(会議室) 3月4日(水) 14:00〜17:20 |
座長 柏尾典秀(日本電信電話)
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EDD-15-030 |
Geドープ再成長層を用いた超低オン抵抗ノーマリーオフ型GaNHFET |
○鈴木朝実良,崔 成伯,大塚信之(パナソニック),上田大助(京都工芸繊維大学) |
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EDD-15-031 |
h-BN剥離層を用いたAlGaN/GaN HEMTのエピタキシャルリフトオフと銅板転写による自己発熱効果の抑制 |
○廣木正伸,熊倉一英,山本秀樹(日本電信電話) |
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EDD-15-032 |
GaNパワーデバイスにおけるトラップ準位の解析 |
◎片岡淳司,菊地拓雄,松葉 博,叶丸孝治,石川 諭,村上友佳子,藪原秀彦(東芝) |
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EDD-15-033 |
酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と課題 |
○東脇正高(情報通信研究機構),佐々木公平(タムラ製作所),ワンマン ホイ,上村崇史(情報通信研究機構),倉又朗人,山腰茂伸(タムラ製作所) |
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EDD-15-034 |
ダイヤモンド2次元正孔ガス層を利用した高耐圧FET |
○川原田洋(早稲田大学) |
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(会議室) 3月5日(木) 9:00〜11:35 |
座長 柏尾典秀(日本電信電話)
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EDD-15-035 |
InAlGaN系歪混晶バリア層を用いた大電流・ノーマリオフトランジスタ |
○梶谷 亮,田中健一郎,小川雅弘,石田秀俊,石田昌宏,上田哲三(パナソニック) |
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EDD-15-036 |
Characterization method for GaN-based metal-insulator-semiconductor devices by using capacitance-frequency-temperature mapping |
◎Shih Hong-An,工藤昌宏,鈴木寿一(北陸先端科学技術大学院大学) |
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EDD-15-037 |
ウェハ接合技術を用いたInP系DHBT作製プロセス及びその放熱性改善効果 |
◎白鳥悠太,星 拓也,柏尾典秀,栗島賢二(日本電信電話),日暮栄治(東京大学),松崎秀昭(日本電信電話) |
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EDD-15-038 |
InP系DHBTの低駆動電圧化・超高速化に向けたInGaAsSb四元混晶のMOCVD成長 |
◎星 拓也,柏尾典秀,杉山弘樹,横山春喜,栗島賢二,井田 実,松崎秀昭(日本電信電話) |
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EDD-15-039 |
GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善 |
◎竹内克彦,谷口 理,柳田将志(ソニー),中村光宏,佐々木有司(ソニーセミコンダクタ),和田伸一(ソニー) |
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