| 電子デバイス/半導体電力変換 | 合同研究会 |
| 猪川 洋（静岡大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 奥村治彦（東芝） | |
| 〔幹 事〕 | 入沢寿史（産業技術総合研究所），奥 友希（三菱電機） | |
| 〔幹事補佐〕 | 正田真利恵（ニコン） | |
| 伊東淳一（長岡技術科学大学） | ||
| 〔副委員長〕 | 小高章弘（富士電機） | |
| 〔幹 事〕 | 磯部高範（筑波大学），図子祐輔（日産自動車） | |
| 〔幹事補佐〕 | 日下佳祐（長岡技術科学大学），高見 弘（芝浦工業大学） | |
| 本研究会の研究会資料は２分冊で発行します。 | ||
| 各分冊の収録論文は以下のとおりとなりますので，ご購入の際はご注意ください。 | ||
| なお，研究会資料のタイトル末尾の数字が分冊番号となります。 | ||
| 【分冊１】 EDD-23-026〜037・039〜044,SPC-23-209〜220・222〜227 | ||
| 【分冊２】 EDD-23-045〜067,SPC-23-228〜250 | ||
| 研究会資料は開催初日の3日前から，電気学会電子図書館(Book Park)にて購入いただけます。 詳細は，研究会参加者の皆様へのご案内よりご確認ください。 |
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| 日 時 | 2023年10月26日（木） 9:20〜17:20 | |
| 2023年10月27日（金） 9:00〜18:00 | ||
| 場 所 | 九州大学 西新プラザ 大会議室AB 福岡市早良区西新2-16-23，詳細は次のURLをご参照ください。http://nishijinplaza.kyushu-u.ac.jp/access.html |
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| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter，IEEE Power Electronics Society Japan Chapter，IEEE IES Japan Joint Chapter | |
| 協 賛 | パワーデバイス及びその使いこなし技術調査専門委員会 | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・電力変換器とその制御」 | |
| 10月26日（木） 9:20〜10:40 | |
| 座長 加藤修平 （日本大学） | |
| EDD-23-026 SPC-23-209 |
二台の電源とコンデンサを用いた高周波トランスの負荷試験法 |
| ◎添田史穏, 折川幸司（北海道大学）, 小笠原悟司（名古屋大学） | |
| EDD-23-027 SPC-23-210 |
部分放電試験によるSST用高周波モールドトランスの基礎評価 |
| ◎米富律騎, 日下佳祐（長岡技術科学大学）, 小池直希, 長井慎一郎（ポニー電機株式会社） | |
| EDD-23-028 SPC-23-211 |
ISOP型Solid-State Transformerにおけるコモンモードノイズ等価回路のモデリング |
| ◎菊地尚斗, 渡辺大貴, 伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-23-029 SPC-23-212 |
ゲート磁気結合方式を用いた駆動回路におけるゲート電圧振動抑制方法 |
| ◎神田大毅, 石井一輝, 浦壁隆浩, 萩原 誠（東京工業大学）, 糸川祐樹, 檜垣優介（三菱電機） | |
| 10月26日（木） 10:50〜12:10 | |
| 座長 西脇達也（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-23-030 SPC-23-213 |
新規HVMOS構造によるBootstrap diode(BSD)機能内蔵600V HVIC |
| ○川崎裕二, 今坂俊博（三菱電機）, 渋田侑人, 佐野昇平（メルコセミコンダクタエンジニアリング）, 羽生 洋（三菱電機）, 橋本修男（メルコセミコンダクタエンジニアリング）, 羽野光隆, 吉野 学（三菱電機） | |
| EDD-23-031 SPC-23-214 |
SJMOSとFPMOSにおける耐圧の温度依存性差の解析 |
| ○酒井 敦, 永久克己, 安孫子雄哉, 佃 栄次, 緒方 完（ルネサスエレクトロニクス） | |
| EDD-23-032 SPC-23-215 |
金属 抵抗率の温度特性の再検討 - 平均自由行程と残留抵抗の新しい解釈 - |
| ○高田育紀（なし） | |
| EDD-23-033 SPC-23-216 |
オーバードライブSiC MOSFETのスイッチング特性評価 |
| ◎寒河江貴英（東京都立大学）, 林真一郎（千葉工業大学）, 和田圭二（東京都立大学） | |
| 10月26日（木） 13:00〜14:40 | |
