電子デバイス研究会

	〔委 員 長〕	猪川　洋（静岡大学）
	〔副委員長〕	奥村治彦（東芝）
	〔幹　　事〕	入沢寿史（産業技術総合研究所），平野拓一（東京都市大学）
	〔幹事補佐〕	奥　友希（三菱電機）
	研究会資料は開催初日の3日前から，電気学会電子図書館(Book Park)にて購入いただけます。 詳細は，研究会参加者の皆様へのご案内よりご確認ください。
日　時	2023年3月27日（月）　10:00〜15:40
場　所	ちよだプラットフォームスクエアおよびWeb 東京都千代田区神田錦町3‐21，交通：詳細は次のURLをご参照ください。https://www.yamori.jp/access/
協　賛	高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）調査専門委員会，ナノエレクトロニクス機能化・応用技術調査専門委員会
議　題	テーマ「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用(第2期)」

  

（ちよだプラットフォームスクエア）　3月27日（月）　10:00〜12:00　テーマ「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」
座長　松崎秀昭（日本ルメンタム）
EDD-23-019	5G/6G向けミリ波・サブテラヘルツ波フェイズドアレー実装技術
	○國弘和明, 大島直樹, 丹治康紀（日本電気）, パンジェン, 白根篤史, 岡田健一（東京工業大学）
EDD-23-020	InP系MOS-HEMTによるサブテラヘルツ帯パワーアンプ
	◎熊崎祐介, 尾崎史朗, 岡本直哉, 原　直紀, 中舍安宏, 佐藤　優, 多木俊裕（富士通）
EDD-23-021	InPデバイス高密度異種集積に向けたWaferLevelPackage技術の製造課題と解決へのアプローチ
	◎荒木友輔, 白鳥悠太, 中島史人（日本電信電話）
（ちよだプラットフォームスクエア）　3月27日（月）　13:30〜14:30　テーマ「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」
座長　星　拓也（日本電信電話）
EDD-23-022	内蔵SBDの新規配置構造による、SiC-MOSFETのRonA-逆導通信頼性トレードオフの改善
	◎朝羽俊介（東芝デバイス&ストレージ/東芝）, 古川　大, 楠本雄司（東芝デバイス&ストレージ）, 飯島良介（東芝）, 河野洋志（東芝デバイス&ストレージ）
EDD-23-023	1.2 kV耐圧SiCトレンチMOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
	北村雄大, ○岩室憲幸, 矢野裕司（筑波大学）, 原田信介, 佐藤　弘（産業技術総合研究所）
（ちよだプラットフォームスクエア）　3月27日（月）　15:00〜15:40　テーマ「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」
座長　谷口　理（ソニー）
EDD-23-024	オーミック金属下n-GaNにおける電子移動度向上: 多端子ホール測定による評価
	◎瓜生和也（北陸先端科学技術大学院大学/ アドバンテスト研究所）, Deng Yuchen （北陸先端科学技術大学院大学）, Le Son Phuong （Linkoping大学）, 鈴木寿一（北陸先端科学技術大学院大学）
EDD-23-025	高抵抗炭素ドープGaNバッファ上N極性GaN HEMTの高周波特性評価
	◎吉屋佑樹, 星　拓也, 堤　卓也, 杉山弘樹, 中島史人（日本電信電話株式会社）