| （オンライン開催） 3月3日（水） 10:00〜11:55 テーマ「評価・分析技術」 |
| 座長 谷口 理（ソニーセミコンダクタソリューションズ） |
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| EDD-21-024 |
微分位相コントラストSTEMによる材料・デバイス局所電磁場解析 |
| ○柴田直哉（東京大学） |
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| EDD-21-025 |
時空間オペランドX線分光による表面電子捕獲の時空間ダイナミクス研究 |
| ○吹留博一（東北大学） |
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| EDD-21-033 |
高周波GaN-HEMTの特性劣化メカニズム解析 |
| ○舘野泰範（住友電気工業） |
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| EDD-21-031 |
界面電荷量によるGaN HEMTの耐圧制御の提案 |
| ○宮本恭幸（東京工業大学/名古屋大学）,後藤高寛（東京工業大学） |
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| （オンライン開催） 3月3日（水） 13:00〜14:30 テーマ「高周波無線技術」 |
| 座長 松崎秀昭（日本電信電話） |
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| EDD-21-027 |
InP-HEMTを用いたTHz帯電力増幅器および高速無線トランシーバ |
| ◎濱田裕史,堤 卓也,松崎秀昭,杉山弘樹,野坂秀之（日本電信電話株式会社） |
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| EDD-21-028 |
5G向け携帯電話端末用広帯域エンベロープトラッキング電力増幅器 |
| ○向井謙治,野口悠真,竹中幹一郎,高橋新之助,岡部 寛,田中 聡（株式会社村田製作所） |
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| EDD-21-029 |
小型周波数補償回路を装荷した第5世代移動通信基地局向け小型GaNドハティ増幅器モジュール |
| ○坂田修一,嘉藤勝也,寺西絵理,杉谷拓海,福永 啓,小松崎優治,山中宏治（三菱電機株式会社） |
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| （オンライン開催） 3月3日（水） 15:00〜16:30 テーマ「デバイスプロセス技術」 |
| 座長 奥 友希（三菱電機） |
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| EDD-21-030 |
InAs-On-Insulatorチャネルの極薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるサブバンド制御を利用したnMOSFETの高性能化 |
| ◎隅田 圭,トープラサートポンカシディット,竹中 充,高木信一（東京大学） |
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| EDD-21-032 |
AlTiOゲート絶縁膜とゲートリセスによるAlGaN/GaN MISデバイスの閾値電圧制御 |
| ◎礒田剛大,新村純平,Nguyen Dai Duong,Deng Yuchen,鈴木寿一（北陸先端科学技術大学院大学） |
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| EDD-21-026 |
選択成長法を用いたGaN系FinFET |
| ○筒井一生,濱田拓也,高山 研,金 相佑,星井拓也,角嶋邦之,若林 整（東京工業大学）,高橋言緒,井手利英,清水三聡（産業技術総合研究所） |
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