電子デバイス
半導体電力変換
合同研究会
  〔委 員 長〕 寺島知秀(三菱電機)
  〔副委員長〕 猪川 洋(静岡大学)
  〔幹  事〕 正田真利恵(ニコン),西脇達也(東芝デバイス&ストレージ)
  〔幹事補佐〕 平野拓一(東京都市大学)
 
  〔委 員 長〕 船渡寛人(宇都宮大学)
  〔副委員長〕 藤井幹介(富士電機)
  〔幹  事〕 伊東淳一(長岡技術科学大学),磯部高範(筑波大学)
  〔幹事補佐〕 図子祐輔(日産自動車),高見 弘(芝浦工業大学)
 
 
日 時 2020年12月21日(月) 9:10〜17:00
  2020年12月22日(火) 9:00〜15:55
場 所 Web開催
共 催 IEEE Industry Applications Society Japan Chapter(IAS), IEEE Industrial Electronics Society Japan Joint Chapter(IES), IEEE Power Electronics Society Japan Chapter(PELS)
協 賛 パワーデバイス・パワーIC 高性能化及び高品質化技術調査専門委員会,SiCとGaNと共に発展するパワーエレクトロニクスにおけるシステムインテグレーション技術調査専門委員会
議 題 テーマ「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」

  

12月21日(月) 9:10〜10:25 
座長 宮澤哲哉(電力中央研究所)
 
EDD-20-050
SPC-20-200
パラメータ推定を用いたSiC-MOSFETのNear Interface Trap密度分布の評価
○山下侑佑(豊田中央研究所)
 
EDD-20-051
SPC-20-201
DCブレーカ応用のための並列SiC-MOSFET耐圧ばらつき許容範囲の検討
◎Lou Zaiqi,齋藤 渉,西澤伸一(九州大学)
 
EDD-20-052
SPC-20-202
Hall効果機構の再考察と量子Hall効果の新しい解釈
○高田育紀(元三菱電機)
 
12月21日(月) 10:40〜11:55 
座長 鬼塚浩平(東芝)
 
EDD-20-053
SPC-20-203
H2L動作および広範囲電圧利得を有するLLC回路の検討
◎木下勇輝,芳賀 仁(長岡技術科学大学)
 
EDD-20-054
SPC-20-204
EMI自動修復デジタルゲートドライバの提案と実証
◎森川隆造,畑 勝裕,高宮 真(東京大学)
 
EDD-20-055
SPC-20-205
デジタルゲートドライブ方式を用いたIGBTのスイッチング特性最適化技術の研究
◎原崎宏治,附田正則,大村一郎(九州工業大学)
 
12月21日(月) 13:00〜15:05 
座長 杉浦賢二(アイスモス・テクノロジー・ジャパン)
 
EDD-20-056
SPC-20-206
60-150 V系フィールドプレートパワーMOSFETの損失低減に向けた設計指針
◎小川大地,齋藤 渉,西澤伸一(九州大学)
 
EDD-20-057
SPC-20-207
650V定格FP-MOSFET実現に向けた理論検討
◎星原宏紀,伊東篤史,大村一郎(九州工業大学)
 
EDD-20-058
SPC-20-208
アナログIC向けLDMOSの負入力耐性とESD耐性を両立させるセルレイアウトの開発
○小松香奈子(東芝デバイス&ストレージ株式会社),篠原大輔,清水茉莉子,石井良明,坂本寿博,松岡史倫(東芝デバイス&ストレージ)
 
EDD-20-059
SPC-20-209
ホットキャリア注入によるPchLDMOSの耐圧変動メカニズムに関する研究
◎葛西紘貴,篠原大輔,清水茉莉子,石井良明,小松香奈子,坂本寿博,松岡史倫(東芝デバイス&ストレージ)
 
EDD-20-060
SPC-20-210
薄層SOIパワーnMOSFETとpMOSFETのホットキャリア効果の比較
◎有吉和麻,松本 聡,渡邉晃彦(九州工業大学)
 
12月21日(月) 15:20〜17:00 
座長 舟木 剛(大阪大学)
 
EDD-20-061
SPC-20-211
パワーデバイスを対象とした電力回生型連続スイッチング試験装置
◎林真一郎,和田圭二(東京都立大学)
 
