電子デバイス研究会

	〔委 員 長〕	栗田泰市郎（ＮＨＫメディアテクノロジー）
	〔副委員長〕	宮本恭幸（東京工業大学）
	〔幹　　事〕	辻　博史（日本放送協会），九里伸治（新電元工業）
日　時	2016年3月28日（月）　14:00〜16:40
	2016年3月29日（火）　9:00〜11:15
場　所	絹の渓谷　碧流（栃木県日光市藤原19-25，交通：東武鉄道鬼怒川線で鬼怒川公園駅下車、徒歩5分。詳細は次のURLをご参照ください。http://www.hoyojo.nttkikinkenpo.or.jp/hekiryusou/?category_name=access）
協　賛	次世代化合物半導体デバイスの機能と応用調査専門委員会（委員長　鈴木寿一　幹事　柏尾典秀，前多　正　幹事補佐　奥　友希），ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術調査専門委員会（委員長　内田　健　幹事　遠藤和彦，田中　徹　幹事補佐　池田圭司）
議　題	テーマ「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」

  

（会議室）　3月28日（月）　14:00〜16:40　テーマ「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」
座長　柏尾典秀（日本電信電話）
EDD-16-036	フォトン・リサイクリングによる優位性を備えた縦型GaNバイポーラ・デバイスに関する考察
	○望月和浩（産業技術総合研究所）
EDD-16-037	1.6ｋＶ耐圧を有するＧａＮ基板上大電流トレンチ型ジャンクションバリアダイオードの開発
	○梶谷　亮,半田浩之,宇治田信二,柴田大輔,小川雅弘,田中健一郎,石田秀俊,田村聡之,石田昌宏,上田哲三（パナソニック）
EDD-16-038	50A大電流・790V耐圧縦型GaNショットキーバリアダイオードの開発
	◎田中成明,長谷川一也,安西孝太,村上倫章,岡　徹（豊田合成）
EDD-16-039	SiCパワーデバイスの高信頼ターミネーション技術
	○小野瀬秀勝（株式会社　日立製作所　）,松島宏之,沖野泰之,望月和浩,山田廉一,平尾高志,森　睦宏（株式会社　日立製作所）
EDD-16-040	3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現
	◎濱田憲治,日野史郎,渡邊　寛,中田修平,山川　聡,三浦成久,末川英介,海老池勇史,今泉昌之,梅嵜　勲（三菱電機）
EDD-16-041	高耐圧ディプレッション型フィールドプレートＧａ２Ｏ３　ＭＯＳＦＥＴ
	◎ワンマンホイ（情報通信研究機構）,佐々木公平,倉又朗人,山腰茂伸（タムラ製作所）,東脇正高（情報通信研究機構）

（会議室）　3月29日（火）　9:00〜11:15　テーマ「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」
座長　柏尾典秀（日本電信電話）
EDD-16-042	75nm InP-HEMTを用いたサブミリ波帯MMICとその大容量通信への応用
	○川野陽一,松村宏志,芝　祥一,佐藤　優,鈴木俊秀,高橋　剛,牧山剛三,中舎安宏,岩井大介,原　直紀（富士通）
EDD-16-043	InP HBT ICを搭載した4ch小型50Gbaud光変調器ドライバモジュール
	◎脇田　斉（日本電信電話）,長谷宗彦,野坂秀之（日本電信電話　）
EDD-16-044	GaN系FETデバイスシミュレーションの進展;電流コラプス、サイドゲート効果、光応答、アバランシェ耐性
	○大野泰夫（レーザーシステム）,李　根三（日本シノプシス）
EDD-16-045	GaN HEMTの高温通電劣化への窒化膜電気伝導の影響
	○広瀬真由美,松下景一,高木一考（東芝）