| 電子デバイス/半導体電力変換 | 合同研究会 |
| 研究会資料は開催初日の3日前から，電気学会電子図書館(Book Park)にて購入いただけます。 詳細は，研究会参加者の皆様へのご案内よりご確認ください。 |
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| 日 時 | 2025年10月23日（木） 9:40〜17:20 | |
| 2025年10月24日（金） 9:15〜16:10 | ||
| 場 所 | 金沢商工会議所（ホール） 石川県金沢市尾山町9-13，交通：詳細は次のURLをご参照ください。https://www.kanazawa-cci.or.jp/ |
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| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter，IEEE Power Electronics Society Japan Chapter，IEEE IES Japan Joint Chapter | |
| 協 賛 | パワーデバイス及びその使いこなし技術調査専門委員会 | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・電力変換器とその制御」 | |
| 10月23日（木） 9:40〜11:00 | |
| EDD-25-058 SPC-25-190 |
切り出し3端子モデルを用いたField Limiting Ring終端構造の動作原理検討 |
| ○竹内 潔, 福井宗利, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 高瀬博行, 平本俊郎（東京大学） | |
| EDD-25-059 SPC-25-191 |
浅い終端構造を用いた6.5kV級フルスケーリングIGBTの動作実証 |
| ○更屋拓哉, 竹内 潔, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 高瀬博行（東京大学）, 齋藤 渉, 西澤伸一（九州大学）, 平本俊郎（東京大学） | |
| EDD-25-060 SPC-25-192 |
表面n+拡散層設計の最適化によるFS-IGBTの短絡耐量向上 |
| ◎石崎隆太郎, 三塚 要, 内藤達也, 小野澤勇一（富士電機） | |
| EDD-25-061 SPC-25-193 |
FS-IGBT誕生25年、最初の数年は混沌的－HEVインバータ応用を含め早く実用化するも、SCSOA物理の解明と裏面プロセス確立は2010年代－ |
| ○戸倉規仁（無所属） | |
| 10月23日（木） 11:15〜12:15 | |
| EDD-25-062 SPC-25-194 |
スイッチング過渡時の端子間電圧を用いたIGBTの帰還容量電圧依存性の測定 |
| ◎宮井洸輔, 長谷川一徳（九州工業大学）, 平野真希子, 瀧本和靖, 児山裕史（東芝） | |
| EDD-25-063 SPC-25-195 |
サーマルグリースのポンプアウト現象に関する研究 |
| ◎山下泰申, 大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-25-064 SPC-25-196 |
ゲートドライバ内蔵型GaN HEMTの過渡熱特性評価法に関する一検討 |
| ◎福永崇平, 舟木 剛（大阪大学） | |
| 10月23日（木） 13:30〜14:50 | |
| EDD-25-065 SPC-25-197 |
金属放熱基板を用いたマルチチップパワーモジュールの熱設計手法に関する一検討 -熱干渉を考慮したチップ配置最適化- |
| ◎大賀悠功, 福永崇平, 舟木 剛（大阪大学） | |
| EDD-25-066 SPC-25-198 |
小面積チップの分散配置とベイズ最適化設計による樹脂絶縁型SiCパワーモジュールの熱抵抗低減 |
| ○大橋輝之（東芝）, 竹田 駿, 三宅英太郎, 河野洋志（東芝デバイス＆ストレージ）, 井口知洋, 小谷和也, 杜 赫, 田口安則, 木村光宏, 中川英之, 飯島良介（東芝） | |
| EDD-25-067 SPC-25-199 |
パワーサイクル劣化検出に向けたLHL法の過渡熱応答解析 |
| ◎太田岳宏, 渡部毅代登, 楠 茂, 中野 智（九州大学）, 中村浩二, 森 時彦, 高宮 真（東京大学）, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| EDD-25-068 SPC-25-200 |
機械学習によるSiCパワーモジュールのスイッチング波形を用いたパワーサイクル劣化検出 |
| ◎出井和音, Mamee Thatree（九州大学）, Mueller Jonas, Lutzen Hauke, Kaminski Nando（The University of Bremen）, 畑 勝裕（芝浦工業大学）, 高宮 真（東京大学）, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| 10月23日（木） 15:05〜16:05 | |
| EDD-25-069 SPC-25-201 |
4H-SiC基板におけるキャリア寿命とデバイス信頼性との関係 |
| ◎長屋圭祐, 新井隆太, 伊藤孝浩, 小西正樹（デンソー）, 山下侑佑（豊田中央研究所）, 神谷亮丞, 加藤正史（名古屋工業大学） | |
| EDD-25-070 SPC-25-202 |
短絡自動保護機能付きSiC MOSFETの動作実証 |
| ◎木本真一（産業技術総合研究所）, 坂野竜則, 飯島良介（東芝）, 岡本光央（産業技術総合研究所） | |
| EDD-25-071 SPC-25-203 |
微傾斜ＳｉＣ基板上におけるＧａＮ／ＳｉＣハイブリッド型分極スーパージャンクションＨＥＭＴｓ |
| ○中島 昭, 平井悠久, 三浦喜直, 児島一聡, 加藤智久, 原田信介（産業技術総合研究所） | |
