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（電気学会会議室） 1月29日（月） 13:00〜17:10 |
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座長 今泉浩幸（日本放送協会）
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| HEE-18-001 |
半導体メモリ CMOS型1MビットDRAM |
| ○鈴木英徳（東芝半導体サービス&サポート）,澤田静雄（東芝電子デバイスエンジニアリング）,齋藤昇三（デバイス＆システム・プラットフォーム開発センター）,宮脇直和（東芝メモリシステムズ株式会社） |
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| HEE-18-002 |
エアコン技術開発史の調査と系統化 |
| ○荒野喆也（荒野技研） |
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| HEE-18-003 |
「鳳-テブナンの定理」、「ヘルムホルツ-テブナンの定理」、「帆足-ミルマンの定理」の起源と歴史を追って |
| ◎井上崇浩（新日鐵住金ステンレス） |
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| HEE-18-004 |
技術史文献活用例としての水力発電による出力計算教材化の試み |
| ○前島正裕（国立科学博物館） |
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| HEE-18-005 |
軽元素系半導体の材料・デバイス化技術開発の展開 - SiCを中心にTurning pointの視点から |
| ○吉田貞史（産業技術総合研究所） |
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| HEE-18-006 |
SiC要素技術研究と低オン抵抗SiC EC MOS FETの開発 |
| ○原 邦彦（豊橋技術科学大学） |
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| HEE-18-007 |
電力事業応用を指向した ＳｉＣデバイスとＳｉＣインバータの開発 |
| ○菅原良孝（ＳｉＣパワーエレクトロニクスネットワーク） |
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| HEE-18-008 |
「超低損失電力素子技術開発」国家プロジェクトの発足経緯とその意義 |
| ○荒井和雄（産業技術総合研究所） |
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