（木） 10:10〜11:50 | |
| 座長 矢野浩司（山梨大学） | |
| EDD-14-050 SPC-14-112 |
短絡耐量改善4H-SiCトレンチMOSFET |
| ◎田中梨菜,香川泰宏,藤原伸夫,菅原勝俊,福井 裕,三浦成久,今泉昌之,山川 聡（三菱電機） | |
| EDD-14-051 SPC-14-113 |
16kV級超高耐圧SiC nチャネル型IE-IGBTの開発 |
| ◎水島智教,竹中研介,藤澤広幸,加藤智久,原田信介,田中保宣,岡本 大,出口忠義,米澤喜幸,福田憲司,奥村 元（産業技術総合研究所）,武井 学,松永慎一郎（富士電機）,浅野勝則（関西電力）,木本恒暢（京都大学） | |
| EDD-14-052 SPC-14-114 |
SiC表面平坦化によるショットキーバリアダイオードのI-V特性の改善 |
| ◎福岡佑二,小野木淳士,藤原広和,古川正樹,味岡正樹,濱田公守（トヨタ自動車） | |
| EDD-14-053 SPC-14-115 |
1.7kV 360A 低インダクタンスSiCパワーモジュールの開発 |
| ○高尾和人,河野洋志,四戸 孝（東芝） | |
| EDD-14-054 SPC-14-116 |
All-SiCモジュール技術と太陽光発電用パワーコンディショナへの適用 |
| ◎福田祐樹,梨子田典弘,仲村秀世,堀尾真史,仲野逸人,日向裕一朗,中村瑶子,池田良成（富士電機株式会社） | |
| 10月30日（木） 13:00〜14:20 | |
| 座長 坂野順一（日立製作所） | |
| EDD-14-055 SPC-14-117 |
200VラテラルIGBTの性能改善 |
| ○辻内幹夫（ルネサス エレクトロニクス）,新田哲也,一法師隆志（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング） | |
| EDD-14-056 SPC-14-118 |
分割ハイサイドウェル構造を用いた１２００ＶクラスＨＶＩＣ技術 |
| ◎田中貴英,上西顕寛,赤羽正志,山路将晴,今井朋弘,菅野 博,富田 航,森 貴浩,澄田仁志（富士電機） | |
| EDD-14-057 SPC-14-119 |
SOIプロセスを用いた600VシングルチップインバータICの開発 |
| ○原 賢志,和田真一郎,坂野順一（日立製作所）,織田哲男,桜井健司,山下裕生,内海智之（日立パワーデバイス） | |
| EDD-14-058 SPC-14-120 |
トレンチゲート構造を有する６５Ｖ双方向高圧ＰＭＯＳ（ＷＤＭＯＳ） |
| ○森 隆弘,新田哲也,一法師隆志（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング） | |
| 10月30日（木） 14:35〜15:35 | |
| 座長 和田圭二（首都大学東京） | |
| EDD-14-059 SPC-14-121 |
GaN HEMTを用いたSiC MOSFET高速ゲートドライブ回路の一検討 |
| ◎長岡晃平,引原隆士（京都大学） | |
| EDD-14-060 SPC-14-122 |
電力パケット伝送システムのステッピングモータ駆動系への適用 |
| ◎藤居直章,高橋 亮,引原隆士（京都大学） | |
| EDD-14-061 SPC-14-123 |
ワイドバンドギャップ半導体を用いた誤点弧メカニズムの解析 |
| ◎西垣彰紘,梅上大勝,服部文哉,山本真義（島根大学） | |
| 10月30日（木） 15:50〜17:10 | |
| 座長 小倉常雄（東芝） | |
| EDD-14-062 SPC-14-124 |
ダイオードの動作温度が昇圧コンバータの伝導ノイズに与える影響に関する実験的検討 |
| ◎井渕貴章,舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-14-063 SPC-14-125 |
500 kHz スイッチングPWMインバータのゲート駆動回路に関する検討 |
| ◎藤井拓也,和田圭二（首都大学東京） | |
| EDD-14-064 SPC-14-126 |
パワーモジュールの配線構造を考慮した等価回路モデル化とMOSFETにおけるドレイン電流とゲート電圧の過渡応答に関する一検討 |
| ◎吉竹徹真,舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-14-065 SPC-14-127 |
