| 電子デバイス 半導体電力変換 |
合同研究会 |
| 豊田一彦（佐賀大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 寺島知秀（三菱電機） | |
| 〔幹 事〕 | 池田圭司（東芝メモリ），星 拓也（日本電信電話） | |
| 〔幹事補佐〕 | 正田真利恵（ニコン） | |
| 船渡寛人（宇都宮大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 藤井幹介（富士電機） | |
| 〔幹 事〕 | 伊東淳一（長岡技術科学大学），和田圭二（首都大学東京） | |
| 〔幹事補佐〕 | 図子祐輔（日産自動車），高見 弘（芝浦工業大学） | |
| 日 時 | 2019年11月28日（木） 9:55〜17:50 | |
| 2019年11月29日（金） 9:00〜15:50 | ||
| 場 所 | 東北大学 青葉記念会館（宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6） 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6，交通：仙台市地下鉄東西線「青葉山」駅で下車（乗車時間９分、料金250円），センタースクエア（Cエリア）まで徒歩約10分。詳細は次のURLをご参照ください。https://www.eng.tohoku.ac.jp/map/?menu=campus&area=c |
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| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter，IEEE Power Electronics Society Japan Chapter，IEEE IES Japan Joint Chapter | |
| 協 賛 | パワーデバイス・パワーＩＣ高性能化技術調査専門委員会（委員長 齋藤 渉），SiCとGaNと共に発展するパワーエレクトロニクスにおけるシステムインテグレーション技術調査専門委員会（委員長 三野和明） | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 | |
| （青葉記念会館 大研修室） 11月28日（木） 9:55〜12:00 | |
| 座長 杉浦賢二（アイスモス・テクノロジー・ジャパン） | |
| EDD-19-060 SPC-19-146 |
スーパージャンクションMOSFETにおけるUIS耐量への外部ゲート抵抗の影響 |
| ◎本田真彬,山地瑞枝,新井大輔,鈴木教章,浅田 毅,平澤 亘,山口武司,渡辺祐司（新電元工業） | |
| EDD-19-061 SPC-19-147 |
100V定格2段フィールドプレートトレンチMOSFETの最適構造設計とデバイス性能評価 |
| ○小林研也,加藤浩朗,西口俊史,下村紗矢,大室泰久,根賀亮平,西脇達也,相田喜久夫,一関健太郎,大麻浩平,川口雄介（東芝デバイス&ストレージ） | |
| EDD-19-062 SPC-19-148 |
2段フィールドプレートトレンチMOSFET開発におけるプロセスインテグレーション技術 |
| ○加藤浩朗,西口俊史,下村紗矢,白石達也,宮下 桂,小林研也（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-19-063 SPC-19-149 |
〔欠番〕※研究会資料への掲載はございませんが、当日は下記の発表がございます。 |
| 両面Cuめっき技術によるSiパワーデバイスの高性能化検討 | |
| ○大黒達也，小林仁，甲斐徹哉，罇貴子，小川雅章，大橋健一，古住信介，高田賢治，小嶋秀春，増子真吾，米澤直樹，西脇達也，原琢磨，犬宮誠治，須黒恭一（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-19-064 SPC-19-150 |
パワーMOSFETにおけるα線の影響と厚膜Cuめっきによるα線の遮蔽 |
| ○西脇達也,大麻浩平,一関健太郎,相田喜久夫,大黒達也,高田賢治,小嶋秀春,川口雄介（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| （青葉記念会館 大研修室） 11月28日（木） 13:10〜13:50 | |
| 座長 小野田道広（オンセミコンダクター会津） | |
| EDD-19-065 SPC-19-151 |
高パワー密度、高周波WBG デバイスに向けたパワーモジュール技術の研究 |
| ○高橋良和,遠藤哲郎（東北大学） | |
| EDD-19-066 SPC-19-152 |
産業用IPMの外来サージ耐量向上を実現するHVICのノイズ誤動作防止回路技術 |
| ○赤羽正志,大橋英知,山田忠則,山路将晴,佐々木雅浩,澄田仁志,小林靖幸（富士電機）,佐藤隆英（山梨大学） | |
| EDD-19-067 SPC-19-153 |
ISOP接続方式を用いたマルチセルAC-DCコンバータの特性評価 |
| ○林 祐輔,蘇 洪亮,高尾和人（東芝） | |
| EDD-19-068 SPC-19-154 |
6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発 |
| ◎滕 飛,葛本昌樹,萩原 誠（東京工業大学）,石井佑季,中嶋純一,椋木康滋,堀口剛司,地道拓志（三菱電機） | |
| EDD-19-069 SPC-19-155 |
ゲート遅延時間制御による多直列パワーデバイスの電圧バランス制御 |
| ◎橋本一馬,和田圭二（首都大学東京） | |
| （青葉記念会館 大研修室） 11月28日（木） 15:45〜17:50 | |
| 座長 和田圭二（首都大学東京） | |
