| 電子デバイス 半導体電力変換 |
合同研究会 |
| 寺島知秀（三菱電機） | ||
| 〔副委員長〕 | 猪川 洋（静岡大学） | |
| 〔幹 事〕 | 正田真利恵（ニコン），西脇達也（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| 〔幹事補佐〕 | 平野拓一（東京都市大学） | |
| 船渡寛人（宇都宮大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 藤井幹介（富士電機） | |
| 〔幹 事〕 | 伊東淳一（長岡技術科学大学），磯部高範（筑波大学） | |
| 〔幹事補佐〕 | 図子祐輔（日産自動車），高見 弘（芝浦工業大学） | |
| 日 時 | 2020年12月21日（月） 9:10〜17:00 | |
| 2020年12月22日（火） 9:00〜15:55 | ||
| 場 所 | Web開催 | |
| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter（IAS）, IEEE Industrial Electronics Society Japan Joint Chapter（IES）, IEEE Power Electronics Society Japan Chapter（PELS） | |
| 協 賛 | パワーデバイス・パワーIC 高性能化及び高品質化技術調査専門委員会，SiCとGaNと共に発展するパワーエレクトロニクスにおけるシステムインテグレーション技術調査専門委員会 | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 | |
| 12月21日（月） 9:10〜10:25 | |
| 座長 宮澤哲哉（電力中央研究所） | |
| EDD-20-050 SPC-20-200 |
パラメータ推定を用いたSiC-MOSFETのNear Interface Trap密度分布の評価 |
| ○山下侑佑（豊田中央研究所） | |
| EDD-20-051 SPC-20-201 |
DCブレーカ応用のための並列SiC-MOSFET耐圧ばらつき許容範囲の検討 |
| ◎Lou Zaiqi,齋藤 渉,西澤伸一（九州大学） | |
| EDD-20-052 SPC-20-202 |
Hall効果機構の再考察と量子Hall効果の新しい解釈 |
| ○高田育紀（元三菱電機） | |
| 12月21日（月） 10:40〜11:55 | |
| 座長 鬼塚浩平（東芝） | |
| EDD-20-053 SPC-20-203 |
H2L動作および広範囲電圧利得を有するLLC回路の検討 |
| ◎木下勇輝,芳賀 仁（長岡技術科学大学） | |
| EDD-20-054 SPC-20-204 |
EMI自動修復デジタルゲートドライバの提案と実証 |
| ◎森川隆造,畑 勝裕,高宮 真（東京大学） | |
| EDD-20-055 SPC-20-205 |
デジタルゲートドライブ方式を用いたIGBTのスイッチング特性最適化技術の研究 |
| ◎原崎宏治,附田正則,大村一郎（九州工業大学） | |
| 12月21日（月） 13:00〜15:05 | |
| 座長 杉浦賢二（アイスモス・テクノロジー・ジャパン） | |
| EDD-20-056 SPC-20-206 |
60-150 V系フィールドプレートパワーMOSFETの損失低減に向けた設計指針 |
| ◎小川大地,齋藤 渉,西澤伸一（九州大学） | |
| EDD-20-057 SPC-20-207 |
650V定格FP-MOSFET実現に向けた理論検討 |
| ◎星原宏紀,伊東篤史,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-20-058 SPC-20-208 |
アナログIC向けLDMOSの負入力耐性とESD耐性を両立させるセルレイアウトの開発 |
| ○小松香奈子（東芝デバイス＆ストレージ株式会社）,篠原大輔,清水茉莉子,石井良明,坂本寿博,松岡史倫（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-20-059 SPC-20-209 |
ホットキャリア注入によるPchLDMOSの耐圧変動メカニズムに関する研究 |
| ◎葛西紘貴,篠原大輔,清水茉莉子,石井良明,小松香奈子,坂本寿博,松岡史倫（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-20-060 SPC-20-210 |
薄層SOIパワーnMOSFETとpMOSFETのホットキャリア効果の比較 |
| ◎有吉和麻,松本 聡,渡邉晃彦（九州工業大学） | |
| 12月21日（月） 15:20〜17:00 | |
| 座長 舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-20-061 SPC-20-211 |
パワーデバイスを対象とした電力回生型連続スイッチング試験装置 |