空間ベクトルPWMを用いた3レベルV結線インバータの中性点電位変動の低減手法 |
| ◎フィンダンミン,佐藤大介,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| 10月31日（金） 9:00〜10:40 | |
| 座長 湊 忠玄（三菱電機） | |
| EDD-14-066 SPC-14-128 |
60GHz無線モジュールを用いたワイヤレス・ゲートドライブ回路 |
| ◎山本研一,市原文夫,長谷川一徳,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-14-067 SPC-14-129 |
IGBTモジュール高信頼化に向けたチップ間電流不均衡計測技術の開発 |
| ◎山口治之（九州工業大学）,附田正則（国際東アジア研究センター）,渡邉晃彦,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-14-068 SPC-14-130 |
SOI超高速横型シリコンダイオード |
| ◎今城寛紀（九州工業大学）,附田正則（アジア成長研究所）,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-14-069 SPC-14-131 |
MOSFET損失を構成するデバイス特性の解析 |
| ○佐々木正人（シャープ）,梅上大勝,山本真義（島根大学） | |
| EDD-14-070 SPC-14-132 |
SiC SBD起因損失を構成するデバイス特性の解析 |
| ○佐々木正人（シャープ）,梅上大勝,山本真義（島根大学） | |
| 10月31日（金） 10:55〜11:55 | |
| 座長 三浦喜直（ルネサスシステムデザイン） | |
| EDD-14-071 SPC-14-133 |
分極接合プラットフォームを用いた窒化ガリウムN/Pトランジスタのワンチップ集積化技術 |
| ○中島 昭（産業技術総合研究所）,米澤宏昭,筒井一生,角嶋邦之（東京工業大学）,西澤伸一,大橋弘通（産業技術総合研究所）,若林 整,岩井 洋（東京工業大学） | |
| EDD-14-072 SPC-14-134 |
高速スイッチングに伴うGaN-FETの連鎖的誤動作に対する配線インダクタンスの依存性解析 |
| ◎梅谷和弘,柳生啓佑（デンソー） | |
| EDD-14-073 SPC-14-135 |
半導体におけるトンネル現象の再検討 |
| ○高田育紀（東京工業大学） | |
| 10月31日（金） 13:25〜14:45 | |
| 座長 九里伸治（新電元工業） | |
| EDD-14-074 SPC-14-136 |
高チャネル移動度を有するダブルゲートＭＯＳＦＥＴ設計 |
| ◎加藤俊亮,川口雄介,高野彰夫（東芝） | |
| EDD-14-075 SPC-14-137 |
トレンチフィールドプレートMOSFETにおけるShoot-Throughメカニズムとその抑制 |
| ◎西脇達也,原 琢磨,加賀野井啓介,横田 誠,鉾本吉孝,川口雄介（東芝） | |
| EDD-14-076 SPC-14-138 |
1200V SC(Schottky Controlled Injection)-Diodeにおけるアノードおよびカソード注入効率の検証 |
| ○末代知子,小倉常雄,押野雄一,小林太一,三須伸一郎,池田佳子,中村和敏（東芝） | |
| EDD-14-077 SPC-14-139 |
pinダイオードにおけるライフタイムとキャリア注入効率が順方向降下電圧と逆回復電荷の関係に及ぼす影響 |
| ◎山下侑佑,町田 悟（豊田中央研究所） | |
| 10月31日（金） 15:00〜16:00 | |
| 座長 山崎みや（オリジン電気） | |
| EDD-14-078 SPC-14-140 |
IGBTの負荷短絡動作におけるターンオフ時の電流集中メカニズムの解析 |
| ◎小林太一,諏訪剛史（東芝インフォメーションシステムズ）,末代知子,小倉常雄（東芝 セミコンダクター＆ストレージ社） | |
| EDD-14-079 SPC-14-141 |
レーザテラヘルツエミッション顕微鏡法を用いた不純物欠陥の観察 |
| 後藤安則（トヨタ自動車）,○松本 徹（浜松ホトニクス）,二川 清（金沢工業大学） | |
| EDD-14-080 SPC-14-142 |
微小電界センサによる無バイアスでのIGBT欠陥観察 |
| ○松本 徹（浜松ホトニクス）,伊藤誠吾（こなか電子工房）,後藤安則（トヨタ自動車） | |