| 電子デバイス研究会 |
| 寺島知秀（三菱電機） | ||
| 〔副委員長〕 | 猪川 洋（静岡大学） | |
| 〔幹 事〕 | 正田真利恵（ニコン），西脇達也（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| 〔幹事補佐〕 | 平野拓一（東京都市大学） | |
| 研究会資料は開催初日の3日前から，電気学会電子図書館(Book Park)にて購入いただけます。 詳細は，研究会参加者の皆様へのご案内よりご確認ください。 |
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| 日 時 | 2022年3月9日（水） 10:15〜16:35 | |
| 場 所 | Web開催 |
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| 協 賛 | 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）調査専門委員会，ナノエレクトロニクス機能化・応用技術調査専門委員会 | |
| 議 題 | テーマ「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」 | |
| （オンライン開催） 3月9日（水） 10:15〜11:50 テーマ「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」 | |
| 座長 松崎秀昭（日本ルメンタム） | |
| EDD-22-017 | シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究 |
| ○黒木伸一郎,志摩拓真,目黒達也,Vuong Van Cuong（広島大学）,武山昭憲,牧野高紘,大島 武（量子科学技術研究開発機構）,児島一聡,田中保宣（産業技術総合研究所） | |
| EDD-22-018 | フォトニクス技術を利用したミリ波・テラヘルツ波応用のための半導体デバイス技術 |
| ○永妻忠夫（大阪大学） | |
| EDD-22-019 | Ku帯マルチキャリア対応衛星通信地球局用内部整合型GaN HEMT増幅器 |
| ◎杉谷拓海,吉岡貴章,山崎貴嗣,野上洋一（三菱電機） | |
| （オンライン開催） 3月9日（水） 13:00〜14:30 テーマ「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」 | |
| 座長 奥 友希（三菱電機） | |
| EDD-22-020 | NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性 |
| ◎中沼貴澄,小林拓真（大阪大学）,染谷 満,岡本光央（産業技術総合研究所）,吉越章隆（日本原子力研究開発機構）,細井卓治,志村考功,渡部平司（大阪大学） | |
| EDD-22-021 | AlNゲート絶縁体を用いたAlGaN/GaN MISデバイスにおける絶縁体/半導体界面層挿入の効果 |
| ◎松山秀幸,Deng Yuchen,鈴木寿一（北陸先端科学技術大学院大学） | |
| EDD-22-022 | 多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法とAlGaN/GaNヘテロ構造への適用 |
| ◎瓜生和也（北陸先端科学技術大学院大学, アドバンテスト研究所）,木内翔太（北陸先端科学技術大学院大学）,佐藤 拓（アドバンテスト研究所）,鈴木寿一（北陸先端科学技術大学院大学） | |
| （オンライン開催） 3月9日（水） 14:50〜16:35 テーマ「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」 | |
| 座長 谷口 理（ソニーセミコンダクタソリューションズ） | |
| EDD-22-023 | 無線電力伝送用大電力レクテナ |
| ○伊東健治,坂井尚貴,野口啓介（金沢工業大学） | |
| EDD-22-024 | GaN HEMTを用いたGated-Anodeダイオードのマイクロ波整流特性 |
| ○分島彰男,土屋洋一（名古屋工業大学）,安藤裕二,高橋英匡,新田州吾（名古屋大学）,柳生栄治,林 宏暁（三菱電機）,伊東健治,坂井尚貴（金沢工業大学） | |
| EDD-22-025 | GaNとSiCを一体化したハイブリッド型HEMTの研究開発 |
| ○中島 昭,平井悠久,三浦喜直,原田信介（産業技術総合研究所） | |
| ※ | 研究会資料は開催初日の3日前から，電気学会電子図書館Book Park（https://www.bookpark.ne.jp/ieej/）にて購入いただけます。 詳細等は， 研究会参加者の皆様へのご案内（https://www.iee.jp/blog/notice-for-tm-participants/）よりご確認ください。 |