| ◎林真一郎,和田圭二（東京都立大学） | |
| EDD-20-062 SPC-20-212 |
パワーデバイス電流集中測定技術 |
| ◎西尾成植,松浦成哉,附田正則,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-20-063 SPC-20-213 |
赤外線カメラを使用したパワー半導体の歪みと温度の同時モニタリング |
| ◎増田貴樹,渡邉晃彦,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-20-064 SPC-20-214 |
パワーサイクル試験の高精度化に向けた研究 |
| ◎川内勇真,秋元健志,渡邉晃彦,大村一郎（九州工業大学） | |
| 12月22日（火） 9:00〜10:15 | |
| 座長 山下侑佑（豊田中央研究所） | |
| EDD-20-065 SPC-20-215 |
SiCショットキーバリアダイオードを多直列した超高耐圧モジュールにおける電圧分担に関する一考察 |
| ◎野村優貴（大阪大学）,花田俊雄,中村 孝（福島SiC応用技研）,舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-20-066 SPC-20-216 |
SiCパワーデバイスを使ったハイブリッド電化航空機給電システムの検討 |
| ○佐藤伸二,加藤史樹,宝蔵寺裕之,八尾 惇,佐藤 弘,山口 浩（産業技術総合研究所） | |
| EDD-20-067 SPC-20-217 |
安定動作するダイレクト駆動GaNカスコードデバイス |
| ○杉山 亨,洪 洪,磯部康裕,吉岡 啓,安住壮紀,佐藤裕介,辻 正敬, 劉一堯,梅川真一（東芝デバイス＆ストレージ）,梶原瑛祐,小山将央,池田 健太郎（東芝） | |
| 12月22日（火） 10:30〜11:45 | |
| 座長 中村勝光（三菱電機） | |
| EDD-20-068 SPC-20-218 |
13kV UHV-IGBTの理論検討 |
| ◎伊東篤史,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-20-069 SPC-20-219 |
航空機用パワー半導体の宇宙線故障率解析 |
| ◎Gollapudi Srikanth,大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-20-070 SPC-20-220 |
Deep-N層によるIGBTの宇宙線耐量改善 |
| ◎吉川大輝（東芝デバイス＆ストレージ）,林 才人,山下浩明,川口雄介（東芝デバイス&ストレージ） | |
| 12月22日（火） 13:10〜14:25 | |
| 座長 住友正清（デンソー） | |
| EDD-20-071 SPC-20-221 |
1200VダイオードのLCR回路モデルを用いたリカバリ振動解析 |
| ○布施香織,河村圭子,末代知子（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-20-072 SPC-20-222 |
スプリットゲート構造を用いた低損失・低ノイズなCSTBTベースのRC-IGBT |
| ◎西 康一,古川彰彦（三菱電機） | |
| EDD-20-073 SPC-20-223 |
オン時帰還容量低減と部分ライフタイム制御を適用した1200V級RC-IGBT |
| ◎曽根田真也,新田哲也,古川彰彦（三菱電機） | |
| 12月22日（火） 14:40〜15:55 | |
| 座長 吉川大輝（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-20-074 SPC-20-224 |
1200VダブルゲートIGBTのターンオフ特性におけるdV/dt依存性の解析 |
| ○岩鍜治陽子,末代知子（東芝デバイス＆ストレージ）,坂野竜則,高尾和人（東芝） | |
| EDD-20-075 SPC-20-225 |
エッジ終端構造を有するIGBTモデルによるUIS時の電流フィラメント生成および破壊モードのTCAD解析 |
| ○三塚 要,小野澤勇一（富士電機）,中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| EDD-20-076 SPC-20-226 |
15V駆動の微細IGBTにおける電流飽和メカニズムの研究 |
| ○伊倉巧裕,小野澤勇一（富士電機）,中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| ※ | 1件あたり25分(質疑応答5分を含む) |
| ※ | 2020.12.14 本研究会（Web開催）のガイドラインを作成致しました。 以下より＜電子デバイス／半導体電力変換合同研究会_Webexガイドライン＞をダウンロード頂き、ご一読をお願い致します。 http://www2.iee.or.jp/ver2/honbu/03-data/2020eddspcWebExguidline.pdf| |