| 電子デバイス 半導体電力変換 |
合同研究会 |
| 豊田一彦（佐賀大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 寺島知秀（三菱電機） | |
| 〔幹 事〕 | 池田圭司（東芝メモリ），星 拓也（日本電信電話） | |
| 〔幹事補佐〕 | 正田真利恵（ニコン） | |
| 船渡寛人（宇都宮大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 藤井幹介（富士電機） | |
| 〔幹 事〕 | 伊東淳一（長岡技術科学大学），和田圭二（首都大学東京） | |
| 〔幹事補佐〕 | 図子祐輔（日産自動車），高見 弘（芝浦工業大学） | |
| 日 時 | 2018年11月1日（木） 10:40〜17:05 | |
| 2018年11月2日（金） 9:15〜15:30 | ||
| 場 所 | 川崎市産業振興会館 1階ホール（神奈川県川崎市幸区堀川町66番地20，交通：JR川崎駅より徒歩8分。詳細は次のURLをご参照ください。http://www.kawasaki-net.ne.jp/kaikan/access.html） | |
| 共 催 | IEEE Power & Energy Society Japan Joint Chapter, IEEE Industry Applications Society Japan Chapter, IEEE Power Electronics Society Japan Chapter | |
| 協 賛 | パワーデバイス・パワーIC高性能化技術調査専門委員会，SiCとGaNと共に発展するパワーエレクトロニクスにおけるシステムインテグレーション技術調査専門委員会 | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 | |
| （川崎市産業振興会館第１階ホール） 11月1日（木） 10:40〜12:20 | |
| 座長 上本康裕（パナソニック） | |
| EDD-18-049 SPC-18-143 |
超低損失酸化ガリウムトレンチMOS型ショットキーダイオード |
| ○佐々木公平,ティユクァン トゥ,脇本大樹,高塚章夫,倉又朗人,山腰茂伸（ノベルクリスタルテクノロジー） | |
| EDD-18-050 SPC-18-144 |
All-SiCモジュールの高耐圧化と低インダクタンス化 |
| ○堀 元人,日向祐一朗,谷口克己,池田良成,山崎智幸（富士電機） | |
| EDD-18-051 SPC-18-145 |
3.3 kV級SiC-MOSFETの短絡破壊起点の解析 |
| ◎谷 和樹,坂野順一,島 明生（日立製作所） | |
| EDD-18-052 SPC-18-146 |
1200V SiCスーパージャンクションMOSFETの特性予測 |
| ○北川光彦（東芝デバイス&ストレージ） | |
| （川崎市産業振興会館第１階ホール） 11月1日（木） 13:50〜15:05 | |
| 座長 宮澤哲哉（電力中央研究所） | |
| EDD-18-053 SPC-18-147 |
〔欠番〕 |
| EDD-18-054 SPC-18-148 |
SiCパワーデバイスを対象とした繰り返しUIS試験による特性評価 |
| ◎相良光彦,和田圭二（首都大学東京）,西澤伸一（九州大学） | |
| EDD-18-055 SPC-18-149 |
埋込温度感知ダイオードを用いたパワーデバイスのジャンクション温度推定に関する一検討 |
| ◎福永崇平,舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-18-056 SPC-18-150 |
宇宙環境で用いるパワーデバイスの宇宙線故障率の算出法提案 |
| ◎永松拓朗,須藤雅貴,大村一郎（九州工業大学） | |
| （川崎市産業振興会館第１階ホール） 11月1日（木） 15:25〜17:05 | |
| 座長 成 慶珉（茨城工業高等専門学校） | |
| EDD-18-057 SPC-18-151 |
電流積分電荷法によるパワーモジュール絶縁層の電荷蓄積の評価 |
| ○高田達雄,土方規実雄（東京都市大学）,井上 隆（エー・アンド・ディ） | |
| EDD-18-058 SPC-18-152 |
次世代IGBT用超高速短絡保護システムの開発 |
| ◎一木真生,有元貴昭（九州工業大学）,附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研究所）,安部征哉,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-18-059 SPC-18-153 |
内部劣化および熱・電気特性の同時観測による複合型故障解析装置の実証 |
| ◎廣吉慎吾,渡邉晃彦,大村一郎（九州工業大学）,嘉藤 徹（産業技術総合研究所） | |
| EDD-18-060 SPC-18-154 |
両面放熱パワーモジュールの具現化を牽引したFS-IGBTとその経緯 －シリコンチップの電子的・熱的・機械的特性を活かした実装技術－ |
| ○戸倉規仁,牧野友厚（無所属） | |
| （川崎市産業振興会館第１階ホール） 11月2日（金） 9:15〜10:55 | |
| 座長 図子祐輔（日産自動車） | |
| EDD-18-061 SPC-18-155 |
大容量PWMインバータの小型化を可能にする新しい出力電流検出システムの開発 |
| ◎肖 駿,長谷川一徳,一木真生（九州工業大学）,附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研究所）,大村一郎（九州工業大学）,嘉藤 徹（産業技術総合研究所） | |
| EDD-18-062 SPC-18-156 |
非接触多重伝送を用いたゲート駆動回路のスイッチング特性 |
| ◎大内洋佑,塚本脩仁（茨城工業高等専門学校）,秋山裕信（高エネルギー加速器研究機構）,成 慶珉（茨城工業高等専門学校） | |
| EDD-18-063 SPC-18-157 |
大容量電力変換器の高効率化に向けたスイッチング素子並列数の最適化 |
| ◎西澤是呂久,木下徹規,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-18-064 SPC-18-158 |
タップインダクタ方式-低降圧比DC-DCコンバータの降圧比と電力効率の解析精度の向上に関する研究 |
| ◎修 国強,佐野勇司（東洋大学） | |
| （川崎市産業振興会館第１階ホール） 11月2日（金） 11:15〜12:30 | |
| 座長 山地瑞枝（新電元工業） | |
| EDD-18-065 SPC-18-159 |
ＬＬＣ電流共振電源用６００Ｖ高耐圧ＩＣの１．０ＭＨｚ高周波動作の実現 |
| ○山路将晴,赤羽正志,田中貴英,上西顕寛,大橋英知,佐々木雅浩,澄田仁志（富士電機） | |
| EDD-18-066 SPC-18-160 |
内部スナバ構造によるスーパージャンクションMOSFETの低スイッチングノイズ化 |
| ◎山下浩明,小野昇太郎,一條尚生,辻 正敬（東芝デバイス＆ストレージ）,安住壮紀（東芝）,泉沢 優,齋藤 渉（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-18-067 SPC-18-161 |
SJボディダイオードのチャージバランスと逆回復特性 |
| ○新井大輔,山地瑞枝,村上晃一,本田真彬,九里伸治（新電元工業） | |
| （川崎市産業振興会館第１階ホール） 11月2日（金） 14:15〜15:30 | |
| 座長 清水尚博（名古屋大学） | |
| EDD-18-068 SPC-18-162 |
フローティングP層を電気的に分離することでターンオンdIc/dt制御性が向上したIGBTの表面セル構造 |
| ○伊倉巧裕,小野澤勇一（富士電機）,中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| EDD-18-069 SPC-18-163 |
1200VクラスIGBTのSCSOA改善のためのN型バッファ層の最適化 |
| ○鈴木健司,西 康一,金田 充,古川彰彦（三菱電機） | |
| EDD-18-070 SPC-18-164 |
CSTBTTM構造を持つRC-IGBTにおける高アバランシェ破壊耐量のためのDiode構造 |
| ◎曽根田真也,赤尾真哉,高橋徹雄,古川彰彦（三菱電機） | |