電子デバイス/半導体電力変換 | 合同研究会 |
猪川 洋(静岡大学) | ||
〔副委員長〕 | 奥村治彦(東芝) | |
〔幹 事〕 | 入沢寿史(産業技術総合研究所),平野拓一(東京都市大学) | |
〔幹事補佐〕 | 奥 友希(三菱電機) | |
伊東淳一(長岡技術科学大学) | ||
〔副委員長〕 | 小高章弘(富士電機) | |
〔幹 事〕 | 磯部高範(筑波大学),図子祐輔(日産自動車) | |
〔幹事補佐〕 | 日下佳祐(長岡技術科学大学),高見 弘(芝浦工業大学) | |
研究会資料は開催初日の3日前から,電気学会電子図書館(Book Park)にて購入いただけます。 詳細は,研究会参加者の皆様へのご案内よりご確認ください。 |
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日 時 | 2022年12月1日(木) 9:00〜17:45 | |
2022年12月2日(金) 9:00〜15:30 | ||
場 所 | 北海道大学学術交流会館第一会議室およびWEB開催 北海道札幌市北区北8条西5丁目 |
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共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter IEEE Power Electronics Society Japan Chapter IEEE IES Japan Joint Chapter | |
協 賛 | パワーデバイス・パワーIC 高性能化及び高品質化技術調査専門委員会 | |
議 題 | テーマ「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 |
(北海道大学学術交流会館第一会議室およびWEB) 12月1日(木) 9:00〜10:10 | |
座長 山下侑佑(豊田中央研究所) | |
EDD-22-032 SPC-22-172 |
V溝型SiCトレンチMOSFET搭載フルSiCパワーモジュール |
◎金田達志, 日吉 透, 内田光亮, 倉島宏実(住友電気工業) | |
EDD-22-033 SPC-22-173 |
パワーサイクル劣化を検出するセンサデバイスの開発 |
◎塚本達也, 斎藤 渉, 西澤伸一(九州大学) | |
EDD-22-034 SPC-22-174 |
IGBT高熱負荷工程におけるSiウェハの転位挙動及びプロセス低温化の検討 |
◎袁 九洋, 宮村佳児, 中野 智, 齋藤 渉, 西澤伸一(九州大学) | |
(北海道大学学術交流会館およびWEB) 12月1日(木) 10:25〜11:45 | |
座長 渡辺大貴(長岡技術科学大学) | |
EDD-22-035 SPC-22-175 |
結合インダクタ方式2相昇圧DC-DCコンバータへの回路平衡化適用によるコモンモードノイズ抑制 |
◎永井友崇, 佐々木守, 今岡 淳, 山本真義(名古屋大学), 仲野 陽(アルプスアルパイン株式会社) | |
EDD-22-036 SPC-22-176 |
インバータ主回路の浮遊容量がスイッチング特性に及ぼす影響とその低減法の検討 |
○小笠原悟司, 石川光亮, 折川幸司(北海道大学), 竹本真紹(岡山大学) | |
EDD-22-037 SPC-22-177 |
交流リアクトルを有するインバータシステムのDCリンクキャパシタモニタリングの実験検証 |
◎廣瀬優斗, 長谷川一徳(九州工業大学) | |
EDD-22-038 SPC-22-178 |
〔欠番〕 |
(北海道大学学術交流会館第一会議室およびWEB) 12月1日(木) 13:00〜14:00 | |
座長 太田涼介(東京理科大学) | |
EDD-22-039 SPC-22-179 |
パワーモジュールに適用する絶縁用セラミックスの過渡熱抵抗に関する実験的検討 |
◎清水優人, 福永崇平, 舟木 剛(大阪大学) | |
EDD-22-040 SPC-22-180 |
大容量向けパワーモジュールにおける導体形状による電流バランス改善 |
○田代匠太, 市倉優太, 瀧本和靖(東芝インフラシステムズ株式会社), 石黒崇裕(東芝エネルギーシステムズ株式会社) | |
EDD-22-041 SPC-22-181 |
GaNデバイスを適用したMHz駆動インバータの主回路損失解析 |
◎山口正通, 日下佳祐, 伊東淳一(長岡技術科学大学) | |
(北海道大学学術交流会館第一会議室およびWEB) 12月1日(木) 14:15〜15:50 | |
座長 新井大輔(名古屋大学) | |
EDD-22-042 SPC-22-182 |
窒化物半導体の光電気化学エッチングと電子デバイス応用 |
○佐藤威友(北海道大学) | |
EDD-22-043 SPC-22-183 |
正孔はどのように移動するのか? |
○高田育紀(所属なし) | |
EDD-22-044 SPC-22-184 |
局所ライフタイムキラー制御によるフィールドプレート(FP)MOSFETの逆回復電荷と漏れ電流のトレードオフ改善 |
○小林勇介(東芝), 西脇達也(東芝デバイス&ストレージ ), 可知 剛, 下條亮平(東芝デバイス&ストレージ), 雁木比呂, 馬場祥太郎, 福田大地, 井口智明, 高尾和人(東芝) | |
EDD-22-045 SPC-22-185 |
デジタルゲートドライバー用パワーモジュールの設計検証 |
◎LOU ZAIQI, Mamee Thatree(九州大学), 畑 勝裕, 高宮 真(東京大学), 西澤伸一, 齋藤 渉(九州大学) | |
(北海道大学学術交流会館第一会議室およびWEB) 12月1日(木) 16:05〜17:45 | |
