| 電子デバイス研究会 |
| 豊田一彦（佐賀大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 寺島知秀（三菱電機） | |
| 〔幹 事〕 | 池田圭司（東芝メモリ），星 拓也（日本電信電話） | |
| 〔幹事補佐〕 | 正田真利恵（ニコン） | |
| 日 時 | 2019年3月25日（月） 14:00〜17:00 | |
| 2019年3月26日（火） 8:45〜11:00 | ||
| 場 所 | 絹の渓谷 碧流（栃木県日光市藤原19-25，交通：東武鉄道鬼怒川線で鬼怒川公園駅下車、徒歩5分。詳細は次のURLをご参照ください。http://www.hoyojo.nttkikinkenpo.or.jp/hekiryusou/?category_name=access） | |
| 協 賛 | 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用(第二期)調査専門委員会,ナノエレクトロニクス基盤ヘテロ集積化・応用技術調査専門委員会 | |
| 議 題 | テーマ「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」 | |
| （絹の渓谷 碧流） 3月25日（月） 14:00〜15:05 テーマ「高周波回路技術」 | |
| 座長 星 拓也（日本電信電話） | |
| EDD-19-036 | SiGe BiCMOSの現状とRF ICへの応用 |
| ○吉増敏彦（早稲田大学） | |
| EDD-19-037 | InP変調器ドライバ及びInPマッハツェンダ変調器一体集積サブアセンブリによる超広帯域動作 |
| ◎脇田 斉,小木曽義弘,長谷宗彦,山崎裕史,中村政則,小林孝行,尾崎常佑,上田悠太,金澤 慈,藤井拓郎,橋詰泰彰,田野辺博正,布谷伸浩,井田 実,宮本 裕,石川光映（日本電信電話株式会社） | |
| （絹の渓谷 碧流） 3月25日（月） 15:20〜17:00 テーマ「GaN-MISデバイス技術」 | |
| 座長 谷口 理（ソニーセミコンダクタソリューションズ） | |
| EDD-19-038 | 縦型GaNパワーデバイスの進展 |
| ○西井潤弥,伊奈 務,上野幸久,田中成明,黒崎潤一郎,鈴木智行,長谷川一也,安西孝太,西尾 剛,村上信吾,村上倫章,岡 徹（豊田合成株式会社） | |
| EDD-19-039 | GaNエピ基板上MOS特性の制御 |
| ○上野勝典,松山秀昭,田中 亮,高島信也,江戸雅晴（富士電機（株））,堀田昌宏,須田 淳（名古屋大学）,中川清和（山梨大学） | |
| EDD-19-040 | AlNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISデバイスにおける界面電荷エンジニアリング |
| ◎出村洋智,Deng Yuchen,Nguyen Duong,鈴木寿一（北陸先端科学技術大学院大学） | |
| （絹の渓谷 碧流） 3月26日（火） 8:45〜9:45 テーマ「ワイドギャップ半導体FET技術」 | |
| 座長 奥 友希（三菱電機） | |
| EDD-19-041 | ４H-SiC MOSFETチャネル特性へ深い準位を有するドナー添加が及ぼす効果 |
| ◎野口宗隆,岩松俊明,網城啓之,渡邊 寛（三菱電機株式会社）,喜多浩之（東京大学大学院）,三浦成久（三菱電機株式会社） | |
| EDD-19-042 | フッ素系ドライエッチングを用いて形成されたゲートフィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMT の閾値電圧変動解析 |
| ◎瓜生和也,佐藤 拓,岡安潤一（株式会社アドバンテスト研究所） | |
| （絹の渓谷 碧流） 3月26日（火） 10:00〜11:00 テーマ「GaN基板・GaNレーザ技術」 | |
| 座長 鈴木寿一（北陸先端科学技術大学院大学） | |
| EDD-19-043 | HVPE法によるGaNバルクおよびエピ成長技術 |
| ○藤倉序章（株式会社サイオクス） | |
| EDD-19-044 | ワット級青色および緑色レーザダイオードの開発と今後の展望 |
| ○中山雄介,村山雅洋,保科幸男,渡邊秀輝,小山享宏,風田川統之,川西秀和（ソニー株式会社）,上村俊也（豊田合成株式会社）,簗嶋克典（ソニー株式会社） | |