| 電子デバイス/半導体電力変換 | 合同研究会 |
| 日 時 | 2026年11月26日（木） 9:10〜17:20 | |
| 2026年11月27日（金） 9:00〜16:50 | ||
| 場 所 | 名古屋工業大学 ホームメイトHall（4号館ホール） 名古屋市昭和区御器所町,詳細は次のURLをご参照ください。https://www.nitech.ac.jp/access/index.html |
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| 共 催 | IEEE Industry Applications Society Japan Chapter，IEEE Power Electronics Society Japan Chapter，IEEE IES Japan Joint Chapter | |
| 協 賛 | パワーデバイス・パワーIC及びその活用技術調査専門委員会 | |
| 議 題 | テーマ「パワーデバイス・電力変換器とその制御」 | |
研究会資料(電子版)について
本研究会の資料発行日は2026年11月23日（開催初日の 3 日前）です．購入方法は以下のとおりです．
１）研究会参加申込と同時購入（電子版のみ）
２）電気学会電子図書館（Book Park）で購入
研究会資料購入に関する詳細は電気学会ホームページをご確認ください．
| 11月26日（木） 9:10〜10:10 | |
| EDD-26-048 SPC-26-159 |
トレンチフィールドプレートMOSFETの微細化による逆回復損失の低減効果予測 |
| ○西脇達也, 犬宮誠治, 小林研也（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-26-049 SPC-26-160 |
スーパージャンクションMOSFETにおけるチャージ量予測モデルを用いた効率的なピラー濃度最適化手法の開発 |
| ◎野間 央（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-26-050 SPC-26-161 |
Field-Limiting Ring終端構造の図式的レイアウト最適化法 |
| ○竹内 潔, 福井宗利, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 高瀬博行, 平本俊郎（東京大学） | |
| 11月26日（木） 10:25〜11:45 | |
| EDD-26-051 SPC-26-162 |
熱流センサを用いたスイッチングデバイスの損失要因分離 |
| ◎竹原颯士, 日下佳祐（長岡技術科学大学） | |
| EDD-26-052 SPC-26-163 |
Experimental Investigation of the Effect of Gate-Delay Time on Switching Energies in Si IGBT//SiC MOSFET Hybrid Parallel Switches |
| ◎ナディアーサー, 江森健太, 矢野新也, 山上颯太（日産自動車） | |
| EDD-26-053 SPC-26-164 |
インバータの損失分離を目的とした直流損失特性の積分による評価手法 |
| ◎森谷 遼, 名取賢二, 佐藤之彦（千葉大学） | |
| EDD-26-054 SPC-26-165 |
カロリメトリック法によるSiC MOSFETの出力容量ヒステリシス損失の評価に関する検討 |
| ◎西岡大稀, 高山 創, 小林和淑, 新谷道広（京都工芸繊維大学） | |
| 11月26日（木） 13:00〜14:00 | |
| EDD-26-055 SPC-26-166 |
クローズドループ型デジタルゲートドライバを集積したパワーモジュールの試作検証 |
| ◎財前昌平（九州大学）, 梁 耀淦（東京大学）, 畑 勝裕（芝浦工業大学）, 高宮 真（東京大学）, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| EDD-26-056 SPC-26-167 |
バルクハウゼン安定性解析による、スプリットゲートCSTBT™におけるデバイス容量制御によるLC発振抑制 |
| ◎西田和貴, 池田直輝, 阪口浩介, 小林亮祐, 小西和也, 米山 玲（三菱電機） | |
| EDD-26-057 SPC-26-168 |
レベルセット法によるパワーモジュールレイアウトのトポロジー最適化 |
| ◎竹田 駿, 辻村俊博（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| 11月26日（木） 14:15〜15:15 | |
| EDD-26-058 SPC-26-169 |
SiC MOSFETの並列駆動におけるしきい値電圧ばらつきがスイッチング動作に及ぼす影響 |
| ◎福地 竜, 子安 葵, 磯部高範（筑波大学）, 染谷 満, 平井悠久（産業技術総合研究所）, 渡部平司（大阪大学）, 岩室憲幸, 矢野裕司（筑波大学） | |
| EDD-26-059 SPC-26-170 |
TCADによるSiC PINダイオードの逆回復時リンギング機構の解析 |
| ◎鈴木亜沙人, 山下侑佑（豊田中央研究所）, 斎藤 順（ミライズテクノロジーズ） | |
| EDD-26-060 SPC-26-171 |
SiC MOSFETにおけるゲートスイッチング不安定性によるゲート酸化膜劣化のばらつき評価 |
| ◎草野公汰, 高山 創（京都工芸繊維大学）, 古田 潤（岡山県立大学）, 小林和淑, 新谷道広（京都工芸繊維大学） | |
| 11月26日（木） 15:30〜16:30 | |
| EDD-26-061 SPC-26-172 |
SiC-MOSFETにおけるバイポーラ劣化抑制を目的としたプロトン注入活用のためのデバイス設計指針の確立 |
| ◎色摩直樹, 遠嶋和也, 八田英之, 丹羽弘樹, 網城啓之, 菅原勝俊, 香川泰宏, 新田哲也（三菱電機） | |
| EDD-26-062 SPC-26-173 |
1.2 kV SiC MOSFETにおけるトレンチ終端構造の初実証 |
| ○木村佳敬, 富永貴亮, 福井 裕, 池田宗謙, 玉城朋宏, 香川泰宏, 河野和史（三菱電機） | |
| EDD-26-063 SPC-26-174 |
