電子デバイス研究会

	〔委 員 長〕	栗田泰市郎（日本放送協会）
	〔副委員長〕	宮本恭幸（東京工業大学）
	〔幹　　事〕	辻　博史（日本放送協会），横山春喜（ＮＴＴフォトニクス研究所）
日　時	2015年3月4日（水）　14:00〜17:20
	2015年3月5日（木）　9:00〜11:35
場　所	絹の渓谷　碧流（栃木県日光市藤原19-25，交通：東武鉄道鬼怒川線で鬼怒川公園駅下車、徒歩5分。詳細は次のURLをご参照ください。http://www.hoyojo.nttkikinkenpo.or.jp/hekiryusou/?category_name=access）
協　賛	次世代化合物電子デバイスとその応用調査専門委員会（委員長　田中愼一，幹事　石田秀俊，柏尾典秀，幹事補佐　前多　正），ナノエレクトロニクス集積化・応用技術調査専門委員会（委員長　昌原明植，幹事　内田　建，木下敦寛，幹事補佐　田中　徹）
議　題	テーマ「次世代化合物電子デバイスとその応用」

  

（会議室）　3月4日（水）　14:00〜17:20
座長　柏尾典秀（日本電信電話）
EDD-15-030	Ｇｅドープ再成長層を用いた超低オン抵抗ノーマリーオフ型ＧａＮＨＦＥＴ
	○鈴木朝実良,崔　成伯,大塚信之（パナソニック）,上田大助（京都工芸繊維大学）
EDD-15-031	h-BN剥離層を用いたAlGaN/GaN HEMTのエピタキシャルリフトオフと銅板転写による自己発熱効果の抑制
	○廣木正伸,熊倉一英,山本秀樹（日本電信電話）
EDD-15-032	GaNパワーデバイスにおけるトラップ準位の解析
	◎片岡淳司,菊地拓雄,松葉　博,叶丸孝治,石川　諭,村上友佳子,藪原秀彦（東芝）
EDD-15-033	酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と課題
	○東脇正高（情報通信研究機構）,佐々木公平（タムラ製作所）,ワンマン ホイ,上村崇史（情報通信研究機構）,倉又朗人,山腰茂伸（タムラ製作所）
EDD-15-034	ダイヤモンド2次元正孔ガス層を利用した高耐圧FET
	○川原田洋（早稲田大学）

（会議室）　3月5日（木）　9:00〜11:35
座長　柏尾典秀（日本電信電話）
EDD-15-035	InAlGaN系歪混晶バリア層を用いた大電流・ノーマリオフトランジスタ
	○梶谷　亮,田中健一郎,小川雅弘,石田秀俊,石田昌宏,上田哲三（パナソニック）
EDD-15-036	Characterization method for GaN-based metal-insulator-semiconductor devices by using capacitance-frequency-temperature mapping
	◎Shih Hong-An,工藤昌宏,鈴木寿一（北陸先端科学技術大学院大学）
EDD-15-037	ウェハ接合技術を用いたInP系DHBT作製プロセス及びその放熱性改善効果
	◎白鳥悠太,星　拓也,柏尾典秀,栗島賢二（日本電信電話）,日暮栄治（東京大学）,松崎秀昭（日本電信電話）
EDD-15-038	InP系DHBTの低駆動電圧化・超高速化に向けたInGaAsSb四元混晶のMOCVD成長
	◎星　拓也,柏尾典秀,杉山弘樹,横山春喜,栗島賢二,井田　実,松崎秀昭（日本電信電話）
EDD-15-039	GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善
	◎竹内克彦,谷口　理,柳田将志（ソニー）,中村光宏,佐々木有司（ソニーセミコンダクタ）,和田伸一（ソニー）