電子デバイス研究会

	〔委 員 長〕	宮本恭幸（東京工業大学）
	〔副委員長〕	豊田一彦（佐賀大学）
	〔幹　　事〕	古神義則（宇都宮大学），池田圭司（東芝）
	〔幹事補佐〕	星　拓也（日本電信電話）
日　時	2018年3月26日（月）　14:00〜17:00
	2018年3月27日（火）　8:40〜11:55
場　所	絹の渓谷　碧流（栃木県日光市藤原19-25，交通：東武鉄道鬼怒川線で鬼怒川公園駅下車、徒歩5分。詳細は次のURLをご参照ください。http://www.hoyojo.nttkikinkenpo.or.jp/hekiryusou/?category_name=access）
協　賛	次世代化合物半導体デバイスの機能と応用(第二期)調査専門委員会，ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術調査専門委員会
議　題	テーマ「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」

  

（会議室）　3月26日（月）　14:00〜17:00　テーマ「テーマ「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」」
座長　星　拓也（日本電信電話）
EDD-18-032	AlON/AlGaN/GaN MIS-HFETによる高速スイッチング動作
	○中澤敏志,施　泓安,鶴見直大,按田義治,初田次康,上田哲三（パナソニック）,野﨑幹人,山田高寛,細井卓治,志村考功,渡部平司（大阪大学）,橋詰　保（北海道大学）
EDD-18-033	高温熱処理によるGaN-MOSFETのゲート絶縁膜信頼性の改善
	◎梶原瑛祐（東芝　）,加藤大望（東芝）,清水達雄,西田靖孝,大野浩志（東芝　）,新留　彩（東芝）,向井　章（東芝　）,吉岡　啓（東芝デバイス&セミコンダクター株式会社　）,蔵口雅彦,布上真也（東芝）
EDD-18-034	大電流パワーデバイスに向けた高均一性と低欠陥を実現する高品質SiCエピタキシャル成長技術について
	○和田圭司,宮瀬貴也,寺尾岳見,古米正樹,田辺達也（住友電気工業）
EDD-18-035	化学的気相堆積法を用いたSiCトレンチ埋込みのトポグラフィー・シミュレーション
	○望月和浩,紀　世陽,小杉亮治,米澤喜幸,奥村　元（産業技術総合研究所）
EDD-18-036	4H-SiC MOS反転層におけるキャリア散乱機構の評価
	◎野口宗隆,岩松俊明,網城啓之,渡邊　寛（三菱電機）,喜多浩之（東京大学）,山川　聡（三菱電機）

（会議室）　3月27日（火）　8:40〜11:55　テーマ「テーマ「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」」
座長　星　拓也（日本電信電話）
EDD-18-037	ダブルリセス構造を有するノーマリオフ型 AlGaN-GaN MOSFETのDIBL特性
	○佐藤　拓,瓜生和也,岡安潤一,君島正幸（アドバンテスト研究所）,鈴木寿一（北陸先端科学技術大学院大学）
EDD-18-038	ワンフィンガー大信号モデルを用いて設計した20W級Ka 帯GaN MMIC 高出力増幅器
	◎山口裕太郎,半谷政毅,新庄真太郎,山中宏治（三菱電機）
EDD-18-039	ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信用電子デバイスの研究開発
	○渡邊一世,山下良美,遠藤　聡,原　紳介,笠松章史（情報通信研究機構）,吉田智洋,井上和孝,中田　健,眞壁勇夫（住友電気工業）,磯野恭佑,岡　直希,原田義彬,竹内　淳,町田龍人,藤代博記（東京理科大学）
EDD-18-040	電子デバイスを用いたテラヘルツ応用
	○鈴木左文,浅田雅洋（東京工業大学）
EDD-18-041	GaAsSb/InGaAs縦型ダブルゲートトンネルFETの低温測定による評価
	木瀬信和,青沼遼介,○宮本恭幸（東京工業大学）
EDD-18-042	InP-HEMT ICを用いた高速THz波帯誘電率測定システム
	◎徐　照男,濱田裕史,松崎秀昭,野坂秀之（NTT先端集積デバイス研究所）