| 10月23日（木） 16:20〜17:20 | |
| EDD-25-072 SPC-25-204 |
単一集積化したパワーGaN HEMTの誤点弧評価 |
| ◎青木悠真（岡山県立大学）, 小林和淑, 新谷道広, 高山 創（京都工芸繊維大学）, 鈴木恭宜, 伊藤信之, 小椋清孝, 古田 潤（岡山県立大学） | |
| EDD-25-073 SPC-25-205 |
電界強度5 MV/cm、耐圧1844 Vを有するβ-Ga2O3トレンチMOSショットキーバリアダイオード |
| ○高塚章夫, 宮本広信（ノベルクリスタルテクノロジー）, 前原経利, 藤原洋介（フェニテックセミコンダクター）, 佐々木公平, 倉又朗人（ノベルクリスタルテクノロジー） | |
| EDD-25-074 SPC-25-206 |
ダイヤモンドパワー半導体の特性予測 |
| ◎上野晋太郎, 蔵田壮汰, 渡邉晃彦, 大村一郎（九州工業大学） | |
| 10月23日（木） 17:30〜18:10 | |
| 【招待講演】ダイヤモンドパワーデバイスの現状 | |
| 徳田 規夫（金沢大学 ナノマテリアル研究所） | |
| 10月24日（金） 9:15〜10:35 | |
| EDD-25-075 SPC-25-207 |
TCAD-Based DLTS Methods to Quantify Trap Effects on Forward Voltage and Reverse Recovery in PIN Diodes |
| ◎王 聚羲, Gollapudi Srikanth, 大村一郎（九州工業大学） | |
| EDD-25-076 SPC-25-208 |
IGBT用Siウェーハの少数キャリアライフタイムおよび欠陥準位評価 |
| ◎田上慶次, Madishetty Ritesh（九州大学）, 曹 瑞軒（東芝）, 袁 九洋, 蔡 博舟, 宮村佳児, 齋藤 渉, 西澤伸一（九州大学） | |
| EDD-25-077 SPC-25-209 |
スイッチング波形を用いたパワーMOSFETのI–V特性モデルパラメータ推定 |
| ◎蕨川幹大, 西岡大稀, 松本和希, 高山 創, 新谷道広（京都工芸繊維大学） | |
| EDD-25-078 SPC-25-210 |
SiC MOSFETの個別モデリングに基づくアクティブゲートドライブに関する検討 |
| ◎松本和希, 高山 創（京都工芸繊維大学）, 古田 潤（岡山県立大学）, 小林和淑, 新谷道広（京都工芸繊維大学） | |
| 10月24日（金） 10:50〜11:50 | |
| EDD-25-079 SPC-25-211 |
3+1レベルインバータのフライングキャパシタ容量低減 |
| ◎水川晃秀, 日下佳祐（長岡技術科学大学） | |
| EDD-25-080 SPC-25-212 |
任意のデューティ比に対応する多重共振構成E級インバータの解析 |
| ◎濵崎杏夏（千葉工業大学）, 羅 イ森（東京理科大学）, 伊原侑我, 魏 秀欽（千葉工業大学） | |
| EDD-25-081 SPC-25-213 |
寄生容量を考慮した結合コイルのモデリングと負荷非依存E-D級ワイヤレス給電システムへの適用 |
| ◎相澤宙輝, 楊 志豪（千葉工業大学）, 羅 イ森（東京理科大学）, 魏 秀欽（千葉工業大学） | |
| 10月24日（金） 13:15〜14:35 | |
| EDD-25-082 SPC-25-214 |
再生可能エネルギー向け 第8世代 RFC diode |
| ◎津々浦雄貴（三菱電機） | |
| EDD-25-083 SPC-25-215 |
シャローアクティブトレンチCSTBTTMを用いた6.5kV素子のSW損失低減 |
| ◎大塚翔瑠, 月東綾則, 増岡史仁（三菱電機） | |
| EDD-25-084 SPC-25-216 |
垂直電荷不均衡の分析に基づくスーパージャンクションIGBTのスイッチング損失低減メカニズムの理解 |
| ○玉城朋宏, 井上敦文, 日野史郎, 西川和康（三菱電機）, 橋本 誠, 河瀬光久, 須藤陽平, 小川 勉（日清紡マイクロデバイス）, 綿引達郎（三菱電機） | |
| EDD-25-085 SPC-25-217 |
SiC-MOSFET並みの特性を実現する SuperJunction IGBTの提案 |
| ○田中雅浩, 阿部直樹（日本シノプシス）, 中川明夫（中川コンサルティング事務所） | |
| 10月24日（金） 14:50〜16:10 | |
| EDD-25-086 SPC-25-218 |
両面マルチゲートIGBTにおける制御遅延の短縮に向けた裏面ゲートによるキャリア低減の制御 |
| ◎山本崇人, 小林勇介, 大橋輝之, 坂野竜則, 井口智明（東芝）, 末代知子, 下條亮平（東芝デバイス＆ストレージ）, 福井宗利, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 平本俊郎（東京大学） | |
| EDD-25-087 SPC-25-219 |
Back-Gate-Controlled IGBTにおけるn型バッファ層の裏面ゲート動作への影響のTCAD解析 |
| ○福井宗利, 更屋拓哉, 竹内 潔, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 高瀬博行, 鈴木慎一, 平本俊郎（東京大学） | |
| EDD-25-088 SPC-25-220 |
両面ゲートIGBTにおける損失低減とサージ電圧抑制の両立 |
| ◎加藤滉大, 末代知子, 下條亮平（東芝デバイス＆ストレージ）, 小林勇介, 山本崇人（東芝）, 根賀亮平（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-25-089 SPC-25-221 |
MOS制御ダイオードのキャリア排出機構 |
| ○鈴木 弘, 竹内悠次郎, 高田裕亮, 平尾高志（日立製作所）, 森塚 翼, 白石正樹, 織田哲男, 古川智康（ミネベアパワーデバイス） | |
| ※ | 1件当り20分(質疑応答5分を含む) |