| 電子デバイス研究会 |
| 豊田一彦（佐賀大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 寺島知秀（三菱電機） | |
| 〔幹 事〕 | 星 拓也（日本電信電話，正田真利恵（ニコン） | |
| 〔幹事補佐〕 | 西脇達也（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| 日 時 | 2020年3月2日（月） 14:00〜17:00 | |
| 2020年3月3日（火） 9:00〜11:20 | ||
| 場 所 | 絹の渓谷 碧流 栃木県日光市藤原19-25 交通：東武鉄道鬼怒川線で鬼怒川公園駅下車、徒歩5分。 詳細は次のURLをご参照ください。http://www.hoyojo.nttkikinkenpo.or.jp/hekiryusou/?category_name=access(http://www.hoyojo.nttkikinkenpo.or.jp/hekiryusou/?category_name=access) |
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| 協 賛 | 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用調査専門委員会，ナノエレクトロニクス基盤ヘテロ集積化・応用技術調査専門委員会 | |
| 議 題 | テーマ「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」 | |
| （絹の渓谷 碧流） 3月2日（月） 14:00〜15:30 テーマ「GaNデバイス」 | |
| 座長 谷口 理（ソニーセミコンダクタソリューションズ） | |
| EDD-20-036 | 650V耐圧車載グレードのGaNパワートランジスタの開発 |
| ○庄野 健,細田 勉,今西健治,浅井祥守（トランスフォーム・ジャパン）,バーロナルド,ウーイーフェン,パリクプリミット（Transphorm Inc.） | |
| EDD-20-037 | ディープリセス構造を用いたノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 |
| ○加藤大望,梶原瑛祐,向井 章,大野浩志,新留 彩,田島純平,彦坂年輝,蔵口雅彦,布上真也（東芝） | |
| EDD-20-038 | 表面活性化接合法により作製したダイヤモンド基板上GaNデバイス |
| ○檜座秀一,藤川正洋,滝口雄貴,西村邦彦,柳生栄治,山向幹雄（三菱電機）,松前貴司,倉島優一,高木秀樹（産業技術総合研究所） | |
| （絹の渓谷 碧流） 3月2日（月） 15:55〜17:00 テーマ「ワイドギャップ材料物性と新領域」 | |
| 座長 星 拓也（日本電信電話） | |
| EDD-20-039 | ワイドバンドギャップ半導体を利用した量子センサ開発 |
| ○小野田忍（量子科学技術研究開発機構）,磯谷順一（筑波大学）,寺地徳之（物質・材料研究機構）,川原田洋,谷井孝至（早稲田大学）,加田 渉（群馬大学）,波多野睦子（東京工業大学）,大島 武（量子科学技術研究開発機構） | |
| EDD-20-040 | 炭化ケイ素半導体を用いた耐放射線性イメージセンサの開発 |
| ○武山昭憲（量子科学技術研究開発機構）,清水奎吾（産業技術総合研究所）,西垣内健汰,長谷部 史明,目黒達也（広島大学）,牧野高紘,山﨑雄一（量子科学技術研究開発機構）,黒木伸一郎（広島大学）,大島 武（量子科学技術研究開発機構）,田中保宣（産業技術総合研究所） | |
| （絹の渓谷 碧流） 3月3日（火） 9:00〜10:05 テーマ「ワイドギャップ半導体デバイス」 | |
| 座長 奥 友希（三菱電機） | |
| EDD-20-041 | 低RonQoss特性を有するGaN基板上GaNトランジスタを用いた高効率・MHz級高速駆動昇圧DC-DCコンバータの開発 |
| ○宇治田信二,半田浩之,楊 忠叡,柴田大輔,小川雅弘,田中健一郎,田村聡之,初田次康（パナソニック） | |
| EDD-20-042 | SiC-MOSFETの回路シミュレーションモデルの開発 |
| ○椋木康滋（三菱電機） | |
| （絹の渓谷 碧流） 3月3日（火） 10:30〜11:20 テーマ「III-V族化合物半導体デバイス」 | |
| 座長 松崎秀昭（日本電信電話） | |
| EDD-20-043 | Sonyの半導体レーザ開発の現状と展望 |
| ○若林和弥（ソニーセミコンダクターソリューションズ株式会社） | |
| EDD-20-044 | 超1 THz動作実現にむけた基板転写InP DHBTのエピタキシャル成長技術 |
| ◎星 拓也,白鳥悠太,松崎秀昭（日本電信電話） | |