格子状Deep-p構造を適用した電動車向け低損失・大電流10.2 mm角トレンチSiC-MOSFETの開発 |
| ○三村智博, 三角忠司, 高谷秀史, 新井隆太, 畑 謙佑, 林 敬太, 手賀直樹, 伊藤孝浩, 小西正樹（デンソー） | |
| 11月26日（木） 16:40〜17:20 テーマ「招待講演」 | |
| EDD-26-064 SPC-26-175 |
極薄AlGaNバリア層を適用したSi基板上プレーナ型AlGaN/GaN HEMTのパワーデバイス応用検討 |
| ○南條拓真, 江川孝志（名古屋工業大学） | |
| 11月27日（金） 9:00〜10:20 | |
| EDD-26-065 SPC-26-176 |
繰返しスイッチング過電圧ストレス下におけるGaN HEMTのトラップ起因容量変動 |
| ◎野中華輝, 中谷拓夢（九州大学）, Wang Bixuan, Porter Mattew A.（Virginia Polytechnic Institute and State University Center for Power Electronics Systems）, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| EDD-26-066 SPC-26-177 |
GaN HEMTにおけるオーバーシュート・アンダーシュートストレスによる劣化の評価 |
| ◎松浦輝幸, 小椋清孝, 伊藤信之, 鈴木恭宜, 古田 潤（岡山県立大学） | |
| EDD-26-067 SPC-26-178 |
LHL法によるパワーサイクル劣化検出の最適計測条件の検討 |
| ◎太田岳宏, 中野 智, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| EDD-26-068 SPC-26-179 |
並列SiC-MOSFETのスイッチング波形を用いた機械学習によるワイヤリフトオフ検出 |
| ◎出井和音（九州大学）, Müller Jonas, Lutzen Hauke, Kaminski Nando（University of Bremen）, 西澤伸一, 齋藤 渉（九州大学） | |
| 11月27日（金） 10:35〜11:35 | |
| EDD-26-069 SPC-26-180 |
Parameter Design Method for Power Flow Controller for Interconnecting DC Microgrids |
| ◎胡 宜安, 名取賢二, 佐藤之彦（千葉大学） | |
| EDD-26-070 SPC-26-181 |
エリアプロダクト一定条件下における磁気コアの体積最小化に向けた断面積・窓面積比の設計指針 |
| ◎秋山はやて, 岩本拓巳, 渡辺大貴, 伊東淳一（長岡技術科学大学） | |
| EDD-26-071 SPC-26-182 |
鉄道車両駆動インバータのフィールドデータ同期サンプリングによるDCリンクキャパシタコンディションモニタリング |
| ◎熊橋双弥, 長谷川一徳（九州工業大学）, 藤本和樹, 大山裕二（東洋電機製造） | |
| 11月27日（金） 13:00〜14:20 | |
| EDD-26-072 SPC-26-183 |
再生可能エネルギー向けRFCダイオードの低温リカバリー動作解析 |
| ○藤井秀紀, 白井淳平, 小西和也, 増岡史仁（三菱電機） | |
| EDD-26-073 SPC-26-184 |
Si系高耐圧パワー半導体対応300 mm SbドープMCZウエハ技術の検証 |
| ○中村勝光, 中西洋介, 深田祐介（三菱電機） | |
| EDD-26-074 SPC-26-185 |
クロスコンタクト構造を採用した狭メサIGBTの開発 |
| ◎松本拓也, 湯川惠介, 梅木真也, 岡本武士, 太田雄至（ローム） | |
| EDD-26-075 SPC-26-186 |
IGBTにおける電流フィラメントのホッピングのメカニズムに関するTCADでの調査 |
| ○諏訪剛史, 中村和敏, 川口雄介, 安原紀夫, 岩津泰徳（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| 11月27日（金） 14:35〜15:35 | |
| EDD-26-076 SPC-26-187 |
SDG-IGBTにおける蓄積キャリア制御による低損失化とサージ電圧抑制の両立 |
| ◎加藤滉大（東芝デバイス＆ストレージ）, 山本崇人, 小林勇介（東芝）, 下條亮平, 根賀亮平, 末代知子（東芝デバイス＆ストレージ） | |
| EDD-26-077 SPC-26-188 |
ダブルゲートIGBTの短絡保護を実現する新規ゲート制御ソフトターンオフ技術 |
| ○大橋輝之, 杜 赫, 有田圭吾, 林 祐輔, 吉田 訓（東芝）, 末代知子（東芝デバイス＆ストレージ）, 小林勇介（東芝） | |
| EDD-26-078 SPC-26-189 |
両面マルチゲートIGBTにおけるゲート制御により生じる過渡的な導通状態を活用した低損失化 |
| ◎山本崇人, 小林勇介, 大橋輝之, 坂野竜則（東芝）, 末代知子, 下條亮平, 加藤滉大（東芝デバイス＆ストレージ）, 福井宗利, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 平本俊郎（東京大学） | |
| 11月27日（金） 15:50〜16:50 | |
| EDD-26-079 SPC-26-190 |
Deep Split-Dummy-Active CSTBTTMを用いたオン電圧とスイッチング損失の低減 |
| ◎古川怜央奈（メルコセミコンダクタエンジニアリング）, 小西和也, 藤本卓嗣, 増岡史仁（三菱電機） | |
| EDD-26-080 SPC-26-191 |
Deep Split-Gate CSTBTのdI/dt波形制御によるターンオン損失と放射ノイズの低減 |
| ◎阪口浩介, 小西和也, 小林亮祐, 西田和貴, 池田直樹, 増岡史仁（三菱電機） | |
| EDD-26-081 SPC-26-192 |
低ターンオン損失・低EMI・高破壊耐量を実現するスプリットゲート型抵抗分離CSTBTTM |
| ○小西和也, 松崎公洋, 阪口浩介, 小林亮祐, 澤田賢志, 川原洸太朗, 日野史郎, 河野和史, 増岡史仁（三菱電機） | |
| ※ | 1件当り20分(質疑応答5分を含む) |