| 電子デバイス/半導体電力変換 | 合同研究会 |
| 研究会資料は開催初日の3日前から，電気学会電子図書館(Book Park)にて購入いただけます。 詳細は，研究会参加者の皆様へのご案内よりご確認ください。 |
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| 日 時 | 2024年11月14日（木） 9:40〜17:40 | |
| 2024年11月15日（金） 9:15〜17:39 | ||
| 場 所 | 日立シビックセンター 多用途ホール 茨城県日立市幸町1-21-1，交通：詳細は次のURLをご参照ください。https://www.civic.jp |
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| 共 催 | 共催：IEEE Industry Applications Society Japan Chapter，IEEE Power Electronics Society Japan Chapter，IEEE IES Japan Joint Chapter | |
| 協 賛 | パワーデバイス及びその使いこなし技術調査専門委員会 | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・電力変換器とその制御」 | |
| 11月14日（木） 9:40〜11:35 | |
| 座長 宮澤哲哉（電力中央研究所） | |
| EDD-24-040 SPC-24-178 |
3.3 kV- Vertical-Channel Fin-SiC MOSFETの開発 |
| ◎末松知夏（日立製作所,国立研究開発法人産業技術総合研究所）, 須藤建瑠, 清水悠佳, 渡辺直樹, 毛利友紀（日立製作所）, 田中保宜（国立研究開発法人産業技術総合研究所）, 島 明生（日立製作所） | |
| EDD-24-041 SPC-24-179 |
SiC MOSFETの同期整流時のサージ電流耐量向上 |
| ○大橋輝之（東芝）, 河野洋志（東芝デバイス&ストレージ）, 坂野竜則, 宮田麟太郎, 飯島良介（東芝） | |
| EDD-24-042 SPC-24-180 |
設計パラメータを調整可能なSiC MOSFET回路モデル |
| ◎須藤 建瑠, 井上 瑛, 清水悠佳, 毛利友紀, 島 明生（日立製作所） | |
| EDD-24-043 SPC-24-181 |
個々のSiC MOSFETのモデル化に基づく特性ばらつきを考慮した回路シミュレーション |
| ◎松本和希, 高山 創（京都工芸繊維大学）, 古田 潤（岡山県立大学）, 小林和淑, 新谷道広（京都工芸繊維大学） | |
| EDD-24-044 SPC-24-182 |
パワーモジュールにおける多並列SiC-MOSFETの寄生発振解析技術 |
| ◎竹田 駿, 三宅英太郎, 河野洋志（東芝デバイス＆ストレージ）, 大橋輝之, 井口知洋（東芝）, 小谷和也（東芝インフラシステムズ） | |
| 11月14日（木） 12:40〜13:49 | |
| 座長 坂野竜則（東芝） | |
| EDD-24-045 SPC-24-183 |
パワーデバイスの温度係数を利用したマルチチップパワーモジュールの過渡熱回路モデル誤差に関する一検討 |
| ◎福永崇平, 舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-24-046 SPC-24-184 |
マルチチップパワーモジュール内部の熱干渉がジャンクション温度に与える影響に関する一検討 |
| ◎大賀悠功, 福永崇平, 舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-24-047 SPC-24-185 |
IGBTの短絡破壊耐量に関する考察 |
| ○佐藤伸二, 山口大輝, 佐藤 弘（産業技術総合研究所）, 田尾仁志, 黒柳貴夫（小松製作所） | |
| 11月14日（木） 14:00〜15:32 | |
| 座長 福永崇平（大阪大学） | |
| EDD-24-048 SPC-24-186 |
パワー半導体パッケージにおけるはんだ接合ボイド変動がパワーサイクル寿命に及ぼす影響 |
| ○小野寺浩（シーマ電子）, 宍戸信之（近畿大学）, 浅利大輔, 磯野 浩（シーマ電子）, 齋藤 歩（九州大） | |
| EDD-24-049 SPC-24-187 |
パワーサイクルセンサを集積化したパワーデバイス構造の試作 |
| ◎大亀幸樹, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| EDD-24-050 SPC-24-188 |
