| 電子デバイス 半導体電力変換 |
合同研究会 |
| 〔委 員 長〕 | 宮本恭幸（東京工業大学） | |
| 〔副委員長〕 | 豊田一彦（佐賀大学） | |
| 〔幹 事〕 | 九里伸治（新電元工業），古神義則（宇都宮大学） | |
| 〔委 員 長〕 | 金井丈雄（東芝三菱電機産業システム） | |
| 〔副委員長〕 | 船渡寛人（宇都宮大学） | |
| 〔幹 事〕 | 伊東淳一（長岡技術科学大学），和田圭二（首都大学東京） | |
| 〔幹事補佐〕 | 図子祐輔（日産自動車），高見 弘（芝浦工業大学） | |
| 日 時 | 2016年11月14日（月） 9:20〜17:00 | |
| 2016年11月15日（火） 9:00〜16:10 | ||
| 場 所 | 九州工業大学 戸畑キャンパス | |
| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter（IAS）, IEEE Power Electronics Society Japan Chapter（PELS）, IEEE Industrial Electronics Society Japan Chapter（IES） | |
| 協 賛 | 北九州市，（公財）西日本産業貿易コンベンション協会，シリコンならびに新材料パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会（委員長 岩室憲幸，幹事 九里伸治，齋藤 渉，幹事補佐 山地瑞枝），新材料パワー半導体の変換器応用に関する技術協同研究委員会（委員長 山本真義，幹事 関口秀記，服部文哉） | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 | |
| 11月14日（月） 9:20〜10:50 | |
| 座長 稲田正樹（京セラ） | |
| EDD-16-060 SPC-16-147 |
３．３ｋＶハイブリッドＳｉＣモジュールの宇宙線耐量と破壊メカニズム |
| ○新田哲也,崎山陽子,小谷来太,井上智樹,尾原亮一,佐野賢也,山口正一（東芝） | |
| EDD-16-047 SPC-16-134 |
L負荷回路におけるSJ-MOSFETのターンオフ波形に対するチャージバランスの影響 |
| ○新井大輔,久田 茂,山地瑞枝,九里伸治（新電元工業） | |
| EDD-16-048 SPC-16-135 |
トレンチフィールドプレートパワーMOSFETにおける耐圧不安定性の解析と安定性向上 |
| ◎西脇達也,加藤俊亮,小林研也,鉾本吉孝（東芝） | |
| EDD-16-049 SPC-16-136 |
高耐圧ＧａＮ－ＨＥＭＴのアバランシェ耐量とそのメカニズム |
| ○仲 敏行,齋藤 渉（東芝） | |
| 11月14日（月） 11:05〜12:25 | |
| 座長 安部征哉（九州工業大学） | |
| EDD-16-050 SPC-16-137 |
バレーフィルスナバを用いた三相PWMインバータのZVS/ZCS 評価 |
| ◎城内悠輔,松盛裕明,清水敏久（首都大学東京） | |
| EDD-16-051 SPC-16-138 |
洋上風力向け高圧DC/DC変換器の主回路方式と制御法 |
| ◎石橋卓治,地道拓志,森 修,永井孝佳（三菱電機） | |
| EDD-16-052 SPC-16-139 |
周波数逓倍を利用したMHzインバータの損失評価 |
| ◎折川幸司,小笠原悟司（北海道大学）,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-16-053 SPC-16-140 |
デッドタイムによる問題を解消する相補型インバータの研究 |
| ◎奥田一真,磯部高範,岩室憲幸,只野 博（筑波大学） | |
| 11月14日（月） 13:30〜14:30 | |
| 座長 三浦喜直（ルネサス） | |
| EDD-16-054 SPC-16-141 |
〔欠番〕 |
| EDD-16-055 SPC-16-142 |
薄層SOI Power CMOSFETsのホットキャリア効果 |
| ◎池野晃太郎,松本 聡（九州工業大学） | |
| EDD-16-056 SPC-16-143 |
ＧａＮ－ＨＥＭＴ用５０ＭＨｚＳｉゲートドライバーＩＣ |
| ◎赤木貴文,安部征哉,松本 聡（九州工業大学） | |
| 11月14日（月） 14:45〜15:45 | |
| 座長 小倉常雄（東芝） | |
| EDD-16-057 SPC-16-144 |
電解コンデンサの浮遊容量に起因するEMIノイズの解析 |
| ◎白井 諒,清水敏久（首都大学東京） | |
| EDD-16-058 SPC-16-145 |
アース接地線の無い機器におけるコモンモードノイズ低減手法 |
| ◎松久翔吾,生田英二,清水敏久（首都大学東京） | |
| EDD-16-059 SPC-16-146 |
スイッチング波形を利用したパワーMOSFETの入力容量測定とモデル化 |
| ◎大石一輝,新谷道広,廣本正之,佐藤高史（京都大学） | |
| 11月14日（月） 16:00〜17:00 | |
| 座長 坂野順一（日立製作所） | |
| EDD-16-046 SPC-16-133 |
高ノイズ耐量と小型化を両立する新自己遮蔽構造の600V-HVIC |
