電子デバイス/半導体電力変換 | 合同研究会 |
猪川 洋(静岡大学) | ||
〔副委員長〕 | 奥村治彦(東芝) | |
〔幹 事〕 | 入沢寿史(産業技術総合研究所),奥 友希(三菱電機) | |
〔幹事補佐〕 | 正田真利恵(ニコン) | |
伊東淳一(長岡技術科学大学) | ||
〔副委員長〕 | 小高章弘(富士電機) | |
〔幹 事〕 | 磯部高範(筑波大学),図子祐輔(日産自動車) | |
〔幹事補佐〕 | 日下佳祐(長岡技術科学大学),高見 弘(芝浦工業大学) | |
本研究会の研究会資料は2分冊で発行します。 | ||
各分冊の収録論文は以下のとおりとなりますので,ご購入の際はご注意ください。 | ||
なお,研究会資料のタイトル末尾の数字が分冊番号となります。 | ||
【分冊1】 EDD-23-026〜037・039〜044,SPC-23-209〜220・222〜227 | ||
【分冊2】 EDD-23-045〜067,SPC-23-228〜250 | ||
研究会資料は開催初日の3日前から,電気学会電子図書館(Book Park)にて購入いただけます。 詳細は,研究会参加者の皆様へのご案内よりご確認ください。 |
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日 時 | 2023年10月26日(木) 9:20〜17:20 | |
2023年10月27日(金) 9:00〜18:00 | ||
場 所 | 九州大学 西新プラザ 大会議室AB 福岡市早良区西新2-16-23,詳細は次のURLをご参照ください。http://nishijinplaza.kyushu-u.ac.jp/access.html |
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共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter,IEEE Power Electronics Society Japan Chapter,IEEE IES Japan Joint Chapter | |
協 賛 | パワーデバイス及びその使いこなし技術調査専門委員会 | |
議 題 | テーマ「パワーデバイス・電力変換器とその制御」 |
10月26日(木) 9:20〜10:40 | |
座長 加藤修平 (日本大学) | |
EDD-23-026 SPC-23-209 |
二台の電源とコンデンサを用いた高周波トランスの負荷試験法 |
◎添田史穏, 折川幸司(北海道大学), 小笠原悟司(名古屋大学) | |
EDD-23-027 SPC-23-210 |
部分放電試験によるSST用高周波モールドトランスの基礎評価 |
◎米富律騎, 日下佳祐(長岡技術科学大学), 小池直希, 長井慎一郎(ポニー電機株式会社) | |
EDD-23-028 SPC-23-211 |
ISOP型Solid-State Transformerにおけるコモンモードノイズ等価回路のモデリング |
◎菊地尚斗, 渡辺大貴, 伊東淳一(長岡技術科学大学) | |
EDD-23-029 SPC-23-212 |
ゲート磁気結合方式を用いた駆動回路におけるゲート電圧振動抑制方法 |
◎神田大毅, 石井一輝, 浦壁隆浩, 萩原 誠(東京工業大学), 糸川祐樹, 檜垣優介(三菱電機) | |
10月26日(木) 10:50〜12:10 | |
座長 西脇達也(東芝デバイス&ストレージ) | |
EDD-23-030 SPC-23-213 |
新規HVMOS構造によるBootstrap diode(BSD)機能内蔵600V HVIC |
○川崎裕二, 今坂俊博(三菱電機), 渋田侑人, 佐野昇平(メルコセミコンダクタエンジニアリング), 羽生 洋(三菱電機), 橋本修男(メルコセミコンダクタエンジニアリング), 羽野光隆, 吉野 学(三菱電機) | |
EDD-23-031 SPC-23-214 |
SJMOSとFPMOSにおける耐圧の温度依存性差の解析 |
○酒井 敦, 永久克己, 安孫子雄哉, 佃 栄次, 緒方 完(ルネサスエレクトロニクス) | |
EDD-23-032 SPC-23-215 |
金属 抵抗率の温度特性の再検討 - 平均自由行程と残留抵抗の新しい解釈 - |
○高田育紀(なし) | |
EDD-23-033 SPC-23-216 |
オーバードライブSiC MOSFETのスイッチング特性評価 |
◎寒河江貴英(東京都立大学), 林真一郎(千葉工業大学), 和田圭二(東京都立大学) | |
