電子デバイス研究会

	研究会資料は開催初日の3日前から，電気学会電子図書館(Book Park)にて購入いただけます。 詳細は，研究会参加者の皆様へのご案内よりご確認ください。
日　時	2025年4月16日（水）　14:00〜17:30
	2025年4月17日（木）　10:00〜12:00
場　所	絹の渓谷　碧流　会議室 栃木県日光市藤原19-25,交通：詳細は次のURLをご参照ください。https://www.hekiryu.jp/access/
協　賛	化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション調査専門委員会， 最先端ナノエレクトロニクス技術調査専門委員会
議　題	テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」

  

（絹の渓谷　碧流　会議室）　4月16日（水）　14:00〜15:30　テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」
座長　谷口　理（ソニー）
EDD-25-041	酸化ガリウムデバイスのための窒素ドーピング技術
	○東脇正高, 稲嶌　仁, 上原知起, 寺村祐輔, 辻本晃基（大阪公立大学）, ワンジェンウェイ（情報通信研究機構）, 本田智子（大阪公立大学）
EDD-25-042	SiCバイポーラデバイスにおけるプロトン注入による順方向通電劣化の抑制効果とそのメカニズム
	○原田俊太（名古屋大学）, 坂根　仁（住重アテックス）, Li Tong, 加藤正史（名古屋工業大学）
EDD-25-043	60 nm InP-HEMTテクノロジを用いた300 GHz帯 160 Gb/s 完全差動集積トランシーバ
	○濱田裕史, イブラヒムアブド, 佐々木太郎, 堤　卓也, 高橋宏行（日本電信電話）
（絹の渓谷　碧流　会議室）　4月16日（水）　16:00〜17:30　テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」
座長　星　拓也（日本電信電話）
EDD-25-044	6Gに向けた移動通信基地局用化合物半導体増幅器の展望
	○山中宏治, 新庄真太郎, 山口裕太郎, 坂田修一, 鳥居拓真（三菱電機）
EDD-25-045	AlN系分極ドーピング電界効果トランジスタの高周波動作
	◎川崎晟也, 廣木正伸, 平間一行, 熊倉一英, 谷保芳孝（日本電信電話）
EDD-25-046	サブテラヘルツ応用を見据えたAlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの検討
	○安藤裕二, 高橋英匡, 牧迫隆太郎（名古屋大学）, 分島彰男（熊本大学）, 須田　淳（名古屋大学）

（絹の渓谷　碧流　会議室）　4月17日（木）　10:00〜12:00　テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」
座長　南條拓真（名古屋工業大学）
EDD-25-047	窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の解明
	◎前田拓也, 若本裕介, 佐々木一晴, 棟方晟啓（東京大学）, 廣木正伸, 平間一行, 熊倉一英, 谷保芳孝（NTT物性科学基礎研究所）
EDD-25-048	m面チャネルAlSiO/AlN/p-GaN MOSFETにおける移動度向上とノーマリオフ動作
	○伊藤健治, 成田哲夫, 井口紘子, 岩崎四郎, 菊田大悟（豊田中央研究所）, 狩野絵美, 五十嵐信行, 兼近将一, 冨田一義, 須田　淳, 加地　徹（名古屋大学）
EDD-25-049	熱拡散で形成された組成傾斜AlGaN層を用いたGaN MOSFETの顕著な移動度向上技術
	◎近藤　剣, 上野勝典, 田中　亮, 高島信也（富士電機）
EDD-25-050	大電力・高速動作を実現可能なp-GaNシールド構造を有するGaN基板上縦型GaNトランジスタ
	◎鳥居直生, 柴田大輔, 小川雅弘, 川口真生, 半田浩之, 鶴見直大, 田村聡之, 岡山芳央（パナソニックホールディングス）