電子デバイス研究会

	〔委 員 長〕	宮本恭幸（東京工業大学）
	〔副委員長〕	豊田一彦（佐賀大学）
	〔幹　　事〕	九里伸治（新電元工業），古神義則（宇都宮大学）
日　時	2017年3月9日（木）　14:00〜17:00
	2017年3月10日（金）　9:00〜11:55
場　所	絹の渓谷　碧流（栃木県日光市藤原19-25，交通：東武鉄道鬼怒川線で鬼怒川公園駅下車、徒歩5分。詳細は次のURLをご参照ください。http://www.hoyojo.nttkikinkenpo.or.jp/hekiryusou/?category_name=access）
協　賛	次世代化合物半導体デバイスの機能と応用調査専門委員会（委員長　鈴木寿一，幹事　柏尾典秀，前多　正，幹事補佐　奥　友希），ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術調査専門委員会（委員長　内田　健，幹事　遠藤和彦，田中　徹，幹事補佐　池田圭司）
議　題	テーマ「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」

  

（会議室）　3月9日（木）　14:00〜17:00　テーマ「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」
座長　柏尾典秀（日本電信電話）
EDD-17-042	酸化ガリウム系ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察
	◎大島孝仁,加藤勇次,河野直士（佐賀大学）,倉又朗人,山腰茂伸（タムラ製作所,ノベルクリスタルテクノロジー）,藤田静雄（京都大学）,大石敏之,嘉数　誠（佐賀大学）
EDD-17-043	GaN基板と電子デバイス用GaNエピウエハの最新状況
	○乙木洋平,田中丈士,吉田丈洋,柴田真佐知,堀切文正,北村寿朗,藤生真二郎,藤倉序章（サイオクス）
EDD-17-044	再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発
	◎柴田大輔,半田浩之,塩崎奈々子,梶谷　亮,梅田英和,宇治田信二,小川雅弘,田中健一郎,田村聡之,初田次康,石田昌宏,上田哲三（パナソニック）
EDD-17-045	AlGaN/GaN HEMTへの原子層エッチングによるプラズマ誘起ダメージの低減
	◎叶丸孝治,須古彩香,片岡淳司,菊地拓雄,齋藤玲子,石川　諭（東芝）
EDD-17-046	AlGaN/GaN HEMTのイオン照射効果の観察
	○佐々木肇,日坂隆行,門岩　薫,奥　友希（三菱電機）,小野田忍,大島　武（量子科学技術研究開発機構）,田口英次,保田英洋（大阪大学）

（会議室）　3月10日（金）　9:00〜11:55　テーマ「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」
座長　柏尾典秀（日本電信電話）
EDD-17-047	無線通信用窒化ガリウムトランジスタ の開発
	○井上和孝（住友電気工業）
EDD-17-048	次世代基地局向け化合物半導体増幅器の広帯域化技術
	○新庄真太郎,小松崎優治,中谷圭吾,山中宏治（三菱電機）
EDD-17-049	量子型赤外線イメージセンサの研究動向
	○西野弘師（富士通研究所）
EDD-17-050	Ａｕサブコレクタを用いたＩｎＰ系マルチフィンガーＤＨＢＴの自己発熱効果低減に関する検討
	◎白鳥悠太,星　拓也,柏尾典秀,栗島賢二（日本電信電話）,日暮栄治（東京大学）,松崎秀昭（日本電信電話）
EDD-17-051	68mV/decのSSを持つGaAsSb/InGaAs縦型ダブルゲートトンネルFET
	◎青沼遼介,岩田真次郎,木瀬信和,宮本恭幸（東京工業大学）