EDD-20-062
SPC-20-212
パワーデバイス電流集中測定技術
◎西尾成植,松浦成哉,附田正則,大村一郎(九州工業大学)
 
EDD-20-063
SPC-20-213
赤外線カメラを使用したパワー半導体の歪みと温度の同時モニタリング
◎増田貴樹,渡邉晃彦,大村一郎(九州工業大学)
 
EDD-20-064
SPC-20-214
パワーサイクル試験の高精度化に向けた研究
◎川内勇真,秋元健志,渡邉晃彦,大村一郎(九州工業大学)
 
12月22日(火) 9:00〜10:15 
座長 山下侑佑(豊田中央研究所)
 
EDD-20-065
SPC-20-215
SiCショットキーバリアダイオードを多直列した超高耐圧モジュールにおける電圧分担に関する一考察
◎野村優貴(大阪大学),花田俊雄,中村 孝(福島SiC応用技研),舟木 剛(大阪大学)
 
EDD-20-066
SPC-20-216
SiCパワーデバイスを使ったハイブリッド電化航空機給電システムの検討
○佐藤伸二,加藤史樹,宝蔵寺裕之,八尾 惇,佐藤 弘,山口 浩(産業技術総合研究所)
 
EDD-20-067
SPC-20-217
安定動作するダイレクト駆動GaNカスコードデバイス
○杉山 亨,洪 洪,磯部康裕,吉岡 啓,安住壮紀,佐藤裕介,辻 正敬, 劉一堯,梅川真一(東芝デバイス&ストレージ),梶原瑛祐,小山将央,池田 健太郎(東芝)
 
12月22日(火) 10:30〜11:45 
座長 中村勝光(三菱電機)
 
EDD-20-068
SPC-20-218
13kV UHV-IGBTの理論検討
◎伊東篤史,大村一郎(九州工業大学)
 
EDD-20-069
SPC-20-219
航空機用パワー半導体の宇宙線故障率解析
◎Gollapudi Srikanth,大村一郎(九州工業大学)
 
EDD-20-070
SPC-20-220
Deep-N層によるIGBTの宇宙線耐量改善
◎吉川大輝(東芝デバイス&ストレージ),林 才人,山下浩明,川口雄介(東芝デバイス&ストレージ)
 
12月22日(火) 13:10〜14:25 
座長 住友正清(デンソー)
 
EDD-20-071
SPC-20-221
1200VダイオードのLCR回路モデルを用いたリカバリ振動解析
○布施香織,河村圭子,末代知子(東芝デバイス&ストレージ)
 
EDD-20-072
SPC-20-222
スプリットゲート構造を用いた低損失・低ノイズなCSTBTベースのRC-IGBT
◎西 康一,古川彰彦(三菱電機)
 
EDD-20-073
SPC-20-223
オン時帰還容量低減と部分ライフタイム制御を適用した1200V級RC-IGBT
◎曽根田真也,新田哲也,古川彰彦(三菱電機)
 
12月22日(火) 14:40〜15:55 
座長 吉川大輝(東芝デバイス&ストレージ)
 
EDD-20-074
SPC-20-224
1200VダブルゲートIGBTのターンオフ特性におけるdV/dt依存性の解析
○岩鍜治陽子,末代知子(東芝デバイス&ストレージ),坂野竜則,高尾和人(東芝)
 
EDD-20-075
SPC-20-225
エッジ終端構造を有するIGBTモデルによるUIS時の電流フィラメント生成および破壊モードのTCAD解析
○三塚 要,小野澤勇一(富士電機),中川明夫(中川コンサルティング事務所)
 
EDD-20-076
SPC-20-226
15V駆動の微細IGBTにおける電流飽和メカニズムの研究
○伊倉巧裕,小野澤勇一(富士電機),中川明夫(中川コンサルティング事務所)
 

  

1件あたり25分(質疑応答5分を含む)
2020.12.14
本研究会(Web開催)のガイドラインを作成致しました。
以下より<電子デバイス/半導体電力変換合同研究会_Webexガイドライン>をダウンロード頂き、ご一読をお願い致します。
http://www2.iee.or.jp/ver2/honbu/03-data/2020eddspcWebExguidline.pdf|