| 座長 中島 昭（産業技術総合研究所） | |
| EDD-23-034 SPC-23-217 |
トリガーp-nダイオードの導入によるSBD内蔵SiC MOSFETのサージ耐量向上の検討 |
| ◎大橋輝之（東芝）, 河野洋志, 朝羽俊介（東芝デバイス＆ストレージ）, 尾形昂洋, 飯島良介（東芝） | |
| EDD-23-035 SPC-23-218 |
Ｓｉ－ＳＪＢＪＴ／ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴダーリントンスイッチ |
| ◎涌井翔真, 矢野浩司（山梨大学） | |
| EDD-23-036 SPC-23-219 |
SiCフィン型トレンチMOSFETの提案 |
| ○清水悠佳, 須藤建瑠, 毛利友紀, 久本 大, 島 明生（日立製作所）, 木下昂洋, 村田龍紀, 織田哲男（日立パワーデバイス） | |
| EDD-23-037 SPC-23-220 |
温度特性を考慮したGaNデバイスモデルの研究 |
| ◎井口創介, 原田茂樹, 浦壁隆浩（東京工業大学）, 中嶋純一, 堀口剛司, 椋木康滋（三菱電機） | |
| EDD-23-038 SPC-23-221 |
〔欠番〕 |
| 10月26日（木） 14:50〜16:30 | |
| 座長 住友正清（デンソー） | |
| EDD-23-039 SPC-23-222 |
SiC MOSFETのソフトターンオフ短絡保護方法の提案 |
| ◎杜 赫, Bayarsaikhan Yandagkhuu, 大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-23-040 SPC-23-223 |
トレンチIGBTのダイナミックアバランシェ抑制設計 |
| ◎郭 祺, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| EDD-23-041 SPC-23-224 |
IGBTのN-base電位を考慮した追加パルスによるインバータのサージ電圧解析 |
| ◎境 真一, 長谷川一徳（九州工業大学） | |
| EDD-23-042 SPC-23-225 |
3300V スケーリング IGBT におけるダイナミックアバランシェの抑制によるターンオフ dV/dt 制御性の向上 |
| ◎周 翔, 福井宗利, 竹内 潔, 更屋拓哉, 平本俊郎（東京大学） | |
| EDD-23-043 SPC-23-226 |
デジタルゲートドライバを用いたIGBTスイッチング動作におけるゲート電圧振動発生メカニズムの検討 |
| ◎LOU ZAIQI, Mamee Thatree（九州大学）, 畑 勝裕, 高宮 真（東京大学）, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| 10月26日（木） 16:40〜17:20 | |
| 座長 白石正樹（日立パワーデバイス） | |
| EDD-23-044 SPC-23-227 |
パワーエレクトロニクス応用動向から見たパワーデバイスの将来展望 |
| ○齋藤 渉（九州大学） | |
| 10月27日（金） 9:00〜10:40 | |
| 座長 吉川大輝（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-23-045 SPC-23-228 |
離間ボトムP層CSTBTTMによるターンオフ損失の低減 |
| ○小西和也, 新田哲也, 玉城朋宏, 曽根田真也（三菱電機） | |
| EDD-23-046 SPC-23-229 |
埋め込み電極構造によるターンオン損失の低減 |
| ○伊倉巧裕（富士電機）, 中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| EDD-23-047 SPC-23-230 |
低温プロセスによる15V駆動 浅トレンチIGBT(ST-IGBT)の提案 |
| ○田中雅浩, 阿部直樹（日本シノプシス）, 中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| EDD-23-048 SPC-23-231 |
第3世代650V RC-IGBTの局所ライフタイム制御と高密度配置ダイオードによるジャンクション温度の低減 |
| ◎阪口浩介, 小西和也, 江口佳佑, 曽根田真也（三菱電機） | |
| EDD-23-049 SPC-23-232 |
超低損失RC-IGBTのためのダイオード構造 |
| ○山下侑佑, 町田 悟（(株)豊田中央研究所）, 斎藤 順（(株)ミライズテクノロジーズ）, 妹尾 賢（(株)デンソー） | |
| 10月27日（金） 10:50〜12:10 | |
| 座長 中村勝光（三菱電機） | |
| EDD-23-050 SPC-23-233 |
ＩＧＢＴの電流フィラメント現象のＴＣＡＤモデリング上の問題点に関する報告 |
| ○諏訪剛史, 末代知子（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-23-051 SPC-23-234 |
