| 電子デバイス 半導体電力変換 |
合同研究会 |
| 宮本恭幸（東京工業大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 豊田一彦（佐賀大学） | |
| 〔幹 事〕 | 九里伸治（新電元工業），古神義則（宇都宮大学） | |
| 金井丈雄（東芝三菱電機産業システム） | ||
| 〔副委員長〕 | 船渡寛人（宇都宮大学） | |
| 〔幹 事〕 | 和田圭二（首都大学東京），伊東淳一（長岡技科大） | |
| 〔幹事補佐〕 | 高見 弘（芝浦工業大学），図子祐輔（日産自動車） | |
| 日 時 | 2017年11月20日（月） 9:00〜17:40 | |
| 2017年11月21日（火） 8:35〜16:10 | ||
| 場 所 | 鹿児島大学 稲盛会館（鹿児島市郡元1丁目21番24号，交通：詳細は次のURLをご参照ください。https://www.kagoshima-u.ac.jp/about/access.html） | |
| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter（IAS）,IEEE Industrial Electronics Society Japan Joint Chapter（IES）,IEEE Power Electronics Society Japan Chapter（PELS） | |
| 協 賛 | パワーデバイス・パワーＩＣ高性能化技術調査専門委員会 | |
| 併 催 | 電子情報通信学会 電子通信エネルギー研究会（EE研） | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 | |
| （鹿児島大学 稲盛会館） 11月20日（月） 9:00〜10:25 | |
| 座長 山下侑佑（豊田中央研究所） | |
| EDD-17-052 SPC-17-151 |
高耐圧デバイスの有効面積効率を改善する高アスペクト比ディープトレンチ終端(HARDT2)技術 |
| 山口拓也,奥村秀樹,白石達也,藤田 剛,阿多義文,○小林研也（東芝デバイス＆ストレージ株式会社） | |
| EDD-17-053 SPC-17-152 |
μーＰＣＤ法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討 |
| ◎真辺 航（九州工業大学）,附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研究所）,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-17-054 SPC-17-153 |
解析モデルを用いたGaNワンチップ変換器における発熱密度の試算 |
| ○中島 昭（産業技術総合研究所） | |
| EDD-17-055 SPC-17-154 |
SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価 |
| ◎大嶋俊之,池田健太郎,大橋輝之,飯島良介,高尾和人（東芝） | |
| EDD-17-056 SPC-17-155 |
5000V SiC 双方向スーパージャンクションMOSFETの特性予測 |
| ○北川光彦（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| （鹿児島大学 稲盛会館） 11月20日（月） 10:35〜12:00 | |
| 座長 小倉常雄（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-17-057 SPC-17-156 |
高速駆動SiC-MOSFETの並列接続に関する検討 |
| ◎石川清太郎,磯部高範,只野 博（筑波大学） | |
| EDD-17-058 SPC-17-157 |
並列接続SiC-MOSFETの連続動作におけるジャンクション温度解析 |
| ◎昆野賢太郎,葛本昌樹,萩原 誠,赤木泰文（東京工業大学）,椋木康滋,堀口剛司,西沢昭則（三菱電機） | |
| EDD-17-059 SPC-17-158 |
SiCパワーMOSFETのMHzスイッチング向けゲートドライバの検討 |
| ◎稲森 奨,古田 潤,小林和淑（京都工芸繊維大学） | |
| EDD-17-060 SPC-17-159 |
多層基板を用いた低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -モジュール内蔵スナバコンデンサ容量の最適設計に関する実験的検討- |
| ◎福永崇平,舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-17-061 SPC-17-160 |
厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFET高周波インバータの開発 |
| ◎石川光亮,小笠原悟司,竹本真紹,折川幸司（北海道大学） | |
| （鹿児島大学 稲盛会館） 11月20日（月） 13:00〜14:08 | |
| 座長 只野 博（筑波大学） | |
| EDD-17-062 SPC-17-161 |
ダブルパルス試験によるパワーエレクトロニクス機器用ノイズ計測システムの構築 |
| ◎岩﨑量旺,長谷川一徳,安部征哉,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-17-063 SPC-17-162 |
パワーモジュール内蔵型インバータ出力電流測定システムの開発 |
| ◎田畑勝次,長谷川一徳（九州工業大学）,附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研究所,九州工業大学）,一木真生,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-17-064 SPC-17-163 |
３次元パワーSoCの小型化にむけての検討 |
| ◎小野晃太,日浦健伍,松本 聡（九州工業大学） | |
| EDD-17-065 SPC-17-164 |
パワーSupply on Chipを用いたソフトウェア電源 |
| ◎岡 俊臣,安部征哉,松本 聡（九州工業大学） | |
| EDD-17-066 SPC-17-165 |
〔欠番〕 |
| （鹿児島大学 稲盛会館） 11月20日（月） 14:18〜16:00 | |
| 座長 長谷川一徳（九州工業大学） | |
| EDD-17-067 SPC-17-166 |
GaNデバイスを用いた電流不連続モード系統連系インバータのMHz運転における動作検証および損失の解析 |