10月26日(木) 13:00〜14:40 | |
座長 中島 昭(産業技術総合研究所) | |
EDD-23-034 SPC-23-217 |
トリガーp-nダイオードの導入によるSBD内蔵SiC MOSFETのサージ耐量向上の検討 |
◎大橋輝之(東芝), 河野洋志, 朝羽俊介(東芝デバイス&ストレージ), 尾形昂洋, 飯島良介(東芝) | |
EDD-23-035 SPC-23-218 |
Si-SJBJT/SiC-MOSFETダーリントンスイッチ |
◎涌井翔真, 矢野浩司(山梨大学) | |
EDD-23-036 SPC-23-219 |
SiCフィン型トレンチMOSFETの提案 |
○清水悠佳, 須藤建瑠, 毛利友紀, 久本 大, 島 明生(日立製作所), 木下昂洋, 村田龍紀, 織田哲男(日立パワーデバイス) | |
EDD-23-037 SPC-23-220 |
温度特性を考慮したGaNデバイスモデルの研究 |
◎井口創介, 原田茂樹, 浦壁隆浩(東京工業大学), 中嶋純一, 堀口剛司, 椋木康滋(三菱電機) | |
EDD-23-038 SPC-23-221 |
〔欠番〕 |
10月26日(木) 14:50〜16:30 | |
座長 住友正清(デンソー) | |
EDD-23-039 SPC-23-222 |
SiC MOSFETのソフトターンオフ短絡保護方法の提案 |
◎杜 赫, Bayarsaikhan Yandagkhuu, 大村一郎(九州工業大学) | |
EDD-23-040 SPC-23-223 |
トレンチIGBTのダイナミックアバランシェ抑制設計 |
◎郭 祺, 西澤伸一, 齋藤 渉(九州大学) | |
EDD-23-041 SPC-23-224 |
IGBTのN-base電位を考慮した追加パルスによるインバータのサージ電圧解析 |
◎境 真一, 長谷川一徳(九州工業大学) | |
EDD-23-042 SPC-23-225 |
3300V スケーリング IGBT におけるダイナミックアバランシェの抑制によるターンオフ dV/dt 制御性の向上 |
◎周 翔, 福井宗利, 竹内 潔, 更屋拓哉, 平本俊郎(東京大学) | |
EDD-23-043 SPC-23-226 |
デジタルゲートドライバを用いたIGBTスイッチング動作におけるゲート電圧振動発生メカニズムの検討 |
◎LOU ZAIQI, Mamee Thatree(九州大学), 畑 勝裕, 高宮 真(東京大学), 西澤伸一, 齋藤 渉(九州大学) | |
10月26日(木) 16:40〜17:20 | |
座長 白石正樹(日立パワーデバイス) | |
EDD-23-044 SPC-23-227 |
パワーエレクトロニクス応用動向から見たパワーデバイスの将来展望 |
○齋藤 渉(九州大学) | |
10月27日(金) 9:00〜10:40 | |
座長 吉川大輝(東芝デバイス&ストレージ) | |
EDD-23-045 SPC-23-228 |
離間ボトムP層CSTBTTMによるターンオフ損失の低減 |
○小西和也, 新田哲也, 玉城朋宏, 曽根田真也(三菱電機) | |
EDD-23-046 SPC-23-229 |
埋め込み電極構造によるターンオン損失の低減 |
○伊倉巧裕(富士電機), 中川明夫(中川コンサルティング事務所) | |
EDD-23-047 SPC-23-230 |
低温プロセスによる15V駆動 浅トレンチIGBT(ST-IGBT)の提案 |
○田中雅浩, 阿部直樹(日本シノプシス), 中川明夫(中川コンサルティング事務所) | |
EDD-23-048 SPC-23-231 |
第3世代650V RC-IGBTの局所ライフタイム制御と高密度配置ダイオードによるジャンクション温度の低減 |
◎阪口浩介, 小西和也, 江口佳佑, 曽根田真也(三菱電機) | |
EDD-23-049 SPC-23-232 |
超低損失RC-IGBTのためのダイオード構造 |
○山下侑佑, 町田 悟((株)豊田中央研究所), 斎藤 順((株)ミライズテクノロジーズ), 妹尾 賢((株)デンソー) | |
10月27日(金) 10:50〜12:10 | |
座長 中村勝光(三菱電機) | |
EDD-23-050 SPC-23-233 |
IGBTの電流フィラメント現象のTCADモデリング上の問題点に関する報告 |
○諏訪剛史, 末代知子(東芝デバイス&ストレージ) | |
EDD-23-051 SPC-23-234 |
低スイッチング損失を実現するトリプルゲートIGBT |