| ○山路将晴,上西顕寛,田中貴英,澄田仁志（富士電機） | |
| EDD-16-061 SPC-16-148 |
物理解析に基づく簡易シミュレーションによるSiパワーデバイスのSEB現象に関する考察 |
| ○吉浦康博,湊 忠玄（三菱電機）,高倉健次（メルコセミコンダクタエンジニアリング）,瓜生勝美（三菱電機インフォメーションネットワーク） | |
| EDD-16-062 SPC-16-149 |
半導体における有効質量の再考察 |
| ○高田育紀（元東京工業大学） | |
| 11月15日（火） 9:00〜10:20 | |
| 座長 只野 博（筑波大学） | |
| EDD-16-063 SPC-16-150 |
多層セラミック基板を用いた低インダクタンスモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -スナバコンデンサのモジュール基板実装によるサージ電圧抑制効果- |
| ◎福永崇平,舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-16-064 SPC-16-151 |
GaN-HFET適用非接触給電ZVSコンバータのアクティブ整流回路におけるサージ電圧抑制法とその実機検証 |
| ◎森田栄太郎,三島智和（神戸大学） | |
| EDD-16-065 SPC-16-152 |
ゲートドライブ回路モデルを考慮したSiC-MOSFET過渡特性のシミュレーション検討 |
| ◎中村悠太,葛本昌樹,赤木泰文（東京工業大学）,椋木康滋,堀口剛司,中山 靖（三菱電機） | |
| EDD-16-066 SPC-16-153 |
ディジタルゲート駆動ICを用いたIGBTのスイッチング時における損失とオーバーシュートの自動最適化 |
| ○崔 通,宮崎耕太郎（東京大学）,安部征哉,附田正則,大村一郎（九州工業大学）,小原秀嶺,和田圭二（首都大学東京）,高宮 真,桜井貴康（東京大学） | |
| 11月15日（火） 10:35〜11:55 | |
| 座長 舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-16-067 SPC-16-154 |
マトリックスコンバータを適用した双方向絶縁形AC/DCコンバータの入力電流波形改善 |
| ◎繁内宏治,佐久間謙介（千葉大学）,徐 進,下里 昇（Mywayプラス株式会社）,佐藤之彦（千葉大学） | |
| EDD-16-068 SPC-16-155 |
SiC-MOSFET直列接続時におけるターンオフ時の電圧分担アンバランスとその改善法 |
| ◎神宮克哉,和田圭二（首都大学東京） | |
| EDD-16-069 SPC-16-156 |
窒化ガリウム（GaN）FETを使用したワイヤレス給電用 E級送信機 |
| ○市原文夫,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-16-070 SPC-16-157 |
Hブリッジ型DC-DCコンバータを用いたプログラマブル電源 |
| ◎中野茂樹,松本 聡,安部征哉（九州工業大学） | |
| 11月15日（火） 13:15〜14:45 | |
| 座長 山崎みや（オリジン電気） | |
| EDD-16-071 SPC-16-158 |
高信頼性・低特性オン抵抗100VデュアルRESURF LDMOSトランジスタ |
| ○松田順一,小島潤也,築地伸和,神山雅貴,小林春夫（群馬大学） | |
| EDD-16-072 SPC-16-159 |
1200V系RC-IGBTの高速動作化へ向けたトレンチダイオード構造の検討 |
| ◎下條亮平,小倉常雄,三須伸一郎,松岡裕磨,安原紀夫,中村和敏（東芝） | |
| EDD-16-073 SPC-16-160 |
平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術 |
| ○金田 寛,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-16-074 SPC-16-161 |
IGBTのアクティブトレンチ配置とdv/dtサージ・ターンオン損失の関係についての検討 |
| 上馬場龍,小西和也,梅山真理子,高橋徹雄,楢崎敦司,○湊 忠玄,多留谷政良（三菱電機） | |
| 11月15日（火） 15:00〜16:10 | |
| 座長 湊 忠玄（三菱電機） | |
| EDD-16-075 SPC-16-162 |
FWD構造・配置を最適化した第2世代600V級RC-IGBTの開発 |
| ◎中村浩之,吉田拓弥（メルコセミコンダクタエンジニアリング）,高橋徹雄,多留谷政良,湊 忠玄（三菱電機） | |
| EDD-16-076 SPC-16-163 |
新しいゲート構造を有する低損失・低ノイズ サイドゲートHiGTの開発 |
| ○白石正樹,古川智康（日立製作所）,渡邉 聡,新井大夏（日立パワーデバイス）,森 睦宏（日立製作所） | |
| EDD-16-077 SPC-16-164 |
低ミラー容量を実現するシールドトレンチ構造IGBT |
| ◎大井幸多,伊倉巧裕,澤田睦美,小野澤勇一,大月正人（富士電機）,鍋谷暢一（山梨大学） | |
| ※ | 1件当り20分(質疑応答5分を含む) |
| ※ | 11/14（月）19:00より懇親会開催予定 |