| EDD-19-070 SPC-19-156 |
パワーモジュールの過渡熱回路モデル同定手法に関する基礎検討 |
| ◎福永崇平,舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-19-071 SPC-19-157 |
導通損失の少ない補助スイッチを用いたソフトスイッチング昇圧型DC-DCコンバータ |
| ◎吉岡大貴,古田 潤,小林和淑（京都工芸繊維大学） | |
| EDD-19-072 SPC-19-158 |
高周波PCBパターンの寄生成分解析とスナバ設計に関する一検討 |
| ◎山口正通,日下佳祐,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-19-073 SPC-19-159 |
高周波スイッチングに伴う空芯トランスの内部磁束密度の振動 |
| ◎橋本和樹,奥田貴史,引原隆士（京都大学） | |
| EDD-19-074 SPC-19-160 |
間接遷移型半導体と直接遷移型半導体に関する一考察 -半導体遷移型の新しい解釈- |
| ○高田育紀（元三菱電機） | |
| （青葉記念会館 大研修室） 11月29日（金） 9:00〜10:15 | |
| 座長 日下佳祐（長岡技術科学大学） | |
| EDD-19-075 SPC-19-161 |
デバイスプロセスの高温熱負荷工程におけるSi基板中の転位挙動に関する数値計算 |
| ◎佐藤亮平（九州大学）,高倉俊彦,伊藤一夫,更屋拓哉,平本俊郎（東京大学）,柿本浩一,西澤伸一（九州大学） | |
| EDD-19-076 SPC-19-162 |
パワー半導体の高耐量化に向けた超高速チップ表面温度分布イメージングシステムの開発 |
| ◎池亀恵市,渡邉晃彦,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-19-077 SPC-19-163 |
パワー半導体の予知保全を実現する特性モニタリング技術 |
| ◎管 理,渡辺和葉,附田正則,大村一郎（九州工業大学） | |
| （青葉記念会館 大研修室） 11月29日（金） 10:30〜11:45 | |
| 座長 宮澤哲哉（電力中央研究所） | |
| EDD-19-078 SPC-19-164 |
1.2kV SBD内蔵トレンチMOSFETの順方向通電劣化評価 |
| ◎馬場正和,俵 武志（産業技術総合研究所）,熊谷直樹,武井 学,木村 浩（富士電機）,原田信介（産業技術総合研究所） | |
| EDD-19-079 SPC-19-165 |
トレンチフィールドプレートを有する1200V SiCデバイス向け極短エッジ構造の開発 |
| ○三塚 要,小野澤勇一,脇本節子,藤島直人（富士電機）,Liu Yong,Yang Wentao,Feng Hao,Sin Johnny K.O.（The Hong Kong University of Science and Technology） | |
| EDD-19-080 SPC-19-166 |
1200V Schottky-Diode内蔵・SiC・SJ・トレンチMOSFETの特性予測 |
| ○北川光彦（東芝デバイス&ストレージ） | |
| （青葉記念会館 大研修室） 11月29日（金） 13:05〜14:20 | |
| 座長 九里伸治（新電元工業） | |
| EDD-19-081 SPC-19-167 |
３次元power Supply On Chip実現のためのプロセス技術の開発 |
| ○横井雅志,小野晃太,石戸降希,新海聡子,松本 聡（九州工業大学） | |
| EDD-19-082 SPC-19-168 |
GaNによるワンチップ・マルチレベル電力変換器における損失解析モデル |
| ○中島 昭（産業技術総合研究所） | |
| EDD-19-083 SPC-19-169 |
β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードを用いたPFC回路のスイッチング特性 |
| ◎有馬 潤,平林 潤,藤田 実,井ノ口大輔（TDK）,佐々木公平,倉又朗人（ノベルクリスタルテクノロジー）,山腰茂伸（タムラ製作所）,福光由章（TDK） | |
| （青葉記念会館 大研修室） 11月29日（金） 14:35〜15:50 | |
| 座長 清水尚博（名古屋大学） | |
| EDD-19-084 SPC-19-170 |
IGBTのEon-VCEsat-SCSOAとEMIノイズとのトレードオフ分析 |
| ◎西 康一,高橋徹雄,楢崎敦司（三菱電機） | |
| EDD-19-085 SPC-19-171 |
1200VダイオードのLCR回路モデルを用いたリカバリ振動現象解析 -カソード構造の改良について- |
| ○布施香織,河村圭子,末代知子（東芝デバイス＆ストレージ）,齋藤 渉（九州大学） | |
| EDD-19-086 SPC-19-172 |
5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTの動作実証 |
| ○更屋拓哉,伊藤一夫,高倉俊彦,福井宗利,鈴木慎一,竹内 潔（東京大学） 附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研究所） 沼沢陽一郎（明治大学） 佐藤克己（三菱電機） 末代知子（東芝デバイス&ストレージ） 齋藤 渉（九州大学） 角嶋邦之,星井拓也,古川和由,渡辺正裕, 執行直之,若林 整,筒井一生,岩井 洋（東京工業大学） 小椋厚志（明治大学） 西澤伸一（九州大学） 大村一郎（九州工業大学） 大橋弘通（東京工業大学） 平本俊郎（東京大学） |
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| ※ | 1件当り25分(質疑応答5分を含む) |