電子デバイス研究会

	研究会資料は開催初日の3日前から，電気学会電子図書館(Book Park)にて購入いただけます。 詳細は，研究会参加者の皆様へのご案内よりご確認ください。
日　時	2024年7月5日（金）　10:25〜16:30
場　所	サニー会議室およびWeb開催 (東京都千代田区内神田３丁目４−１１ サニー南神田ビル）
協　賛	化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション調査専門委員会，ナノエレクトロニクス機能化・応用技術調査専門委員会
議　題	テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」

  

（サニー会議室501会場）　7月5日（金）　10:25〜12:00　テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」
座長　谷口　理（ソニー）
	【招待講演】6Gに向けたミリ波帯・テラヘルツ帯フェーズドアレイ無線技術
	◎岡田 健一　（東京工業大学）
EDD-24-029	高fT,fmaxを有するダブルドープGaInSbチャネルHEMT
	○遠藤　聡, 吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮（東京理科大学）, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原　紳介, 笠松章史（情報通信研究機構）, 藤代博記（東京理科大学）
EDD-24-030	ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMT大面積化にむけた取組み
	○白柳裕介（三菱電機/熊本大学）, 友久伸吾, 長永隆志（三菱電機）, 笠村啓司, 豊田洋輝, 久保田章亀（熊本大学）, 松前貴司, 倉島優一, 高木秀樹（産業総合技術研究所）
（サニー会議室501会場）　7月5日（金）　13:15〜14:45　テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」
座長　星　拓也（日本電信電話）
	【招待講演】新しい両伝導型パワー半導体 二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)の特徴と可能性
	◎金子健太郎（立命館大学）
EDD-24-031	〔欠番〕
EDD-24-032	ミストCVD法によるGaN系半導体向け絶縁ゲート構造の作製と評価
	○谷田部然治, ラズアンハディラ, 尾藤圭悟, 福光将也（熊本大学）, 越智亮太（北海道大学）, 中村有水（熊本大学）, 佐藤威友（北海道大学）
（サニー会議室501会場）　7月5日（金）　15:00〜16:30　テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」
座長　南條拓真（三菱電機）
	【招待講演】高出力・低電圧駆動AlInN/GaN HEMT on Siとその応用
	◎岸田 一輝　（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
EDD-24-033	分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証
	◎隈部岳瑠（名古屋大学）, 吉川　陽（旭化成）, 川崎晟也, 久志本真希, 本田善央, 新井　学, 須田　淳, 天野　浩（名古屋大学）
EDD-24-034	原子層堆積法で形成したAlN界面層によるAlSiO/p-GaN MOSFETのチャネル移動度向上としきい値制御
	○伊藤健治, 成田哲生, 井口紘子, 岩崎四郎, 菊田大悟（豊田中央研究所）, 狩野絵美, 五十嵐信行, 兼近将一, 冨田一義, 堀田昌宏, 須田　淳（名古屋大学）