スイッチング波形の機械学習を用いたパワーサイクル劣化検出における測定回路と波形組合せの効果 |
| ◎出井和音, Mamee Thatree（九州大学）, Lutzen Hauke, Kaminski Nando（ブレーメン大学）, 畑 勝裕（芝浦工業大学 / 東京大学）, 高宮 真（東京大学）, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| EDD-24-051 SPC-24-189 |
デジタルゲートドライバを集積したパワーモジュールの高温動作 |
| ◎雑賀一真, 財前昌平, 中野 智, 楠 茂, 渡部毅代登（九州大学）, 畑 勝裕（芝浦工業大学）, 高宮 真（東京大学）, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| 11月14日（木） 15:45〜17:40 | |
| 座長 小野澤勇一（富士電機） | |
| EDD-24-052 SPC-24-190 |
微細FinFET構造を用いた超低損失パワーデバイスの提案と実証 |
| ◎蘇 宇軒, ゴラプディスリカント, 大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-24-053 SPC-24-191 |
Split-gate CSTBTTMによる短絡動作中の負性ゲート容量抑制 |
| ◎阪口浩介, 小西和也, 小林亮祐, 西田和貴, 曽根田真也（三菱電機） | |
| EDD-24-054 SPC-24-192 |
高電圧・高温動作対応 再生可能エネルギー向け2.5kV CSTBT(TM)の最適化設計 |
| ◎白井淳平, 藤井秀紀, 曽根田真也（三菱電機） | |
| EDD-24-055 SPC-24-193 |
Hall効果機構の再考察と量子Hall効果の新しい解釈-II |
| ○高田育紀（元三菱電機） | |
| EDD-24-056 SPC-24-194 |
ＩＧＢＴ誕生４０年、その黎明期の系譜と衝撃的な真相―著名な貢献者三氏に注目も、ノンラッチアップデバイス具現化への取組み姿勢に決定的な相違― |
| ○戸倉規仁（無所属）, 中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| 11月15日（金） 9:15〜10:24 | |
| 座長 児山裕史（東芝インフラシステムズ） | |
| EDD-24-057 SPC-24-195 |
ボトム電流検出レス電流三角波モードを用いた高周波インバータの実機検証 |
| ◎廣池将伍, 楠居琳太郎, 岩本拓巳, 渡辺大貴, 中田祐樹, 伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-24-058 SPC-24-196 |
中間タップ付き三相単相切り替え可能なDAB型マトリックスコンバータによる電力脈動補償方式の実機検証 |
| ◎入村晃盛, 岩本拓巳, 渡辺大貴, 伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-24-059 SPC-24-197 |
AC／DCハイブリッド配電システムに適用する仮想同期機制御を用いた２台の連結コンバータ間の電力振動抑制の実験検証 |
| ◎米田真之介, 三浦友史（長岡技術科学大学）, 藤澤俊暢（ヤンマーパワーテクノロジー） | |
| 11月15日（金） 10:35〜11:44 | |
| 座長 三浦友史（長岡技術科学大学） | |
| EDD-24-060 SPC-24-198 |
垂直水平磁界を利用した走行中ワイヤレス給電システムの電力伝送量向上手法の実機検証 |
| ◎鈴木遼生, 太田涼介（東京都立大学） | |
| EDD-24-061 SPC-24-199 |
LLC共振コンバータのキャパシタ絶縁化による効率・損失改善効果 |
| ○坂野竜則, 有田圭吾, 高尾和人（東芝） | |
| EDD-24-062 SPC-24-200 |
永久磁石同期機と倍電圧整流回路を用いたディーゼル発電システム |
| ○近藤 稔, 小川勇貴（鉄道総合技術研究所） | |
| 11月15日（金） 13:00〜14:32 | |
| 座長 吉川大輝（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-24-063 SPC-24-201 |
RC-IEGTにおける裏面ダブルPリング構造による短絡耐量とターンオフ時の破壊耐量の両立 |
