| 電子デバイス/半導体電力変換 | 合同研究会 |
| 寺島知秀（三菱電機） | ||
| 〔副委員長〕 | 猪川 洋（静岡大学） | |
| 〔幹 事〕 | 西脇達也（東芝デバイス＆ストレージ），平野拓一（東京都市大学） | |
| 〔幹事補佐〕 | 入沢寿史（産業技術総合研究所） | |
| 伊東淳一（長岡技術科学大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 小高章弘（富士電機） | |
| 〔幹 事〕 | 磯部高範（筑波大学），図子祐輔（日産自動車） | |
| 〔幹事補佐〕 | 日下佳祐（長岡技術科学大学），高見 弘（芝浦工業大学） | |
| 日 時 | 2021年10月21日（木） 9:00〜16:10 | |
| 2021年10月22日（金） 9:00〜11:30 | ||
| 場 所 | Web開催 | |
| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter, IEEE Power Electronics Society Japan Chapter, IEEE IES Japan Joint Chapter | |
| 協 賛 | パワーデバイス・パワーIC 高性能化及び高品質化技術調査専門委員会 | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 | |
| 10月21日（木） 9:00〜10:25 | |
| 座長 折川幸司（北海道大学） | |
| EDD-21-041 SPC-21-131 |
３．３ｋＶ耐圧ＳｉＣ ＳＪ－ＭＯＳＦＥＴの特性評価 |
| ◎馬場正和,俵 武志,森本忠雄（産業技術総合研究所）,市川義人,木下明将,武井 学（富士電機）,原田信介（産業技術総合研究所） | |
| EDD-21-042 SPC-21-132 |
MOSFETのスイッチングモデルに関する研究 |
| ◎熊 軼,新井大輔,米澤 遊,今岡 淳,山本真義（名古屋大学） | |
| EDD-21-043 SPC-21-133 |
N並列のSiC MOSFETを用いた固体遮断器の設計方法 |
| ◎Lou Zaiqi（九州大学）,和田圭二（東京都立大学）,齋藤 渉,西澤伸一（九州大学） | |
| 10月21日（木） 10:40〜11:55 | |
| 座長 杉浦賢二（アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社） | |
| EDD-21-044 SPC-21-134 |
ゲート接続トレンチフィールドプレートMOSFETにおけるゲートドライブ技術の提案 |
| ○西脇達也,可知 剛,川口雄介,梅川真一（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-21-045 SPC-21-135 |
高温における薄層SOIパワーnチャネル及びpチャネルMOSFETのACストレスによる素子特性変動の比較 |
| ◎山西理樹（九州工業大学大学院）,松本 聡（九州工業大学） | |
| EDD-21-046 SPC-21-136 |
高耐圧ゲート駆動ICに内蔵する自己遮蔽型レベルシフタの寄生素子動作解析 |
| ○上西顕寛,山路将晴,田中貴英,澄田仁志（富士電機） | |
| 10月21日（木） 13:00〜14:40 | |
| 座長 今岡 淳（名古屋大学） | |
| EDD-21-047 SPC-21-137 |
マルチセルコンバータ方式低電圧バッファレスPETの特性検証 |
| ○林 祐輔,蘇 洪亮,高尾和人（東芝） | |
| EDD-21-048 SPC-21-138 |
パワー半導体デバイスの状態監視を目的とした入力容量Ciss-Vgs特性の測定機能を有するゲート駆動回路 |
| ◎林真一郎,和田圭二（東京都立大学） | |
| EDD-21-049 SPC-21-139 |
二台の電源を用いた高周波トランスの負荷試験法 |
| ◎西川翔悟,折川幸司,小笠原悟司（北海道大学） | |
| EDD-21-050 SPC-21-140 |
駆動回路とパワーデバイスの周波数特性を考慮した フライングキャパシタ型線形増幅回路の安定性解析 |
| ◎楠居琳太郎,日下佳祐,伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| 10月21日（木） 14:55〜16:10 | |
| 座長 山下侑佑（豊田中央研究所） | |
| EDD-21-051 SPC-21-141 |
電気と磁気の単位系の歴史と新しい単位系(ε_0= μ_0= 1 / c)の提起 |
| ○高田育紀（元三菱電機） | |
| EDD-21-052 SPC-21-142 |
コロナショックと半導体産業と日本経済 |
| ○新井大輔,米澤 遊,今岡 淳,山本真義（名古屋大学） | |
| EDD-21-053 SPC-21-143 |
車載インバータ用RC-IGBT開発の黎明期（2004年～2006年）は、一技術者からどう見えたか |
| ○戸倉規仁（無所属） | |
| 10月22日（金） 9:00〜10:25 | |
| 座長 三好智之（日立製作所） | |
| EDD-21-054 SPC-21-144 |
新コンタクト構造を持つ低SWロス600V RC-IGBT |
| ○鈴木健司（三菱電機）,吉田拓弥（メルコセミコンダクタエンジニアリング）,原口友樹,纐纈英典,楢崎敦司（三菱電機） | |
| EDD-21-055 SPC-21-145 |
両面リソグラフィ技術を用いた3.3kV両面ゲートIGBT（BC-IGBT） |
| ○更屋拓哉,伊藤一夫,高倉俊彦,福井宗利,鈴木慎一,竹内 潔（東京大学）,附田正則（九州工業大学）,佐藤克己（三菱電機）,末代知子（東芝デバイス&ストレージ）,角嶋邦之,星井拓也,筒井一生,岩井 洋（東京工業大学）,小椋厚志（明治大学）,齋藤 渉，西澤伸一（九州大学），大村一郎（九州工業大学），大橋弘通（NPERC-J），平本俊郎（東京大学） | |
| EDD-21-056 SPC-21-146 |
広いSOAと高い誤点弧耐量を有する1200V級5V駆動CSTBTTM |
| ◎西 康一,月東綾則,田中香次,古川彰彦（三菱電機） | |
| 10月22日（金） 10:40〜11:30 | |
| 座長 中村勝光（三菱電機） | |
| EDD-21-057 SPC-21-147 |
IGBTのターンオン電圧テールの抑制 |
| ○伊倉巧裕（富士電機）,中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| EDD-21-058 SPC-21-148 |
IGBTにおけるUIS動作中の電流フィラメント解析 |
| ○田中雅浩,阿部直樹（日本シノプシス合同会社）,中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| ※ | 1件当り25分(質疑応答5分を含む) |
| ※ | 研究会資料は開催初日の3日前から，電気学会電子図書館Book Park（https://www.bookpark.ne.jp/ieej/）にて購入いただけます。 詳細等は， 研究会参加者の皆様へのご案内（https://www.iee.jp/blog/notice-for-tm-participants/）よりご確認ください。 |