低スイッチング損失を実現するトリプルゲートIGBT |
| ○坂野竜則, 足立建人, 井口智明, 高尾和人（東芝）, 岩鍜治陽子, 下條亮平, 末代知子（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-23-052 SPC-23-235 |
シングルバックゲートとダブルフロントゲートを備えたマルチゲートIGBT |
| ○小林勇介, 坂野竜則, 加藤貴大, 山本崇人, 井口智明, 高尾和人（東芝）, 末代知子, 下條亮平（東芝デバイス＆ストレージ）, 福井宗利, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 平本俊郎（東京大学） | |
| EDD-23-053 SPC-23-236 |
並列IGBTデバイスの電流均一化のためのゲート遅延制御とミラープラトー効果 |
| ◎とりぱしらびなす, 大村一郎（九州工業大学） | |
| 10月27日（金） 13:00〜14:40 | |
| 座長 萬年智介 （筑波大学） | |
| EDD-23-054 SPC-23-237 |
パワーデバイスの温度係数を利用したマルチチップモジュールのジャンクション温度推定誤差に関する一検討 |
| ◎福永崇平, 舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-23-055 SPC-23-238 |
過渡的なゲート閾値計測によるジャンクション温度モニタリング方法 |
| ◎Bayarsaikhan Yandagkhuu, 一郎大村（九州工業大学） | |
| EDD-23-056 SPC-23-239 |
パワーデバイスの短絡破壊メカニズムに関する考察 |
| ○佐藤伸二, 山口大輝, 佐藤 弘（産業技術総合研究所）, 田尾仁志, 黒柳貴夫（小松製作所） | |
| EDD-23-057 SPC-23-240 |
パワーサイクル劣化を検出するセンサデバイスの機械的ストレス依存性 |
| ◎山北祐輝（九州大学）, 大亀幸樹（九州大学 ）, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| EDD-23-058 SPC-23-241 |
金属ベース基板を適用したSiCパワーモジュールの最適化設計 |
| ◎竹田 駿, 河野洋志, 三宅英太郎（東芝デバイス＆ストレージ）, 井口知洋（東芝）, 小谷和也（東芝インフラシステムズ） | |
| 10月27日（金） 14:50〜16:10 | |
| 座長 福永崇平（大阪大学） | |
| EDD-23-059 SPC-23-242 |
水素燃料電池自動車の損失増加インバータ制御による制動力向上と実験検証 |
| ◎坂本 仁, 加藤修平（日本大学） | |
| EDD-23-060 SPC-23-243 |
2MHz以上のTCM駆動を想定した DC-ACコンバータの設計要件の明確化 |
| 楠居琳太郎, ◎鵜澤匠宏, 渡辺大貴, 岩本拓巳, 伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-23-061 SPC-23-244 |
三角波電流モードで動作するアクティブバッファ回路を 適用した単相昇降圧PFC 回路 |
| ◎宮田湧気, 大畠慶太, 渡辺大貴, 伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-23-062 SPC-23-245 |
2相Boost-Forward型DC-DCコンバータの高速安定制御 |
| ◎松本和希, 大吉宗一郎, 川上太知（大阪公立大学工業高等専門学校） | |
| 10月27日（金） 16:20〜18:00 | |
| 座長 児山裕史（東芝インフラシステムズ） | |
| EDD-23-063 SPC-23-246 |
フルブリッジ型直列補償装置を用いたループ配電系統における線路電流制御と送電損失最小化 |
| ◎田村快士, 磯部高範, 萬年智介（筑波大学）, 染谷 満, 原田信介（産業技術総合研究所） | |
| EDD-23-064 SPC-23-247 |
オープン巻線タップ切換変圧器に直列補償インバータを用いた交流電圧調整回路の制御法 |
| ◎知識 凜（長岡技術科学大学）, 芳賀 仁（静岡大学）, 有松健司（東北電力）, 伊東洋一（GSユアサ） | |
| EDD-23-065 SPC-23-248 |
USPMで構成する単相MMCのサブモジュール出力電圧に基づくフォルトライドスルー制御 |
| ◎本池竜也（長岡技術科学大学）, 芳賀 仁（静岡大学） | |
| EDD-23-066 SPC-23-249 |
単一デルタブリッジセル変換器を用いた直流/三相変換器の逆相無効電力制御と有効電力制御 |
| ◎鈴木温也, 中村優飛, 萩原 誠（東京工業大学） | |
| EDD-23-067 SPC-23-250 |
単一デルタブリッジセル変換器を用いた単方向三相/直流変換器の制御法と実験検証 |
| ◎中村優飛, 鈴木温也, 萩原 誠（東京工業大学） | |