○坂野竜則, 足立建人, 井口智明, 高尾和人(東芝), 岩鍜治陽子, 下條亮平, 末代知子(東芝デバイス&ストレージ) | |
EDD-23-052 SPC-23-235 |
シングルバックゲートとダブルフロントゲートを備えたマルチゲートIGBT |
○小林勇介, 坂野竜則, 加藤貴大, 山本崇人, 井口智明, 高尾和人(東芝), 末代知子, 下條亮平(東芝デバイス&ストレージ), 福井宗利, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 平本俊郎(東京大学) | |
EDD-23-053 SPC-23-236 |
並列IGBTデバイスの電流均一化のためのゲート遅延制御とミラープラトー効果 |
◎とりぱしらびなす, 大村一郎(九州工業大学) | |
10月27日(金) 13:00〜14:40 | |
座長 萬年智介 (筑波大学) | |
EDD-23-054 SPC-23-237 |
パワーデバイスの温度係数を利用したマルチチップモジュールのジャンクション温度推定誤差に関する一検討 |
◎福永崇平, 舟木 剛(大阪大学) | |
EDD-23-055 SPC-23-238 |
過渡的なゲート閾値計測によるジャンクション温度モニタリング方法 |
◎Bayarsaikhan Yandagkhuu, 一郎大村(九州工業大学) | |
EDD-23-056 SPC-23-239 |
パワーデバイスの短絡破壊メカニズムに関する考察 |
○佐藤伸二, 山口大輝, 佐藤 弘(産業技術総合研究所), 田尾仁志, 黒柳貴夫(小松製作所) | |
EDD-23-057 SPC-23-240 |
パワーサイクル劣化を検出するセンサデバイスの機械的ストレス依存性 |
◎山北祐輝(九州大学), 大亀幸樹(九州大学 ), 西澤伸一, 齋藤 渉(九州大学) | |
EDD-23-058 SPC-23-241 |
金属ベース基板を適用したSiCパワーモジュールの最適化設計 |
◎竹田 駿, 河野洋志, 三宅英太郎(東芝デバイス&ストレージ), 井口知洋(東芝), 小谷和也(東芝インフラシステムズ) | |
10月27日(金) 14:50〜16:10 | |
座長 福永崇平(大阪大学) | |
EDD-23-059 SPC-23-242 |
水素燃料電池自動車の損失増加インバータ制御による制動力向上と実験検証 |
◎坂本 仁, 加藤修平(日本大学) | |
EDD-23-060 SPC-23-243 |
2MHz以上のTCM駆動を想定した DC-ACコンバータの設計要件の明確化 |
楠居琳太郎, ◎鵜澤匠宏, 渡辺大貴, 岩本拓巳, 伊東淳一(長岡技術科学大学) | |
EDD-23-061 SPC-23-244 |
三角波電流モードで動作するアクティブバッファ回路を 適用した単相昇降圧PFC 回路 |
◎宮田湧気, 大畠慶太, 渡辺大貴, 伊東淳一(長岡技術科学大学) | |
EDD-23-062 SPC-23-245 |
2相Boost-Forward型DC-DCコンバータの高速安定制御 |
◎松本和希, 大吉宗一郎, 川上太知(大阪公立大学工業高等専門学校) | |
10月27日(金) 16:20〜18:00 | |
座長 児山裕史(東芝インフラシステムズ) | |
EDD-23-063 SPC-23-246 |
フルブリッジ型直列補償装置を用いたループ配電系統における線路電流制御と送電損失最小化 |
◎田村快士, 磯部高範, 萬年智介(筑波大学), 染谷 満, 原田信介(産業技術総合研究所) | |
EDD-23-064 SPC-23-247 |
オープン巻線タップ切換変圧器に直列補償インバータを用いた交流電圧調整回路の制御法 |
◎知識 凜(長岡技術科学大学), 芳賀 仁(静岡大学), 有松健司(東北電力), 伊東洋一(GSユアサ) | |
EDD-23-065 SPC-23-248 |
USPMで構成する単相MMCのサブモジュール出力電圧に基づくフォルトライドスルー制御 |
◎本池竜也(長岡技術科学大学), 芳賀 仁(静岡大学) | |
EDD-23-066 SPC-23-249 |
単一デルタブリッジセル変換器を用いた直流/三相変換器の逆相無効電力制御と有効電力制御 |
◎鈴木温也, 中村優飛, 萩原 誠(東京工業大学) | |
EDD-23-067 SPC-23-250 |
単一デルタブリッジセル変換器を用いた単方向三相/直流変換器の制御法と実験検証 |
◎中村優飛, 鈴木温也, 萩原 誠(東京工業大学) | |