| ◎川上陽代, 下條亮平, 早瀬茂昭（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-24-064 SPC-24-202 |
スーパージャンクションIGBTにおける ダイナミックチャージインバランス効果 |
| ○玉城朋宏, 井上敦文, 古橋壮之, 日野史郎, 西川和康（三菱電機）, 橋本 誠, 河瀬光久, 須藤陽平, 小川 勉（日清紡マイクロデバイス） | |
| EDD-24-065 SPC-24-203 |
従来のSuperJunction IGBTを凌駕する1.2kV薄ウェーハSemi SuperJunction IGBT(SSJ-IGBT)の提案 |
| ○田中雅浩, 阿部直樹（日本シノプシス）, 中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| EDD-24-066 SPC-24-204 |
スプリットダブルゲートCSTBTTMによるスイッチング損失の低減 |
| ○小西和也, 恩田航平, 迫 紘平, 曽根田真也（三菱電機） | |
| 11月15日（金） 14:45〜16:17 | |
| 座長 住友正清（デンソー） | |
| EDD-24-067 SPC-24-205 |
低損失を実現するＭＯＳ制御ダイオード技術 |
| ○鈴木 弘, 三好智之, 平尾高志, 高田裕亮, 古川智康（日立製作所）, 森塚 翼, 白石正樹（ミネベアパワーデバイス） | |
| EDD-24-068 SPC-24-206 |
両面マルチゲートIGBTにおける表裏両面から蓄積キャリアを低減した際のターンオフ損失低減効果の解析 |
| ◎山本崇人, 小林勇介, 坂野竜則, 井口智明, 高尾和人（東芝）, 末代知子, 下條亮平, 小林研也（東芝デバイス＆ストレージ）, 福井宗利, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 平本俊郎（東京大学） | |
| EDD-24-069 SPC-24-207 |
両面マルチゲートIGBTにおける寄生素子動作抑制によるターンオフ損失低減効果の試作実証 |
| ○小林勇介, 坂野竜則, 山本崇人, 井口智明, 高尾和人（東芝）, 末代和子, 下條亮平, 小林研也（東芝デバイス＆ストレージ）, 福井宗利, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 平本俊郎（東京大学） | |
| EDD-24-070 SPC-24-208 |
第２世代両面ゲートIGBT（BC-IGBT）における双方向伝導と動的なリバースリカバリ損失低減の実証 |
| ○更屋拓哉, 福井宗利, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 平本俊郎（東京大学）, 小林勇介, 坂野竜則, 井口智明, 高尾和人（東芝）, 下條亮平, 末代知子（東芝デバイス&ストレージ） | |
| 11月15日（金） 16:30〜17:39 | |
| 座長 青木正明（慶応義塾大学） | |
| EDD-24-071 SPC-24-209 |
低耐圧MOSFETのカスケード接続による高耐圧動作の実現 |
| ○谷 和樹, 原 賢志, 古川智康（日立製作所）, 角田幸佑, 内海智之（ミネベアパワーデバイス） | |
| EDD-24-072 SPC-24-210 |
トレンチ酸化膜中の固定電荷分布の最適化によるフィールドプレート（FP）MOSFETのオン抵抗と耐圧のトレードオフ改善 |
| ◎福田大地, 小林勇介, 馬場祥太郎, 雁木比呂, 根本宏樹, 井口智明, 高尾和人（東芝）, 西脇達也, 川井博文（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-24-073 SPC-24-211 |
導通損失とスイッチング損失のトレードオフを改善するトレンチフィールドプレートMOSFETの疑似ゲート独立制御スイッチングの実証 |
| ○西脇達也, 隈部 由, 宮島直也, 河村圭子, 小林研也（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| ※ | 懇親会情報 ---------------------------------- ・開催日時 11/14(木) 18:00～20:00 ・開催場所 シビックセンター7階，702～704会議室 ・会費（税込み金額） 一般 ￥4,000 学生 ￥2,000 ・集金方法 Peatixでの事前申込 ・申込期限 11/14(木) 15:45 ---------------------------------- |