電子デバイス研究会

	研究会資料は開催初日の3日前から，電気学会電子図書館(Book Park)にて購入いただけます。 詳細は，研究会参加者の皆様へのご案内よりご確認ください。
日　時	2026年3月23日（月）　14:00〜17:40
	2026年3月24日（火）　10:00〜11:40
場　所	絹の渓谷　碧流　会議室 栃木県日光市藤原19-25,交通：詳細は次のURLをご参照ください。https://www.hekiryu.jp/access/
協　賛	化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション調査専門委員会，最先端ナノエレクトロニクス技術調査専門委員会
議　題	テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」

  

（絹の渓谷　碧流　会議室）　3月23日（月）　14:00〜15:40　テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」
座長　谷口　理（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
EDD-26-035	Beyond 5G光無線融合ネットワーク実現に向けたUTC-PD集積HEMT光ダブルミキサの開発
	○佐藤　昭（東北大学）
EDD-26-036	III-V-Si 異種材料間Cu-Cu接続による高精細及び可視-短赤外感度域を有するInGaAsイメージセンサ
	◎酒井歩峻, 中村圭吾, 萬田周治, 松本良輔, 齋藤　卓, 丸山俊介, 三成英樹, 平野嵩明, 藤井宣年, 山本雄一, 財前義史, 平野智之（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
EDD-26-037	逆積分変換法を用いた1/f雑音の電子トラップ時定数分布の抽出と評価
	○谷田部然治, 葛西誠也（北海道大学）
（絹の渓谷　碧流　会議室）　3月23日（月）　16:00〜17:40　テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」
座長　星　拓也（NTT株式会社）
EDD-26-038	高周波AlN系分極ドープ電界効果トランジスタ
	◎川崎晟也, 廣木正伸, 平間一行, 谷保芳孝（NTT株式会社）
EDD-26-039	ミリ波帯応用向け高信頼GaAs、GaN デバイスの開発
	○松下景一, 林　正國（ウィン・セミコンダクター）
EDD-26-040	５G基地局向け広帯域・高効率ドハティー増幅器を実現するGaN-on-Si 技術
	○川島克彦, 加藤由明, 松田慎吾, 杉山　寛（ヌヴォトンテクノロジージャパン）

（絹の渓谷　碧流　会議室）　3月24日（火）　10:00〜11:40　テーマ「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」
座長　南條拓真（名古屋工業大学）
EDD-26-041	MOVPE法によりAlN基板上にコヒーレント成長したAlN/GaN/AlN HEMTの低抵抗化と高耐圧動作
	◎李　太起, 吉川　陽（旭化成,名古屋大学）, 森　臣能（名古屋大学）, 杉山　聖（旭化成,名古屋大学）, 新井　学, 安藤裕二, 須田　淳, 天野　浩（名古屋大学）
EDD-26-042	C面SiC基板上AlGaNバッファを有するN極性GaNチャネルHEMT構造のMOCVD成長
	○星　拓也, 吉屋佑樹, 佐々木太郎, 杉山弘樹, 中島史人（NTT）
EDD-26-043	ミストCVD法によるエピタキシャル成長基板を用いた 2.4GHz帯β-Ga2O3 MESFET増幅器
	○池田　光, 若松　岳, 田中勝久, 藤田静雄（京都大学）, 安藤裕二, 高橋英匡, 牧迫隆太郎, 須田　淳（名古屋大学）, 上田哲三, 菅谷英生（パナソニックホールディングス）