| ◎山野寺大地,磯部高範,只野 博（筑波大学） | |
| EDD-17-068 SPC-17-167 |
電流不連続モードを用いた入出力電位が共通なDC-ACコンバータの動作検証 |
| ◎提橋郁人,レホアイ ナム,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-17-069 SPC-17-168 |
汎用ゲートドライバICを利用したパワーMOSFETの3レベルアクティブゲート駆動回路 |
| ◎大石一輝（京都大学）,新谷道広（奈良先端科学技術大学院大学）,廣本正之,佐藤高史（京都大学） | |
| EDD-17-070 SPC-17-169 |
系統連系用マトリックスコンバータの系統電流ひずみ低減時におけるFRT範囲拡大手法の検討 |
| ◎浅井亨太,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-17-071 SPC-17-170 |
誘導電動機のスロット高調波を利用した回転方向判別と速度推定 |
| ◎新地 翼,山本吉朗,篠原篤志（鹿児島大学） | |
| EDD-17-072 SPC-17-171 |
燃料電池と電気二重層キャパシタを直列に接続した電源を持つPMモータ駆動システムにおける電力分担法の検証 |
| ◎大寺史耶,山本吉朗,篠原篤志（鹿児島大学） | |
| （鹿児島大学 稲盛会館） 11月20日（月） 16:10〜17:40 テーマ「特別講演」 | |
| 座長 黒川不二雄（長崎総合科学大学） | |
| 16：10～16：40 | |
| EDD-17-073 SPC-17-172 |
パルスパターン改善空間ベクトル変調法を用いたマトリックスコンバータの特性について |
| ○山本吉朗（鹿児島大学） | |
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16：40～17：10 EE研特別講演1 17：10～17：40 EE研特別講演2 |
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| （鹿児島大学 稲盛会館） 11月21日（火） 8:35〜11:15 EE研セッション | |
| （鹿児島大学 稲盛会館） 11月21日（火） 11:15〜12:25 | |
| 座長 中村勝光（三菱電機） | |
| EDD-17-074 SPC-17-173 |
三次元スケーリングによるIGBTのVCEsat低減の実験的検証 |
| ○筒井一生,角嶋邦之,星井拓也（東京工業大学） 中島 昭（産業技術総合研究所） 西澤伸一（九州大学） 若林 整,宗田伊理也（東京工業大学） 佐藤克己（三菱電機） 末代知子,齋藤 渉（東芝デバイス＆ストレージ） 更屋拓哉,伊藤一夫,福井宗利,鈴木慎一,小林正治,高倉俊彦,平本俊郎（東京大学） 小椋厚志,沼沢陽一郎（明治大学） 大村一郎（九州工業大学） 大橋弘通,岩井 洋（東京工業大学） |
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| EDD-17-075 SPC-17-174 |
狭メサIGBTにおけるPベース内部の伝導現象 |
| ○田中雅浩（日本シノプシス合同会社）,中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| EDD-17-076 SPC-17-175 |
ＩＧＢＴの損失低減及びターンオフ耐量向上の推移と、高速ターンオフによる更なる損失低減と不都合なダイナミックアバランシェ発生のトレードオフ |
| ○戸倉規仁（---） | |
| EDD-17-077 SPC-17-176 |
高輝度LEDの開発経緯と動作機構の再検討 - パワーデバイス屋が考えたLEDの動作機構 - |
| ○高田育紀（元三菱電機） | |
| （鹿児島大学 稲盛会館） 11月21日（火） 13:25〜14:35 | |
| 座長 稲田正樹（京セラ） | |
| EDD-17-078 SPC-17-177 |
分割埋め込みゲート構造を有するＮｃｈ ＬＤＭＯＳのＨＣＩ劣化改善 |
| ○森 隆弘,久保俊次,一法師隆志（ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング） | |
| EDD-17-079 SPC-17-178 |
低スイッチング損失、広SOAかつ低特性オン抵抗の40 V LDMOSトランジスタ |
| ○松田順一,小島潤也,築地伸和,神山雅貴,小林春夫（群馬大学） | |
| EDD-17-080 SPC-17-179 |
自己遮蔽方式HVICのESD耐量向上技術 |
| ◎田中貴英,山路将晴,上西顕寛,大橋英知,澄田仁志（富士電機） | |
| EDD-17-081 SPC-17-180 |
回路の寄生成分がSJ-MOSFETのスイッチング波形に与える影響 |
| ○新井大輔,久田 茂,山地瑞枝,九里伸治（新電元工業） | |
| （鹿児島大学 稲盛会館） 11月21日（火） 14:45〜16:10 | |
| 座長 三好智之（日立製作所） | |
| EDD-17-082 SPC-17-181 |
電流分布に基づくパワーモジュールの新しいスクリーニング法の提案 |
| ○附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研究所）,結城大介,朝長大貴,金 亨燮,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-17-083 SPC-17-182 |
IGBTのフローティングP層の電位がターンオン時のdI/dtの制御性に与える影響について |
| ○伊倉巧裕,小野澤勇一（富士電機）,中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| EDD-17-084 SPC-17-183 |
低スイッチング損失と低ノイズを実現するホールパス構造IGBT |
| ○大井幸多,桜井洋輔,伊倉巧裕,澤田睦美,小野澤勇一,山崎智幸（富士電機）,鍋谷暢一（山梨大学） | |
| EDD-17-085 SPC-17-184 |
ストリークカメラによるIGBTのアバランシェ発光解析手法の開発 |
| ○末代知子,小倉常雄,遠藤幸一（東芝デバイス＆ストレージ）,松本 徹,内山公朗,新倉史智,越川一成（浜松ホトニクス） | |
| EDD-17-086 SPC-17-185 |
新規縦構造を用いたソフトリカバリー性と高いダイナミックな耐久性を併せ持つRFC diode |
| ○中村勝光,清水和宏（三菱電機） | |