座長 日下佳祐(長岡技術科学大学) | |
EDD-22-046 SPC-22-186 |
非対称な三相変圧器を用いたCurrent-fed Dual Active Bridgeコンバータ |
◎陳 一宇, 太田涼介, 星 伸一(東京理科大学) | |
EDD-22-047 SPC-22-187 |
幅広い入力電圧に対応可能な直並列切替型フライバックコンバータ |
◎河合勇貴, 菊地尚斗, 渡辺大貴, 伊東淳一(長岡技術科学大学) | |
EDD-22-048 SPC-22-188 |
電流三角波モードを適用したフライングキャパシタ形Current-Fed DABコンバータの動作領域拡大法 |
◎大野貴志, 渡辺大貴, 伊東淳一(長岡技術科学大学) | |
EDD-22-049 SPC-22-189 |
複数巻線を用いたMRM用高磁束発生回路 |
◎花田哲郎(九州工業大学), 和田圭二(東京都立大学), 高宮 真(東京大学), 赤津 観(横浜国立大学), 大村一郎(九州工業大学) | |
EDD-22-050 SPC-22-190 |
380 V直流給電システムのための電界結合方式を適用した高パワー密度DCPETの開発 |
◎有田圭吾, 林 祐輔, 高尾和人(東芝) | |
(北海道大学学術交流会館第一会議室およびWEB) 12月2日(金) 9:00〜10:20 | |
座長 児山裕史(東芝インフラシステムズ) | |
EDD-22-051 SPC-22-191 |
過電圧パルス印加によるSiC MOSFETの高速スイッチング手法の提案と実測評価 |
◎野池峻平, 古田 潤, 小林和淑(京都工芸繊維大学) | |
EDD-22-052 SPC-22-192 |
並列トランスまたは抵抗器などの受動素子を用いたアクティブゲートドライバの実験検討 |
◎野下裕市, 庄山正仁(九州大学) | |
EDD-22-053 SPC-22-193 |
データセットを用いた電力変換回路用パワーデバイス選定手法とその評価 |
◎赤崎勇生, 和田圭二(東京都立大学) | |
EDD-22-054 SPC-22-194 |
コモンエミッタIGBTモジュールを用いた三相双方向パルス電流発生回路の動作検証 |
◎山下滉明, 和田圭二(東京都立大学), 高宮 真(東京大学), 大村一郎(九州工業大学), 赤津 観(横浜国立大学) | |
(北海道大学学術交流会館第一会議室およびWEB) 12月2日(金) 10:35〜12:15 | |
座長 三好智之(日立製作所) | |
EDD-22-055 SPC-22-195 |
IGBTターンオフ時の損失―ノイズトレードオフ改善設計 |
◎藤本侑里, 齋藤 渉, 西澤伸一(九州大学) | |
EDD-22-056 SPC-22-196 |
IGBTにおける電流フィラメントの移動に関するTCADでの調査 |
○諏訪剛史(東芝デバイス&ストレージ) | |
EDD-22-057 SPC-22-197 |
高負荷短絡耐性向けIGBTのターンオン動作における強い3次元性について |
○永久克己, 松浦 仁(ルネサスエレクトロニクス) | |
EDD-22-058 SPC-22-198 |
IGBTのターンオンdV/dtの解析手法 |
○伊倉巧裕(富士電機), 中川明夫(中川コンサルティング事務所) | |
EDD-22-059 SPC-22-199 |
スプリットダミーアクティブCSTBTによるリカバリーdV/dt-ターンオン損失トレードの改善 |
○小西和也, 西 康一, 迫 紘平, 古川彰彦(三菱電機) | |
(北海道大学学術交流会館第一会議室およびWEB) 12月2日(金) 13:30〜15:30 | |
座長 中村勝光(三菱電機) | |
EDD-22-060 SPC-22-200 |
新規コレクタ・ゲート制御方式の適用による横型IGBTのオン電圧及びターンオフ損失低減 |
○谷 和樹, 原 賢志, 古川智康(日立製作所), 桜井健司, 内海智之(日立パワーデバイス) | |
EDD-22-061 SPC-22-201 |
ホール制御型ゲートを有する4.5 kVダブルゲートRC-IEGT |
◎加藤貴大(東芝 ), 下條亮平(東芝デバイス&ストレージ), 坂野竜則(東芝 ), 川上陽代, 早瀬茂昭(東芝デバイス&ストレージ), 井口智明, 高尾和人(東芝 ) | |
EDD-22-062 SPC-22-202 |
低オン電圧と低スイッチング損失を両立する3.3kV両面ゲートIGBT(BC-IGBT)の性能向上への取り組み |
○更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内 潔, 平本俊郎(東京大学) | |
EDD-22-063 SPC-22-203 |
Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT)のターンオフ損失低減に向けた寄生素子動作のTCAD検討 |
○福井宗利(東京大学), 小林勇介(東芝), 末代知子(東芝デバイス&ストレージ), 坂野竜則, 井口智明, 高尾和人(東芝), 下條亮平(東芝デバイス&ストレージ), 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 平本俊郎(東京大学) | |
EDD-22-064 SPC-22-204 |
混載型デュアルゲート時空制御HiGT(i-TASC)の検討 |
○鈴木 弘, 三好智之, 森塚 翼, 古川智康(日立製作所) | |
※ | 一般講演 20分(質疑応答5分含む)、基調講演 35分(質疑応答5分含む) |
※ | ハイブリッド開催を予定しております。 |